IGBT的设计与仿真课件.pptx
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- IGBT 设计 仿真 课件
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1、2022-4-25共17页1IGBTIGBT的设计与仿真的设计与仿真 学生:张斌 指导教师:韩雁教授 2009.1.142022-4-25共17页2主要内容主要内容1.1.研究内容简介研究内容简介2.2.设计指标设计指标3.3.研究设计方案研究设计方案4.4.工艺流程设计工艺流程设计5.5.主要工艺指标主要工艺指标6.6.器件仿真器件仿真7.7.主要器件指标仿真结果主要器件指标仿真结果8.8.结论及说明结论及说明2022-4-25共17页31.1.研究内容简介研究内容简介 IGBT的全称是Insulated Gate Bipolar Transistor,即绝缘栅双极晶体管,它是适应了功率半导
2、体器件的发展而产生的,是一种新型的电力电子器件。 它具有输入阻抗高,通态压降低,速度快,热稳定性好,驱动电路简单,安全工作区宽,电流处理能力强等优点。 三重扩散晶体管的制作方法是指晶体管的集电区、基区、发射区皆由扩散方法获得,便称为三重扩散。现也指使用高温长时间扩散工艺获得结深很深的PN结的过程。 本课题从IGBT的工作原理出发,研究使用三重扩散技术进行高压IGBT生产的可行性,设计工艺流程,借助ISE-TCAD仿真工具进行IGBT器件结构和工艺研究。2022-4-25共17页4元胞结构元胞结构剖面结构剖面结构2022-4-25共17页52.设计指标表1 参数设计值与测试条件参数设计指标测试条
3、件阈值电压3V(2-6V)Vce0.1V击穿电压1200VVge0V最大工作电流 10AVge6V,Vce10V导通电阻3Vge6V,Vce10V2022-4-25共17页63.3.研究设计方案研究设计方案本课题选用ISE-TCAD DIOS进行工艺仿真,选择合适可行的工艺方案,确定正面VDMOS结构的各项工艺参数。把DIOS工艺仿真的器件结构及边界文件导入MDRAW,进行网格优化及器件背面结构的设计。利用解析掺杂分布来模拟背面的三重扩散结构,利用常数掺杂模拟背面注入,然后形成网格。把MDRAW定义的网格导入DESSIS进行器件电学特性的仿真。提取电学特性曲线来判断是否达到所需的结构。根据电学
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