41离子束加工PPT课件.ppt
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1、 一.概述 二.离子束加工原理 三.离子束加工特点 四.离子束离子源 五.离子束应用范围 六.等离子体加工 七.等离子体加工特点 八.等离子体加工应用 九.现状与发展趋势2整 体 概 述THE FIRST PART OF THE OVERALL OVERVIEW, P L E A S E S U M M A R I Z E T H E C O N T E N T第一部分 一. .概述 发展史 纵观离子束技术发展史,最早可追溯到本世纪初。19061906年哥达德(GoddardGoddard)提出,在宇宙空间可借助电力方法推进空间载体运行。自此,很多空间电推进力装置的设想相继而生。开拓这个领域的
2、先驱们不约而同地发现,电场加速离子方法在实现空间飞行使命将具有极大的潜力和可行性,因为离子的高冲量无疑是最理想的推进手段。从此,解开了人类探索空间的新纪元。 1960 1960年美国航空航天局拟定了一项空间飞行计划,决定研制控制卫星姿态的电推进器系统(EBTSEBTS),由卡夫曼(KaufmanKaufman)教授主持设计宽束低束流密度的电子轰击电推进器,经过近十年完成了代号为SERTSERT、和型的飞行实验,取得了突破性的进展。从此,这种离子发动机称之为KaufmanKaufman离子源。不久,贝尔(BellBell)实验室的专家们把这种大口径均匀离子发射技术转移到地面应用,开拓了离子束刻蚀
3、(IBEIBE)工艺技术,显示出超微细结构的加工能力。从原理上看,在空间与地面应用并无本质的区别,前者需要的是发射大面积重离子(HgHg)均匀束,目的是给卫星系统提供足够大的比推;后者则采用惰性气体(ArAr)作为工质,使均匀的离子束入射到材料表面,产生预期的刻蚀效果。由于空间和地面工作环境极不相同,因此,离子发射装置的设计要求各有偏重。在地面上更关心的是满足刻蚀工艺的需要和技术商用化。 经过近3030年的发展,各技术发达国家已普遍使用这项技术于科学家研究和军事目的。其中,美国起步早,水平高,研究深入,普及广泛。其次是日本、英国、中国等。然而,从技术应用的深度和广度来看,这项技术仍然是一项年轻
4、的技术,未来发展的规模和对高科技的影响尚难估计。不过可以肯定,用这个带有能量的离子作为超微型技术炮弹,将会轰开许多科技奥秘的大门,闪烁出耀眼的科技光彩。 新闻 中国具备研发磁流变和离子束抛光装备能力世界唯一 1纳米有多长?相当于一根头发丝直径的1/80000。亚纳米有多长?小于1纳米!1月中旬,国防科大精密工程创新团队自主研制的磁流变和离子束两种超精抛光装备,创造了光学零件加工的亚纳米精度,并通过国家权威部门验收。据专家介绍,这一成果使我国成为继美国、德国之后第3个掌握高精度光学零件制造加工技术的国家,并成为世界上唯一同时具有磁流变和离子束抛光装备研发能力的国家。 纳米精度被誉为超精密加工技术
5、“皇冠上的明珠”。20世纪90年代,我国大多采用“手工+机械抛光”的传统加工技术,无法进行大口径、高精度、复杂面形的光学零件加工。国防科大精密工程创新团队在李圣怡教授率领下,经过20多年顽强拼搏,突破重重技术瓶颈,自主研制出磁流变、离子束两种超精抛光装备,创造出我国光学零件加工领域的亚纳米精度。近3年来,该团队先后与中国科学院、中国航天科技集团等单位合作,推动我国空间光学、高端装备制造发展,自主研制出两大类7个型号的磁流变和离子束抛光机床,取得了显著经济效益和社会效益。该团队先后获得科技部重大科技专项颁发的“突出贡献奖”和“突出成果奖”。离子束加工是在真空条件下,先由电子枪产生电子束,再引入已
6、抽成真空且充满惰性气体之电离室中,使低压惰性气体离子化。由负极引出阳离子又经加速、集束等步骤,最后射入工件表面。 二. .离子束加工原理三.离子束加工特点 加工精度高。离子束加工是目前最精密、最微细的加工工艺。离子束轰击工件的材料时,其束流密度和能量可以精确控制。离子刻蚀可达纳米级精度,离子镀膜可控制在亚微米级精度,离子注入的深度和浓度亦可精确地控制。 环境污染少。离子束加工在真空中进行,特别适宜于对易氧化的金属、合金和半导体材料进行加工。 加工质量高。离子束加工是靠离子轰击材料表面的原子来实现的,加工应力和变形极小,适宜于对各种材料和低刚件零件进行加工。与电子束相比(1)相同点:在真空条件中
7、进行;粒子束加工(2)不同点:带正电荷的离子,质量比电子大数千、数万倍,如氩离子的质量是电子的7.2万倍;是靠微观的机械撞击能量来加工的,离子束比电子束具有更大的撞击动能。加工装置:离子源、真空系统、控制系统、电源根据离子源产生的方式和用途的不同,离子源有很多形式,常用的有:(1)考夫曼型离子源 四. .离子束加工装置 (2)双等离子体型离子源11 真空系统在离子束设备中,真空系统的好坏直接影响该设备离子源寿命的长短、束流品质和离子束工作效果的优劣。真空系统的主要作用如下:1.提供产生束流环境。束斑尺寸范围从几十纳米到几百纳米,为亚微米级或纳米级,很容易受到大气分子的干扰,不能穿越空气,需要真
8、空系统给它提供一个超真空环境。2.提供束流工作环境。设备工作时,工件和离子束都需要一个非常“洁净”的环境,否则会污染工件和影响束流的工作。如果离子束通道和工作室受到污染,而污染物一般是绝缘的,这样就会产生静电积累,使束流轨迹发生偏移,直接影响离子束的工作效果,如果静电积累严重到发生放电现象,离子束设备就根本无法工作。3.真空度的高低直接影响离子源的使用寿命和发射电流稳定性的好坏。试验表明,真空系统度较高时,正常工作条件下,离子源能使用半年,但是如果真空度较低,不到一个月,就能用完一个新的离子源,大大地缩短了离子源的寿命,而且发射电流也不稳定。五.离子束应用范围离子束加工方式包括离子蚀刻、离子镀
9、膜及离子溅射沉积和离子注入等。(1)离子刻蚀 当所带能量为0.15keV、直径为十分之几纳米的的氩离子轰击工件表面时,此高能离子所传递的能量超过工件表面原子或分子间键合力时,材料表面的原子或分子被逐个溅射出来,以达到加工目的。这种加工本质上属于一种原子尺度的切削加工,通常又称为离子铣削。离子束可以刻蚀金属、半导体、绝缘体有机物等各种材料,是重要的干法加工手段,尤其适于半导体大规模集成电路和磁泡器件等的微细加工。“磁泡”是一种新的存贮、处理、恢复数据信息的方法,它对于改进通讯系统中的逻辑、存贮、运算和开关过程具有惊人的前景。磁泡信息存贮密度大于每平方英尺一百万位,而且磁泡存贮器中的信息处理速度达
10、每秒一百万位。 离子束刻蚀的影响因素 刻蚀速率与靶材料、离子束种类、离子束能量、离子束入射角以及工作室的气氛和压强等有关。1.1.靶材料各种材料由于成分和结构的不同,即使相同工艺条件,刻蚀速率差别也很大,可见表2.入射离子能量一般说在小于500ev时,刻蚀速率正比于入射离子能量E的平方。在5001000ev之间,正比于E。在10005000ev之间则正比于E的平方根。3.离子束入射角通常,溅射产额随离子束入射角而增加(法线入射时=0)。这是由于入射角增大时,轰击离子离表面更近、走的路程更长,可以使更多的受激原子离开表面。入射角大于一个临界角时,就发生了离子反射,溅射产额随之降低。也可以考合适的
11、角度控制刻蚀图形的轮廓。4.表面洁净程度实验表明,经过洁净处理的表面刻蚀速率高于未经处理的,人们普遍认为这是表面玷污的影响。油脂等表面玷污物在离子束轰击下发生碳化,会有刻蚀速率很低的碳膜覆盖表面,使刻蚀速率降低。 刻蚀加工离子刻蚀还用来制薄材料,用于制薄石英晶体振荡器和压电传感器。金刚石刀具 大规模集成电路芯片刻蚀 离子束刻蚀加工在以下方面得到应用高精度加工 离子束刻蚀可达到很高的分辨率,适合刻蚀精细图形。离子束加工小孔的优点是孔壁光滑,临近区域不产生应力和损伤,能加工出任意形状的小孔。表面抛光 离子束能完成机械加工中的最后一道工序精抛光,以消除机械加工所产生的刻痕和表面应力。加工时只要严格选
12、择溅射参数(入射离子能量、离子质量、离子入射角、样品表面温度等),光学零件就可以获得极佳的表面质量,且散射光极小。 刻蚀的新发展反应离子束刻蚀1.离子束加强刻蚀这是在氩离子束刻蚀的同时,加入了反应气体,使其与基片起化学反应。反应气流直接对准被离子束轰击的基片表面。刻蚀铅是采用能腐蚀铅的氯气。离子束轰击可以去除腐蚀层,保证氯气的腐蚀不断进行。这种加强刻蚀有相当高的刻蚀速率,可以使铅或砷化镓的刻蚀速率达到5um/min2.反应气体离子刻蚀在氩离子束刻蚀中加入了氧反应离子束,可以改变基片表面的结合能,从而改变刻蚀速率。 (2)离子溅射沉积采用能量为0.15keV的氩离子轰击某种材料制成的靶材,将靶材
13、原子击出并令其沉积到工件表面上并形成一层薄膜。离子束溅射薄膜压力传感器(3)离子镀膜离子镀膜一方面是把靶材射出的原子向工件表面沉积,另一方面还有高速中性粒子打击工件表面以增强镀层与基材之间的结合力(可达1020MPa) 溅射镀膜工艺 一.合金膜的镀制在各种镀膜技术中,溅射最适于镀制合金膜。溅射镀制合金膜,有三种可供选择的技术方案;多靶溅射、镶嵌靶溅射和合金靶溅射。1.多靶溅射多靶溅射是采用几个纯金属靶同时对基片进行溅射。调整各个靶的功率,就能改变膜材成分。这种方法特别适于调整合金成分,可以得到成分连续变化的膜材。2.镶嵌靶溅射镶嵌靶溅射是将各种纯金属靶材,按一定比例镶嵌在靶面上同时进行溅射。3
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