体声波谐振器资料课件.ppt

1、Optical Navigation DivisionAdvanced Wireless Semiconductor Division薄膜体声波谐振器及其制造方法薄膜体声波谐振器及其制造方法关文海关文海 2012015 5年年2 2月月3 3日日Advance Wireless Semiconductor DivisionHunterSun Electronics Co., Ltd. Confidential and Proprietary背景技术背景技术移动通信终端向着小型化和多功能的方向发展，滤波器是移动通信终端中关键的部件需要一种超高频带的部件，但是这种部件在尺寸最小化和制造成本方面是很

2、困难的引入声波表面谐振器代替代替谐振器，但插入损耗很大 FBAR应运而生Advance Wireless Semiconductor DivisionHunterSun Electronics Co., Ltd. Confidential and Proprietary具有反射层的具有反射层的FBAR具有反射层的现有技术中FBAR的剖视图 劣势劣势：反射层的厚度应当是谐振频率的1/4波长，而且在形成反射层时要考虑它们之间的应力，因此，制造过程变得很复杂。还有反射特性低于气隙方法。Advance Wireless Semiconductor DivisionHunterSun Electroni

3、cs Co., Ltd. Confidential and Proprietary具有气隙的现有技术中的FBA剖视图具有气隙的具有气隙的FBAR缺点在刻蚀气隙期间，由于膜层很不稳定，似的膜层的结构变形并与衬底分开。Advance Wireless Semiconductor DivisionHunterSun Electronics Co., Ltd. Confidential and Proprietary解决的方法解决的方法提供支撑层提供支撑层带有支撑层的气隙结构的FBAR由于现有技术中的FBAR包括由掺杂的硅制成的衬底具有高的导电性，1GHz以上的高频可从激活区传送到衬底，因此，当在高频

4、带中操作的集成电路中实现该FBAR时，会使现有技术中的FBAR特性恶化。缺点缺点Advance Wireless Semiconductor DivisionHunterSun Electronics Co., Ltd. Confidential and Proprietary翼尖问题翼尖问题Advance Wireless Semiconductor DivisionHunterSun Electronics Co., Ltd. Confidential and Proprietary上述问题的解决方法上述问题的解决方法剖视图第一特性第一特性绝缘层52能防止从激活区生成的信号传送到衬底51。

5、Advance Wireless Semiconductor DivisionHunterSun Electronics Co., Ltd. Confidential and Proprietary剖视图第二特性第二特性有效地控制了谐振频率的中心频率，并且通过调节对应于激活区的膜层56的厚度提高了传输增益。控制部分在于56的下陷部分。Advance Wireless Semiconductor DivisionHunterSun Electronics Co., Ltd. Confidential and Proprietary制造步骤制造步骤a一、绝缘层的形成一、绝缘层的形成绝缘层102可以

6、通过以下两种方法：高温氧化法高温氧化法淀积法淀积法Advance Wireless Semiconductor DivisionHunterSun Electronics Co., Ltd. Confidential and Proprietary二、牺牲层的形成二、牺牲层的形成b牺牲层的选择条件：具有容易形成和去除的良好的表面粗超度并且使用下面的过程中的干刻蚀过程执行去除方面具有优点。Advance Wireless Semiconductor DivisionHunterSun Electronics Co., Ltd. Confidential and Proprietary三、气隙形状

7、的形成三、气隙形状的形成覆盖光刻胶刻蚀cdAdvance Wireless Semiconductor DivisionHunterSun Electronics Co., Ltd. Confidential and Proprietary四、支撑层的形成四、支撑层的形成ef覆盖一层绝缘材料，绝缘材料可以是氮化硅、为氧化硅、氧化铝等Advance Wireless Semiconductor DivisionHunterSun Electronics Co., Ltd. Confidential and Proprietary五、激活区的形成五、激活区的形成ghAdvance Wireless

8、 Semiconductor DivisionHunterSun Electronics Co., Ltd. Confidential and Proprietary六、电极的形成六、电极的形成i电极107、109的材料可以用Al、W、Au、Pt等Advance Wireless Semiconductor DivisionHunterSun Electronics Co., Ltd. Confidential and Proprietary七、气隙的刻蚀七、气隙的刻蚀通过通孔H3来对多晶硅进行刻蚀，形成气隙A3。注意事项：在干刻蚀过程前在约140摄氏度的温度烘焙该FBAR约10分钟，以便防止

9、二氟化氙形成HF污染衬底101的表面。jAdvance Wireless Semiconductor DivisionHunterSun Electronics Co., Ltd. Confidential and Proprietary总结总结如上所述，总结如下。通过在衬底上形成具有高质量的绝缘层，防止信号传输到具有导电性的衬底，并且最小化插入损失，在形成牺牲层的操作中，形成基本上垂直于该牺牲层和光刻胶层没有任何翼尖的平面，以及通过刻蚀于激活层相对应的绝缘层可增加谐振频率的中心频率的控制和传输增益。Advance Wireless Semiconductor DivisionHunterSun Electronics Co., Ltd. Confidential and ProprietaryThank you