(课件)8光电式传感器PPT.ppt
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- 课件 光电 传感器 PPT
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1、2022-4-281内容:光电器件内容:光电器件 CCD传感器传感器 光纤传感器光纤传感器以光电器件作为转换元件的传感器以光电器件作为转换元件的传感器优点:响应快、性能稳、非接触。优点:响应快、性能稳、非接触。2022-4-282 物质受到光照会发生某些电学特性的变化,物质受到光照会发生某些电学特性的变化,这一现象称为光电效应。这一现象称为光电效应。光电效应:光电效应:光电子发射效应光电子发射效应光电导效应光电导效应光生伏特效应光生伏特效应三种类型三种类型发生在物体内部发生在物体内部发生在物体表面发生在物体表面半导体半导体金属金属8.1 光电器件光电器件2022-4-283 当物质受到光照射时
2、,电子得到了足够的光当物质受到光照射时,电子得到了足够的光能会从物质表面上放射出来的现象,称为光电子能会从物质表面上放射出来的现象,称为光电子发射。发射。 普通光电管和光电倍增管就是利用这种原理普通光电管和光电倍增管就是利用这种原理制成的。制成的。 光电子发射效应(外光电效应)光电子发射效应(外光电效应) 当物质受到光的照射时,载流子的浓度增当物质受到光的照射时,载流子的浓度增加,电导率增大的现象,称为光电导效应。加,电导率增大的现象,称为光电导效应。 光敏电阻就是利用这种效应制成的。光敏电阻就是利用这种效应制成的。光电导效应光电导效应 (内光电效应)(内光电效应)光电式传感器光电式传感器20
3、22-4-284 当物质受到光的照射时,两种材料的界面上当物质受到光的照射时,两种材料的界面上产生电动势的效应,称为光生伏特效应。产生电动势的效应,称为光生伏特效应。 光电池就是利用这种效应制成的。光电池就是利用这种效应制成的。光生伏特效应(内光电效应)光生伏特效应(内光电效应)光电式传感器光电式传感器2022-4-2851、光电发射型器件、光电发射型器件非电量非电量转换转换光亮变化光亮变化光子光子光电光电器件器件光电效应光电效应电流电流(电子)(电子)1905年年物理学年鉴物理学年鉴发表的三篇发表的三篇重要论文:重要论文: 1、数学方法研究布朗运动、数学方法研究布朗运动 2、光量子学说、光量
4、子学说 3、侠义相对论、侠义相对论2022-4-286光电式传感器光电式传感器光电效应方程:光电效应方程:Amvhf221光是一粒一粒运动着的粒子流,即光子光是一粒一粒运动着的粒子流,即光子每个光子的能量为每个光子的能量为hf光子打在光电材料上,光子与电子进行能量交换光子打在光电材料上,光子与电子进行能量交换能量转换为:能量转换为:电子电子逸出功逸出功 + 初始动能初始动能h普朗克常数普朗克常数hf光子的能量光子的能量f 光的频率光的频率m电子质量电子质量v电子初速度电子初速度 A电子逸出功电子逸出功爱因斯坦假说:爱因斯坦假说:2022-4-287光电式传感器光电式传感器红限频率红限频率: 产
5、生光电子发射的最低产生光电子发射的最低hAf/0当入射光的频率当入射光的频率fE Eg g,PN结内产生电结内产生电子子-空穴对,空穴对,PN结两端产生电动势,直接将光结两端产生电动势,直接将光能转变成电能。能转变成电能。光生电子光生电子- -空穴对空穴对+ P+ PN -N -光电式传感器光电式传感器光电器件:光电器件: 光电池光电池2022-4-2816E照度(照度(lx)1、光照特性、光照特性当光电器件电极上的电压一定时,当光电器件电极上的电压一定时,光电流光电流I与光照度与光照度(或光通量或光通量)关系关系IF(E)O5101520250.20.4 0.60.816123451/A/l
6、m真空光电管真空光电管光照特性呈现近似线性关系光照特性呈现近似线性关系光电式传感器光电式传感器 光通量(光通量(lm)IF()二、光电器件的基本特性二、光电器件的基本特性2022-4-2817O2345500 100015001/mAE/lx(c)1光电倍增管光电倍增管灵敏度高,线性范围大灵敏度高,线性范围大光敏电阻光敏电阻非线性,作为开关元件非线性,作为开关元件光电式传感器光电式传感器2022-4-2818O0.10.20.30.40.52000/lm481216205040302010O5001000E/lx1/mA硅光电池硅光电池开路电压呈非线性开路电压呈非线性短路电流呈线性短路电流呈线
7、性光敏二极管光敏二极管线性特性好,用于检测线性特性好,用于检测光电式传感器光电式传感器开路电压开路电压短路电流短路电流2022-4-2819O2341/mAE / l x18 0 01 0 0 0光敏三极管光敏三极管线性特性好,用于弱光检测线性特性好,用于弱光检测光电式传感器光电式传感器2022-4-28201 . 00 . 80 . 60 . 40 . 2O0 . 40 . 60 . 81 . 0锑銫多 种 成 分銫 / m真空管真空管光电倍增管光电倍增管光敏电阻光敏电阻O0.51.01.52.02.5I/Imax1.00.80.60.40.2/m硫化镉硫化铊硫化铅1.00.80.60.40
8、.2O20004000/mI/Imax60008000锑钾铯光电式传感器光电式传感器2、光谱特性、光谱特性I=F() 入射光波长入射光波长2022-4-2821硅硅光光电电池池光光敏敏晶晶体体管管1.00.80.60.40.2O0.20.4/mI/Imax0.60.81.01.2硒硅1.00.80.60.40.2O0.5/mI/Imax1.01.52.0硅锗光电式传感器光电式传感器2022-4-2822n光谱特性与制造器件的材料有关,也与制造工光谱特性与制造器件的材料有关,也与制造工艺有关。艺有关。n不同材料对应不同的红线频率。不同材料对应不同的红线频率。n各种敏感材料对不同的波长灵敏度不一样
9、。各种敏感材料对不同的波长灵敏度不一样。n每一种材料只对某一种波长的灵敏度最高。每一种材料只对某一种波长的灵敏度最高。2022-4-28233、伏安特性、伏安特性当光通量或照度一定,当光通量或照度一定,I=F(U)O510151A1002000.15lm0.1lm0.15lm0.05lmO501001501A102020030 401210642O50U/A10015081220406080100/lm光敏电阻光敏电阻真空管真空管光电倍增管光电倍增管光电式传感器光电式传感器2022-4-28240.50.30.20.1O100U/mV2003000.40.6500600700900lx1/mA
10、4008004003002001000.5ka12321O10U/V20304200400600800lx1/mA4050光光电电池池光光敏敏晶晶体体管管光电式传感器光电式传感器2022-4-2825I=F1(f) 或或 SF2(f)电压、光强相同电压、光强相同4、频率特性、频率特性S灵敏度灵敏度 f 光调制频率光调制频率 1.00.70.50.2OI/Imax充气管10f/Hz100100010000真真空空管管1.00.60.40.2OI/Imax10f/Hz1001000100000.8硫化铅硫化铅硫化铊硫化铊光光敏敏电电阻阻光电式传感器光电式传感器2022-4-28261.00.60.
11、40.2OU/Umax1500f3000450060000.8硅光电池硅光电池硒光电池硒光电池光光电电池池RL=1k光光敏敏三三极极管管光电式传感器光电式传感器2022-4-2827500400300200开路电压/mV10T/2030 405060708054320短路电流/mA短路电流短路电流开路电压开路电压硅硅光光电电池池0.80.60.40.2相对灵敏度1.0/M2.03.04.001.00+2020光光敏敏三三极极管管5025暗电流/A10t/2030 40506070800200100光电流/A10t/2030 4050607080O400300暗电流暗电流光电流光电流光敏电阻光敏
12、电阻光电式传感器光电式传感器5、温度特性、温度特性温度变化对元件特性的影响温度变化对元件特性的影响2022-4-2828三、三、光电式传感器的基本组成和类型光电式传感器的基本组成和类型光源光源光学光学通路通路光电光电器件器件测量测量电路电路12IX1被测量被测量X2被测量被测量把光电器件输出电信号把光电器件输出电信号转换成电路的可用信号转换成电路的可用信号1、基本组成、基本组成光电式传感器光电式传感器2022-4-28292、基本类型、基本类型(1) 透射式透射式p0 A A被测对象被测对象A所吸收的光通量所吸收的光通量 P光敏元件所接收的光通量光敏元件所接收的光通量 0光源发出一定的光通量光
13、源发出一定的光通量IF( P)F( A)测量液体、气体和固体的透明度和混浊度。测量液体、气体和固体的透明度和混浊度。AA光敏光敏元件元件pI被测对象被测对象0光电式传感器光电式传感器2022-4-2830(2)反射式反射式测量表面粗糙度测量表面粗糙度Ap0 AA被测对象损失光通量被测对象损失光通量(3)辐射式辐射式IF(P)F(0)F(T)如光电高温计、和炉子燃烧监视装置如光电高温计、和炉子燃烧监视装置Ap0光电式传感器光电式传感器2022-4-2831(4)遮挡式遮挡式IF(P)F(A)光敏光敏元件元件(5)开关式开关式,光路,光路“通通”与与“不通不通”用于开关,计数,编码等。用于开关,计
14、数,编码等。光电式传感器光电式传感器2022-4-2832优点:优点:n寿命长。寿命长。CCDCCD摄像管的寿命约摄像管的寿命约2020一一3030年。年。n成本低。用成本低。用CCDCCD摄像管构成的摄像机没有电子枪及其附摄像管构成的摄像机没有电子枪及其附属设备,体积小,成本低。属设备,体积小,成本低。n机械性能好,耐震、耐撞,不怕强光照射。机械性能好,耐震、耐撞,不怕强光照射。n重合精度高。摄像管与镜头固定牢固,匹配精确。重合精度高。摄像管与镜头固定牢固,匹配精确。 n暂留特性好,适于拍摄运动图像。暂留特性好,适于拍摄运动图像。 2022-4-2833CCD的电荷存储的电荷存储 构成CCD
15、的基本单元是MOS电容器,由金属、氧化物、半导体材料构成。 2022-4-2834 工作原理是依靠MOS电容与其电子势阱的存储电荷作用,以及改变栅压高低可以使势阱内电荷包逐个势阱转移的效应。2022-4-2835n当当MOSMOS电容栅压增高时,在半导体内部被排电容栅压增高时,在半导体内部被排斥的电荷数也增加,耗尽层厚度增加,半斥的电荷数也增加,耗尽层厚度增加,半导体内电势越低,电子则向耗尽层移动、导体内电势越低,电子则向耗尽层移动、存储,象对电子的陷阱一样,称为电子势存储,象对电子的陷阱一样,称为电子势阱。电子势阱可以用来存放电子。其特点阱。电子势阱可以用来存放电子。其特点是:当栅压增加,势
16、阱变深;当栅压减小,是:当栅压增加,势阱变深;当栅压减小,势阱变浅,电子向势阱深处移动。势阱变浅,电子向势阱深处移动。2022-4-28362022-4-28372022-4-28382022-4-28392022-4-2840 在一定的条件下,所加在一定的条件下,所加V VG G越大,耗尽越大,耗尽层越深,层越深,MOSMOS电容器所容纳的少数载流子电荷电容器所容纳的少数载流子电荷量就越大。量就越大。 2022-4-28412022-4-28422022-4-28432022-4-2844 CCD信号电荷产生有两种方式:光信号注入和信号电荷产生有两种方式:光信号注入和电压信号注入。电压信号注
17、入。 用做图像传感器时,由光注入电荷信号。用做图像传感器时,由光注入电荷信号。 势阱内的电荷包是由光敏材料受光照射后激发势阱内的电荷包是由光敏材料受光照射后激发产生产生电子空穴对电子空穴对 在栅极电压的作用下,空穴被排斥进入衬底在栅极电压的作用下,空穴被排斥进入衬底 而电子被收集在势阱里,成为信号电荷而电子被收集在势阱里,成为信号电荷 存储电荷的多少正比于照射光强存储电荷的多少正比于照射光强 这就是这就是CCDCCD摄像器件的光电变换过程。摄像器件的光电变换过程。光信号注入与电荷产生光信号注入与电荷产生2022-4-2845n正面照射:电极用透明导电材料(氧化锡、氧化钛等)正面照射:电极用透明
18、导电材料(氧化锡、氧化钛等)制作。制作。n背面照射:需将衬底减薄背面照射:需将衬底减薄n直接照射:在每个光敏单元的电极下开一个很小的孔,直接照射:在每个光敏单元的电极下开一个很小的孔,光线直接照射到硅片表面光线直接照射到硅片表面 这时,如果把一个景物的图像投射到这时,如果把一个景物的图像投射到CCDCCD面阵上时,面阵上时,由由CCDCCD上形成由积累电荷描绘的电子图像。上形成由积累电荷描绘的电子图像。2022-4-2846nCCDCCD的最基本结构是彼此非常靠近的一系列的最基本结构是彼此非常靠近的一系列MOSMOS电容器,耗尽区能够在控制下相通,这是电容器,耗尽区能够在控制下相通,这是保证相
19、邻的势阱耦合和电荷转移的基本条件。保证相邻的势阱耦合和电荷转移的基本条件。n任何可移动的电荷信号总是力图向表面势大任何可移动的电荷信号总是力图向表面势大的位置移动,的位置移动,相邻势阱间的电荷转移。相邻势阱间的电荷转移。n实现电荷转移的驱动脉冲有二相,三相、四实现电荷转移的驱动脉冲有二相,三相、四相。相。2022-4-28471 2 3 4 5 6 t= t1时,电极时,电极1、4在在V1的作用下形成势阱,并存有电荷的作用下形成势阱,并存有电荷。2022-4-28481 2 3 4 5 6 t= t2时,电极时,电极2、5在在V2的作用下形成势阱,电极的作用下形成势阱,电极1、4下下面的势阱变
20、浅,所存电荷开始向面的势阱变浅,所存电荷开始向2、5转移转移。2022-4-28491 2 3 4 5 6 t= t3时,电极时,电极1、4下面的势阱消失,电荷完全转到电极下面的势阱消失,电荷完全转到电极2、5下下面。面。2022-4-28501 2 3 4 5 6 t= t4时,电极时,电极3、6在在V3的作用下形成势阱,电极的作用下形成势阱,电极2、5下下面的势阱变浅,所存电荷开始向面的势阱变浅,所存电荷开始向3、6转移。转移。2022-4-28511 2 3 4 5 6 t= t4时,电极时,电极2、5下面的势阱消失,电荷完全转到电极下面的势阱消失,电荷完全转到电极3、6下下面。面。20
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