二次电源常用器件介绍课件.pptx

1、二次电源开发部 王丽二次电源常用二次电源常用IC二次电源常用二次电源常用MOSFET二次电源常用二极管二次电源常用二极管二次电源常用三极管二次电源常用三极管二次电源常用电容二次电源常用电容二次电源常用电阻二次电源常用电阻二次电源器件选型指导二次电源器件选型指导一、二次电源常用电路图（典型单端正激电路）一、二次电源常用电路图（典型单端正激电路）组成部分晶体管 IC电容电阻PCB磁性元件结构件 包装料本价格(元)19.69.112.90.914.014.25.00.676.2占生产成本的比率25.7%11.9%16.9%1.2%18.4%18.6%6.6%0.7%100.0%晶体管25%IC12%

2、电容17%电阻1%PCB18%磁性元件19%结构件7%包装1%二次电源常用二次电源常用IC二次电源常用二次电源常用MOSFET二次电源常用二极管二次电源常用二极管二次电源常用三极管二次电源常用三极管二次电源常用电容二次电源常用电容二次电源常用电阻二次电源常用电阻二次电源器件选型指导二次电源器件选型指导一、一、PWM控制芯片控制芯片(隔离模块隔离模块)1、39110096 PWM控制芯片控制芯片-3843-PWM控制芯片控制芯片-可调整可调整-SO82、39110302 PWM控制器控制器-ISL6843-电流型电流型-单端输出单端输出-SO8-有铅工有铅工艺艺-BiCMOS工艺工艺3、3911

3、0189 PWM控制芯片控制芯片-38C43-PWM控制芯片控制芯片-可调整可调整-SOIC8 4、39110309 PWM控制器控制器-LM5025A-电压型电压型-有源嵌位输出有源嵌位输出- TSSOP165、39110314 PWM控制器控制器-LM5034-电流型电流型-双路有源嵌位输出双路有源嵌位输出-TSSOP20-ROHS-多功能集成多功能集成一、一、PWM控制芯片控制芯片(非隔离模块非隔离模块)6、39110225 PWM控制芯片-SP6120EY-同步BUCK型控制器-TSSOP16（注：AVN20B降压系列使用）7、 39110246 PWM控制芯片-MIC2185BM-同

4、步BOOST型控制器-SOIC16（注：AVN20B升压使用） 二次电源二次电源PWM芯片选用发展趋势：高速、低功耗；功能强大芯片选用发展趋势：高速、低功耗；功能强大集成度更高，尽量减少模块外围器件数量，提高电源的功率集成度更高，尽量减少模块外围器件数量，提高电源的功率密度。为了实现向外部通讯等功能，也有向数字化方向发展的密度。为了实现向外部通讯等功能，也有向数字化方向发展的趋势。趋势。二、基准二、基准.1.24V基准系列基准系列1.39110272 电压基准源电压基准源-AZ431L-分流可调型分流可调型-1.24V-0.5%-SOT-23-18Vmax-0.1mAmin2.39110252

5、 电压基准源电压基准源-HA17L431A-可调基准可调基准-1.24V-1%-16Vmax-1mAmin-SOT23-5 3.39110217 电压基准源电压基准源-LM4041-固定基准固定基准-1.225V-0.5%-SOT-234.39110154 电压基准源电压基准源-HA17L431-可调基准可调基准-1.24V-1.5%-SOT-89 （MD）二、基准二、基准.2.5V基准系列基准系列1、 39110268 电压基准源电压基准源-HA17431H-分流可调型分流可调型-2.5V-1%-SOT-23-36Vmax-1mAmin2、39110224 电压基准源电压基准源-SPX243

6、1-可调基准可调基准-2.5V-1%-SOT-233、39110251 电压基准源电压基准源-SPX431B-可调基准可调基准-2.5V-1%-37Vmax-1mAmin-SOT-894、39110097 电压基准源电压基准源-HA17431-可调基准可调基准-2.5V-3%-SOT-89 (MD)l二次电源基准选用发展趋势：高精度、小封装、低功耗。二次电源基准选用发展趋势：高精度、小封装、低功耗。三、运放三、运放1、39080072 运算放大器运算放大器-LM2904DGKR-双双-通用运放通用运放-7mV-0.7MHz-0.3V/us-VSSOP82、39080058 运算放大器运算放大器

7、-TS321I-单运放单运放-SOT23-53、39080026 运算放大器运算放大器-MC33172D-低功率单电源双运算放大器低功率单电源双运算放大器-SO-84、39080011 运放运放-LM358-低噪声双运放低噪声双运放-SOIC8(Tape)5、39080003 运算放大器运算放大器-LM324D-四运放四运放-SOP14二次电源运放选用发展趋势：低功耗、小封装，随着开关电二次电源运放选用发展趋势：低功耗、小封装，随着开关电源频率的增大，要求运放响应速率快和频带宽。源频率的增大，要求运放响应速率快和频带宽。四、光耦四、光耦1、39100025 光耦光耦-单路单路-三极管输出无基极

8、三极管输出无基极-CTR100300-tp2/3S-3750Vac-SOP42、39100056 光耦光耦-双路双路-三极管输出无基极三极管输出无基极-CTR100200-tp5/4uS-2500Vac-SOP83、39100068 光耦光耦-PS2801-单路单路-三极管输出无基极三极管输出无基极-CTR150300-tp3S-tp5S-2500-HSO4-UL-无无二次电源光耦选用趋势：二次电源光耦选用趋势：响应速度快、小封装，为了设计方便，尽量减少光耦的光电响应速度快、小封装，为了设计方便，尽量减少光耦的光电传输比的范围。传输比的范围。五、五、ICIC常用封装知识常用封装知识SOP-16

9、SOT-89TSSOP-20SOP-8TSOP6SOT-23SC-70SOT-23-5 Micro8Time199520002005六、六、IC解剖内部解剖内部（以（以MIC38C43为例）为例）二次电源常用二次电源常用IC二次电源常用二次电源常用MOSFET二次电源常用二极管二次电源常用二极管二次电源常用三极管二次电源常用三极管二次电源常用电容二次电源常用电容二次电源常用电阻二次电源常用电阻二次电源器件选型指导二次电源器件选型指导一、原边一、原边MOS管介绍管介绍1、15060175 绝缘栅场效应管绝缘栅场效应管-N沟道沟道-150V-6.7A-0.050-20V-PowerPAK SO-8

10、-ROHS2、15060088 场效应管场效应管- 200V/18A/0.15/20V/D2PAK3、15060045 场效应管场效应管-200V/7A/0.40/30V/TO-252(DPAK)4、15060116 场效应管场效应管- 200V/20A/130m/20V/DPAK5、15060146 绝缘栅场效应管绝缘栅场效应管-N沟道沟道-200V-4ATc=25- 0.065typ.Vgs=10V-20V-SO-8二次电源二次电源MOSFET的选用趋势：的选用趋势：1、低的导通电阻、低的导通电阻R(vds)on和栅极电荷和栅极电荷Qg,综合考虑两者的影响。综合考虑两者的影响。2、小封装，

11、散热效果好，低功耗，高可靠性。、小封装，散热效果好，低功耗，高可靠性。二、副边二、副边MOS管介绍管介绍1、15060184 绝缘栅场效应管绝缘栅场效应管-N 沟道沟道-30V-50A-2.2m-20V-P-TDSON-82、15060177 绝缘栅场效应管绝缘栅场效应管-N 沟道沟道-30V-40A-4.2 m-20V-WPAK3、 15060105 场效应管场效应管/30V/140A/6m/16V-D2PAK4、15060114 场效应管场效应管/30V/13A/8m/20V/SO-85、15060122 场效应管场效应管-30V-15A-4m-20V-SO-86、15060128 场效应

12、管场效应管/30V/13A/8.5m/25V/SO-8三、三、MOS管封装介绍管封装介绍D2PAKDPAKSO-8LFPAKSMBSMASOT-89SOT-23SC75TimePowerPAK199520002005六、六、MOSFET解剖内部图解剖内部图（以以AVQ100中中PSMN130-200DPSMN130-200D为例为例）二次电源常用二次电源常用IC二次电源常用二次电源常用MOSFET二次电源常用二极管二次电源常用二极管二次电源常用三极管二次电源常用三极管二次电源常用电容二次电源常用电容二次电源常用电阻二次电源常用电阻二次电源器件选型指导二次电源器件选型指导一、功率二级管一、功率二

13、级管1.15010217 肖特基二极管肖特基二极管-100V-2*6A-0.65V-DPAK2.15010185 肖特基二极管肖特基二极管-35V/25A/0.55V-D2PAK3.15010183 肖特基二极管肖特基二极管-100V/2*10A/0.64V-D2PAK4.15010182 二极管二极管-35V/2*5A/0.41V/125-DPAK二次电源功率二极管的选用趋势：二次电源功率二极管的选用趋势：1、由于二次电源输出电压不断下降，目前多使用同步整流、由于二次电源输出电压不断下降，目前多使用同步整流技术，功率二极管的使用多出现在一些高压输出的产品中技术，功率二极管的使用多出现在一些高

14、压输出的产品中，所以应用范围较窄。，所以应用范围较窄。2、小封装，散热效果好，通态压降低。、小封装，散热效果好，通态压降低。二、信号二极管二、信号二极管1、15010231 开关二极管开关二极管-70V/0.2A/4nS/SOT323/共阴共阴-ROHS2、15010151 开关二极管开关二极管-200V/2*125mA/1.00V/50ns/并联并联- SOT1433、15010040 开关二极管开关二极管/70V/0.2A/6ns/共阳共阳/SOT-234、15010041 开关二极管开关二极管-70V/0.2A/6nS/SOT-23/共阴共阴 5、15010042 开关二极管开关二极管/

15、70V/0.2A/4ns/SOT-23二次电源二极管和三极管的选用趋势：二次电源二极管和三极管的选用趋势：1 1、此类器件不断地向高性能方向发展，包括大电流，低损耗，高增益，、此类器件不断地向高性能方向发展，包括大电流，低损耗，高增益，宽频率响应，低热阻。宽频率响应，低热阻。2 2、由小封装向微封装方向过渡。、由小封装向微封装方向过渡。一、信号三极管一、信号三极管1.15050026 NPN三极管三极管-40V/0.6A/350mW/SOT-232.15050072 PNP三极管三极管/40V/600mA/0.35W/SOT-233.15050099 NPN三极管三极管/20V/2.5A/62

16、5mW/SOT-23(MD)4.15050100 PNP三极管三极管/20V/1.5A/625mW/SOT-23(MD)5.15050142 NPN三极管三极管/40V/1A/300mW/SOT236.15050144 PNP三极管三极管/40V/1A/300mW/SOT237.15050098 NPN三极管三极管/80V/1A/1W/SOT-898.15050141 PNP三极管三极管/80V/1A/1W/SOT-89二次电源常用二次电源常用IC二次电源常用二次电源常用MOSFET二次电源常用二极管二次电源常用二极管二次电源常用三极管二次电源常用三极管二次电源常用电容二次电源常用电容二次电源

17、常用电阻二次电源常用电阻二次电源器件选型指导二次电源器件选型指导一、瓷片电容一、瓷片电容I 高压电容：用于隔离和输入高压电容：用于隔离和输入1、 08070439 片状电容器片状电容器-2KV-1000pF20%-X7R-1206-高压电容高压电容2、 08070437 片状电容器片状电容器-2KV-3300pF10%-X7R-1812-高压电容高压电容3、08070580 片状陶瓷电容器片状陶瓷电容器-100V-1u-10%-X7R-1210-4、08070438 片状电容片状电容-100V-0.68uF10%-X7R-18125、08070511 片状陶瓷电容器片状陶瓷电容器-100V-0

18、.47uF-10%-X7R-1210-ROHS二次电源电容发展趋势：二次电源电容发展趋势：l高压电容方面，目前我司正在逐步淘汰大尺寸瓷片电容如高压电容方面，目前我司正在逐步淘汰大尺寸瓷片电容如1812，向，向小尺寸如小尺寸如1210、1206转移，原因是转移，原因是1812电容在成本和质量两方面都电容在成本和质量两方面都存在问题。存在问题。一、瓷片电容一、瓷片电容II 低压电容：用于输出滤波低压电容：用于输出滤波1、 08070584 片状陶瓷电容器片状陶瓷电容器-25V-10uF-10%-X7R-1210-ROHS2、 08070422 片状电容器片状电容器-25V-10F10%-X5R-1

19、812-ROHS3、08070590 片状陶瓷电容器片状陶瓷电容器-16V-10uF-10%-X7R-1210-ROHS4、08070613 片状陶瓷电容器片状陶瓷电容器-10V-22uF-20%-X7R-1210-ROHS-5、08070585 片状陶瓷电容器片状陶瓷电容器-10V-10uF-10%-X7R-1206-ROHS6、08070601 片状陶瓷电容器片状陶瓷电容器-6.3V-100uF-20%-X6S-1210-二次电源电容发展趋势：二次电源电容发展趋势：l瓷片电容特点是精度高；温度、耐压特性好。缺点是容量很难做大瓷片电容特点是精度高；温度、耐压特性好。缺点是容量很难做大，大部分

20、应用需要多个并联试用。目前业界不断在往大容量方面发，大部分应用需要多个并联试用。目前业界不断在往大容量方面发展。展。二、钽电容二、钽电容1、08020083 片状钽电容器片状钽电容器-10V-220F20%-7.3*4.3*3.1-Low ESR2、08020085 片状钽电容器片状钽电容器-6.3V-220F20%-7.3*4.3*2.8-Low ESR3、08020070 片状钽电容器片状钽电容器-25V-33F20%-7.3*4.3*4.0(2.8)-Low ESR4、08020087 片状钽电容片状钽电容-35V-33uF20%-7.3*4.3*4.1-低低ESR5、08020093

21、钽电容器钽电容器-4V-330F-20%-高分子高分子-7.3*4.3*2.8(mm)-40m6、08020084 钽电容器钽电容器-2.5V-470uF-20%-有机聚合物有机聚合物-7.3*4.3*3.0-40m二次电源电容发展趋势：二次电源电容发展趋势：l坦电容的特点是坦电容的特点是ESR小，容量大。近期还有有机高分子固体小，容量大。近期还有有机高分子固体铝电容出现，可以提供更小的铝电容出现，可以提供更小的ESR，更加优良的性能。更加优良的性能。一、特殊用途电阻一、特殊用途电阻1、07090691 片状电阻器片状电阻器-1W-5.6m1%-2512(分流器）分流器）2、07091014

22、片状厚膜电阻器片状厚膜电阻器-1W-10m-1%-25123、07050021 热敏电阻热敏电阻-47k5%-NTC-0805二、普通电阻二、普通电阻1、07090581 片状电阻器片状电阻器-1/10W-3301%-08052、07090362 片状电阻器片状电阻器-1/10W-751%-08053、07090257 片状电阻器片状电阻器-1/16W-100k5%-06034、07090275 片状电阻器片状电阻器-1/10W-4705%-06035、07090980 片状厚膜电阻器片状厚膜电阻器-1/16W-1K1%-0402二次电源电阻发展趋势：二次电源电阻发展趋势：小封装小封装(由由0

23、603逐步过渡到逐步过渡到0402），精度高，品种齐全。），精度高，品种齐全。二次电源常用二次电源常用IC二次电源常用二次电源常用MOSFET二次电源常用二极管二次电源常用二极管二次电源常用三极管二次电源常用三极管二次电源常用电容二次电源常用电容二次电源常用电阻二次电源常用电阻二次电源器件选型指导二次电源器件选型指导一、器件降额应用原则一、器件降额应用原则 降额应用可以降低器件的失效率，提高产品可靠性降额应用可以降低器件的失效率，提高产品可靠性 例如：例如： 钽电容如果电压降额钽电容如果电压降额5050使用，失效率将下降使用，失效率将下降150150倍！倍！ 铝电解电容温度每升高铝电解电容温度

24、每升高1010，寿命将缩短一半！，寿命将缩短一半！ 半导体器件结温每升高半导体器件结温每升高404050 50 ，寿命将下降一个数量级！，寿命将下降一个数量级！1、器件使用时要注意降额，但同时注意降额要适度，否则会引起成本的、器件使用时要注意降额，但同时注意降额要适度，否则会引起成本的增加。增加。2、结温降额是各类器件降额的重点。、结温降额是各类器件降额的重点。3、注意分析器件在异常状态下的降额状态。、注意分析器件在异常状态下的降额状态。二、器件替代原则二、器件替代原则1、器件替代原因：引入竞争，降低采购成本。、器件替代原因：引入竞争，降低采购成本。 引入第二供应商，降低采购风险。引入第二供应

25、商，降低采购风险。2、对通用器件，在电路设计时尽量减小对电参数的敏感性。、对通用器件，在电路设计时尽量减小对电参数的敏感性。 加大容差设计，利于器件的互为替代。加大容差设计，利于器件的互为替代。三、器件归一化原则三、器件归一化原则1、器件归一化的原因、器件归一化的原因器件归一化可以提高器件复用率，减少呆死料的发生。器件归一化可以提高器件复用率，减少呆死料的发生。器件归一化可以集中采购量，有利于与供应商进行价格谈判。器件归一化可以集中采购量，有利于与供应商进行价格谈判。器件归一化可以集中器件选型，共享优选电路。器件归一化可以集中器件选型，共享优选电路。2、器件归一化的途径、器件归一化的途径在产品

26、设计时，多参考二次电源优选器件库，尽量选择其中的优选器件。在产品设计时，多参考二次电源优选器件库，尽量选择其中的优选器件。四、尽量选用标准器件和通用器件，慎选新产品器件四、尽量选用标准器件和通用器件，慎选新产品器件和非标准器件。和非标准器件。1、 新产品器件的可靠性达不到成熟产的可靠性水平，甚至新产品器件的可靠性达不到成熟产的可靠性水平，甚至存在存在BUG，使公司成为器件供应商的试验场。使公司成为器件供应商的试验场。另外非标准器件往往是独家器件，容易产生采购风险。另外非标准器件往往是独家器件，容易产生采购风险。2 2、器件寿命周期分布、器件寿命周期分布器件的寿命周期通常被划分为三个阶段：早期寿

27、命（器件的寿命周期通常被划分为三个阶段：早期寿命（early life）使用寿命使用寿命( (useful life）和耗损期（和耗损期（wearout）。）。如下图所示的浴盆曲线清楚地表述了失效率如下图所示的浴盆曲线清楚地表述了失效率l l(t)在三个阶段的变化，我们要选取属于使用寿命期的器件。在三个阶段的变化，我们要选取属于使用寿命期的器件。失效率入(t)早 期 故 障 使 用 寿 命 期 USEFUL LIFE耗 损 期 可 靠 性 浴 盆 曲 线 时 间 t 0 入 0=1/MTBF同时器件的价格变化也遵循这样的曲线。即在器件生命周期初期的价格较高，成同时器件的价格变化也遵循这样的曲线。即在器件生命周期初期的价格较高，成熟期的价格不断下降至底谷，但生命周期末的价格也会上涨，直至停产。熟期的价格不断下降至底谷，但生命周期末的价格也会上涨，直至停产。3 3、注重器件制造技术的成熟性，选用生产厂家处于成长期和、注重器件制造技术的成熟性，选用生产厂家处于成长期和成熟期的主流产品，这样的主流器件往往也是成本降低的成熟期的主流产品，这样的主流器件往往也是成本降低的重点，有利于我们的成本优势。重点，有利于我们的成本优势。4 4、选择制造工艺水平高、质量控制能力强和产品质量信誉高、选择制造工艺水平高、质量控制能力强和产品质量信誉高的器件供应商。的器件供应商。 谢谢大家！谢谢大家！