《集成电路设计概述》课件.ppt
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1、2022-4-221集成电路设计概述集成电路设计概述 2022-4-222目的目的 认识集成电路的发展历史、现状和未来 了解集成电路设计工艺 熟悉集成电路设计工具 培养集成电路设计兴趣2022-4-223主要内容主要内容1.1 1.1 集成电路的发展集成电路的发展1.2 1.2 集成电路的分类集成电路的分类1.3 1.3 集成电路设计步骤集成电路设计步骤1.4 1.4 集成电路设计方法集成电路设计方法1.5 1.5 电子设计自动化技术概论电子设计自动化技术概论1.6 1.6 九天系统综述九天系统综述2022-4-224集成电路集成电路 Integrated Circuit Integrated
2、 Circuit ,缩写,缩写ICIC IC IC是通过一系列特定的加工工艺,将晶体管、二极是通过一系列特定的加工工艺,将晶体管、二极管等有源器件和电阻、电容、电感等无源器件,按照管等有源器件和电阻、电容、电感等无源器件,按照一定的电路互连,一定的电路互连,“集成集成”在一块半导体晶片(如硅在一块半导体晶片(如硅或砷化镓)上,封装在一个外壳内,执行特定电路或或砷化镓)上,封装在一个外壳内,执行特定电路或系统功能的一种器件。系统功能的一种器件。 2022-4-225集成电路芯片显微照片集成电路芯片键合2022-4-226各种封装好的集成电路各种封装好的集成电路2022-4-227 集成电路集成电
3、路ICIC基本概念基本概念 -形状形状: : 一般为正方形或矩形 -面积面积: : 几平方毫米到几百平方毫米。面积增大引起功耗增大、封装困难、成品率下降,成本提高,可通过增大硅园片直径来弥补。 -集成度,规模集成度,规模: : 包含的MOS管数目或等效逻辑门(2(2输入的NAND)NAND)的数量 1 1个2 2输入的NAND=4NAND=4个MOS管2022-4-228-特征尺寸:特征尺寸: 集成电路器件中最细线条的宽度,对集成电路器件中最细线条的宽度,对MOSMOS器件常指栅极所决定器件常指栅极所决定的沟导几何长度,是一条工艺线中能加工的最小尺寸。的沟导几何长度,是一条工艺线中能加工的最小
4、尺寸。 反映了集成电路版图图形的精细程度,特征尺寸的减少主要取反映了集成电路版图图形的精细程度,特征尺寸的减少主要取决于光刻技术的改进(光刻最小特征尺寸与曝光所用波长)。决于光刻技术的改进(光刻最小特征尺寸与曝光所用波长)。-硅园片直径:考虑到集成电路的流片成品率和生产硅园片直径:考虑到集成电路的流片成品率和生产成本,每个硅园片上的管芯数保持在成本,每个硅园片上的管芯数保持在300300个左右。个左右。-封装:封装: 把把ICIC管芯放入管壳内并加以密封,使管芯能长期可靠地工作管芯放入管壳内并加以密封,使管芯能长期可靠地工作 为了适应高密度安装的要求,从扦孔形式(为了适应高密度安装的要求,从扦
5、孔形式(THPTHP)向表面安装形)向表面安装形式(式(SMPSMP)发展,)发展, SMPSMP优点是节省空间、改进性能和降低成本,优点是节省空间、改进性能和降低成本,而且它还可以直接将管芯安装在印制版电路板的两面,使电路板而且它还可以直接将管芯安装在印制版电路板的两面,使电路板的费用降低的费用降低60%60%。目前最多端口已超过。目前最多端口已超过1 1千个。千个。2022-4-229一个圆片制造多个芯片一个圆片制造多个芯片2022-4-2210MPWMPW示意图示意图2022-4-22111.1 1.1 集成电路的发展集成电路的发展v 集成电路的出现集成电路的出现 1947-194819
6、47-1948年:公布了世界上第一支(点接触)晶体三极管年:公布了世界上第一支(点接触)晶体三极管标标志电子管时代向晶体管时代过渡。因此志电子管时代向晶体管时代过渡。因此19561956年美国贝尔实验室年美国贝尔实验室三人获诺贝尔奖三人获诺贝尔奖 19501950年:成功制出结型晶体管年:成功制出结型晶体管 19521952年:英国皇家雷达研究所第一次提出年:英国皇家雷达研究所第一次提出“集成电路集成电路”的设想的设想 19581958年:美国德克萨斯仪器公司制造出世界上第一块集成电路年:美国德克萨斯仪器公司制造出世界上第一块集成电路(双极型(双极型-1959-1959年公布)年公布) 196
7、01960年:制造成功年:制造成功MOSMOS集成电路集成电路2022-4-2212集成电路的发展集成电路的发展 从此从此ICIC经历了:经历了: SSI -Small Scale Integration SSI -Small Scale Integration MSI-Medium Scale Integration MSI-Medium Scale Integration LSI -Large Scale Integration LSI -Large Scale Integration 现已进入到:现已进入到: VLSI-Very Large Scale Integration VLSI-
8、Very Large Scale Integration ULSI-Ultra Large Scale Integration ULSI-Ultra Large Scale Integration GSI -Grand Sale Integration GSI -Grand Sale Integration 2022-4-2213集成电路的发展集成电路的发展 年份年份19891989年年19931993年年19971997年年20072007年年特征尺寸特征尺寸1.01.0m m0.60.6m m0.350.35m m45nm45nm水平标志水平标志微米(微米(M M)亚微米(亚微米(SMSM
9、)深亚微米深亚微米(DSMDSM)超深亚微米超深亚微米(VDSMVDSM)表表1 CMOS1 CMOS工艺特征尺寸发展进程工艺特征尺寸发展进程 2022-4-2214集成电路发展的特点:集成电路发展的特点: 特征尺寸越来越小(特征尺寸越来越小(45nm45nm) 硅圆片尺寸越来越大(硅圆片尺寸越来越大(8inch12inch8inch12inch) 芯片集成度越来越大(芯片集成度越来越大(2000K2000K) 时钟速度越来越高时钟速度越来越高( 500MHz500MHz) 电源电压电源电压/ /单位功耗越来越低(单位功耗越来越低(0.6V0.6V) 布线层数布线层数/I/0/I/0引脚越来越
10、多(引脚越来越多(9 9层层/1200/1200)2022-4-2215摩尔定律摩尔定律 一个有关集成电路发展趋势的著名预言,该预一个有关集成电路发展趋势的著名预言,该预言直至今日依然准确。言直至今日依然准确。 集成电路自发明四十年以来,集成电路芯片的集成度每集成电路自发明四十年以来,集成电路芯片的集成度每三年翻两番三年翻两番 ,而加工特征尺寸缩小,而加工特征尺寸缩小 倍。倍。 即由即由IntelIntel公司创始人之一公司创始人之一Gordon E. MooreGordon E. Moore博士博士19651965年总年总结的规律,被称为摩尔定律。结的规律,被称为摩尔定律。22022-4-2
11、216v 集成电路单片集成度和最小特征尺寸的发展曲线集成电路单片集成度和最小特征尺寸的发展曲线2022-4-2217v ICIC在各个发展阶段的主要特征数据在各个发展阶段的主要特征数据 发展阶段发展阶段主要特征主要特征MSIMSI(1966)(1966)LSILSI(1971)(1971)VLSIVLSI(1980)(1980)ULSIULSI(1990)(1990)元件数元件数/ /芯片芯片10102 2-10-103 310103 3-10-105 510105 5-10-107 710107 7-10-108 8特征线宽特征线宽(um)(um)10-510-55-35-33-13-111
12、速度功耗乘积速度功耗乘积(uj)(uj)10102 2-10-1010-110-11-101-10-2-21010-2-2栅氧化层厚度栅氧化层厚度(nm)(nm)120-100120-100100-40100-4040-1540-1515-1015-10结深结深(um)(um)2-1.22-1.21.2-0.51.2-0.50.5-.020.5-.020.2-.010.2-.01芯片面积芯片面积(mm(mm2)2)101501502022-4-2218Intels CPUIntels CPUYear of introductionYear of introductionTransistorsT
13、ransistors40044004 1971 1971 2,250 2,25080088008 1972 1972 2,500 2,50080808080 1974 1974 5,000 5,00080868086 1978 1978 29,000 29,000286286 1982 1982 120,000 120,000386 processor386 processor 1985 1985 275,000 275,000486 DX processor486 DX processor 1989 1989 1,180,000 1,180,000Pentium processorPenti
14、um processor 1993 1993 3,100,000 3,100,000Pentium II processorPentium II processor 1997 1997 7,500,000 7,500,000Pentium III processorPentium III processor 1999 199924,000,00024,000,000Pentium 4 processorPentium 4 processor 2000 200042,000,00042,000,000vIntel Intel 公司公司CPUCPU芯片集成度的发展芯片集成度的发展2022-4-22
15、19vIntel 公司第一代CPU4004电路规模:电路规模:2300个晶体管个晶体管生产工艺:生产工艺:10um最快速度:最快速度:108KHz2022-4-2220vIntel 公司CPU386TM电路规模:电路规模:275,000个晶体管个晶体管生产工艺:生产工艺:1.5um最快速度:最快速度:33MHz2022-4-2221vIntel 公司最新一代CPUPentium 4电路规模:电路规模:4千千2百万个晶体管百万个晶体管生产工艺:生产工艺:0.13um最快速度:最快速度:2.4GHz2022-4-2222v集成电路今后的发展趋势集成电路今后的发展趋势 在发展微细加工技术的基础上,开
16、发超高速度、在发展微细加工技术的基础上,开发超高速度、 超高超高集成度的集成度的ICIC芯片。芯片。 利用先进工艺技术、设计技术、封装技术和测试技术发利用先进工艺技术、设计技术、封装技术和测试技术发展各种专用集成电路展各种专用集成电路( (ASICASIC) ), 特别是开发更为复杂的特别是开发更为复杂的片上系统片上系统( (SOCSOC) ),不断缩短产品上市时限,产品更新换,不断缩短产品上市时限,产品更新换代的时间代的时间越来越短。越来越短。 2022-4-2223 器件结构类型器件结构类型 集成度集成度 使用的基片材料使用的基片材料 电路的功能电路的功能 应用领域应用领域1.2 1.2
17、集成电路的分类集成电路的分类 2022-4-2224按器件结构类型分类按器件结构类型分类双极集成电路:主要由双极型晶体管构成双极集成电路:主要由双极型晶体管构成 NPNNPN型双极集成电路型双极集成电路 PNPPNP型双极集成电路型双极集成电路金属金属- -氧化物氧化物- -半导体半导体(MOS)(MOS)集成电路:主要由集成电路:主要由MOSMOS晶体管晶体管( (单单极型晶体管极型晶体管) )构成构成 NMOSNMOS PMOSPMOS CMOS(CMOS(互补互补MOS)MOS)双极双极-MOS(BiMOS)-MOS(BiMOS)集成电路:是同时包括双极和集成电路:是同时包括双极和MOS
18、MOS晶体管晶体管的集成电路。综合了双极和的集成电路。综合了双极和MOSMOS器件两者的优点,但制作工器件两者的优点,但制作工艺复杂。艺复杂。2022-4-2225 集成度:每块集成电路芯片中包含的元器件数目集成度:每块集成电路芯片中包含的元器件数目类类 别别数字集成电路数字集成电路模拟集成电路模拟集成电路MOS ICMOS IC双极双极ICICSSISSI10102 21001003020002000300300ULSIULSI10107 710109 9GSIGSI10109 9按晶体管数目划分的集成电路规模按晶体管数目划分的集成电路规模 按集成度分类按集成度分类2022-4-2226 单
19、片集成电路单片集成电路 是指电路中所有的元器件都制作在同一块半导体基片上的集成电路。在半导体集成电路中最常用的半导体材料是硅,除此之外还有GaAs等。 混合集成电路混合集成电路 厚膜集成电路 薄膜集成电路按使用的基片材料分类按使用的基片材料分类2022-4-2227 数字集成电路数字集成电路(Digital IC)(Digital IC): 是指处理数字信号的集成电路,即采用二进制方式进行数字计算和逻辑函数运算的一类集成电路。 模拟集成电路模拟集成电路(Analog IC)(Analog IC): 是指处理模拟信号(连续变化的信号)的集成电路, 通常又可分为线性集成电路和非线性集成电路 : 线
20、性集成电路:又叫放大集成电路,如运算放大器、电压比较器、跟随器等。 非线性集成电路:如振荡器、定时器等电路。 数模混合集成电路数模混合集成电路(Digital - Analog IC) (Digital - Analog IC) : 例如 数模(D/A)转换器和模数(A/D)转换器等。按电路的功能分类按电路的功能分类2022-4-2228v 标准通用集成电路标准通用集成电路 通用集成电路是指不同厂家都在同时生产的用量极通用集成电路是指不同厂家都在同时生产的用量极大的标准系列产品。这类产品往往集成度不高,然而社大的标准系列产品。这类产品往往集成度不高,然而社会需求量大,通用性强。会需求量大,通用
21、性强。v 专用集成电路专用集成电路 根据某种电子设备中特定的技术要求而专门设计的根据某种电子设备中特定的技术要求而专门设计的集成电路简称集成电路简称ASICASIC,其特点是集成度较高功能较多,功,其特点是集成度较高功能较多,功耗较小,封装形式多样。耗较小,封装形式多样。按应用领域分类按应用领域分类2022-4-2229v“自底向上自底向上”(Bottom-upBottom-up) “自底向上自底向上”的设计路线,即自工艺开始,先进行的设计路线,即自工艺开始,先进行单元设计,在精心设计好各单元后逐步向上进行功能块、单元设计,在精心设计好各单元后逐步向上进行功能块、子系统设计,直至最终完成整个系
22、统设计。在模拟子系统设计,直至最终完成整个系统设计。在模拟ICIC和较和较简单的数字简单的数字ICIC设计中,大多仍采用设计中,大多仍采用“自底向上自底向上”的设计方的设计方法法 。v“自顶向下自顶向下”(Top-downTop-down) 其设计步骤与其设计步骤与“自底向上自底向上”步骤相反。设计者首先步骤相反。设计者首先进行行为设计;其次进行结构设计;接着把各子单元转换进行行为设计;其次进行结构设计;接着把各子单元转换成逻辑图或电路图;最后将电路图转换成版图。成逻辑图或电路图;最后将电路图转换成版图。1.31.3集成电路设计步骤集成电路设计步骤2022-4-2230VLSIVLSI数字数字
23、ICIC的设计流图的设计流图 模拟模拟ICIC的设计流图的设计流图 2022-4-2231全定制方法(全定制方法(Full-Custom Design ApproachFull-Custom Design Approach)半定制方法(半定制方法(Semi-Custom Design ApproachSemi-Custom Design Approach)定制法定制法 可编程逻辑器件(可编程逻辑器件(PLDPLD:Programmable Logic DeviceProgrammable Logic Device)设计方设计方法法 1.4 1.4 集成电路设计方法集成电路设计方法2022-4-
24、2232 全定制集成电路(全定制集成电路(Full-Custom Design ApproachFull-Custom Design Approach)适用于要求得到最高速度、最低功耗和最省面积的芯片设计。适用于要求得到最高速度、最低功耗和最省面积的芯片设计。 即在晶体管的层次上进行每个单元的性能、面积的优化设计,每个晶体即在晶体管的层次上进行每个单元的性能、面积的优化设计,每个晶体管的布局管的布局/ /布线均由人工设计,并需要人工生成所有层次的掩膜(一般为布线均由人工设计,并需要人工生成所有层次的掩膜(一般为1313层掩膜版图)。对每个器件进行优化,芯片性能获得最佳,芯片尺寸层掩膜版图)。对
25、每个器件进行优化,芯片性能获得最佳,芯片尺寸最小。最小。一、全定制方法一、全定制方法2022-4-2233 全定制集成电路全定制集成电路 优点:优点:所设计电路的集成度最高所设计电路的集成度最高产品批量生产时单片产品批量生产时单片ICIC价格最低价格最低可以用于模拟集成电路的设计与生产可以用于模拟集成电路的设计与生产 缺点:缺点:设计复杂度高设计复杂度高/ /设计周期长设计周期长费用高费用高 应用范围应用范围集成度极高且具有规则结构的集成度极高且具有规则结构的ICIC(如各种类型的存储器芯片)(如各种类型的存储器芯片)对性能价格比要求高且产量大的芯片(如对性能价格比要求高且产量大的芯片(如CP
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