晶体管及放大电路基础课件.pptx
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- 晶体管 放大 电路 基础 课件
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1、2.1.1 晶体管的结构BECNNP基极基极发射极发射极集电极集电极NPN型型PNP集电极集电极基极基极发射极发射极BCEPNP型型BECNNP基极基极发射极发射极集电极集电极基区:较薄,基区:较薄,掺杂浓度低掺杂浓度低集电区:集电区:面积较大面积较大发射区:掺发射区:掺杂浓度较高杂浓度较高三个极,三个区BECNNP基极基极发射极发射极集电极集电极发射结发射结集电结集电结两个结2.1.2 晶体管的电流放大原理1. 三极管放大的条件三极管放大的条件内部内部条件条件发射区掺杂浓度高发射区掺杂浓度高基区薄且掺杂浓度低基区薄且掺杂浓度低集电结面积大集电结面积大外部外部条件条件发射结正偏发射结正偏集电结
2、反偏集电结反偏2. 满足放大条件的三种电路满足放大条件的三种电路uiuoCEBECBuiuoECBuiuo共发射极共发射极共集电极共集电极共基极共基极实现电路实现电路:3. 三极管内部载流子的传输过程三极管内部载流子的传输过程1) ) 发射区向基区注入多子电子,发射区向基区注入多子电子, 形成发射极电流形成发射极电流 IE。I CN多数向多数向 BC 结方向扩散形成结方向扩散形成 ICN。IE少数与空穴复合,形成少数与空穴复合,形成 IBN 。I BN基区空基区空穴来源穴来源基极电源提供基极电源提供( (IB) )集电区少子漂移集电区少子漂移( (ICBO) )I CBOIB即:即:IB =
3、IBN ICBO 2) )电子到达基区后电子到达基区后( (基区空穴运动因浓度低而忽略基区空穴运动因浓度低而忽略) )I CNIEI BNI CBOIB 3) ) 集电区收集扩散过集电区收集扩散过 来的载流子形成集来的载流子形成集 电极电流电极电流 ICICI C = ICN + ICBO 4. 三极管的电流分配关系三极管的电流分配关系定义:定义:ECNII 其值的大小约为其值的大小约为0.90.90.990.99。 ECBOECIIII(1)(1)IC与与I E之间的关系之间的关系:所以所以:ECIIIE =IC+IBCBOECIII BCEIIICBOBCCBOECIIIIII)( CBO
4、BC111III BCEOBCIIII 1CBOCBOCEO)1 (11III用用IB来表示来表示IE,则可得到共集电极电路的电,则可得到共集电极电路的电流分配关系:流分配关系:CEOBE )1(III BE )1(II IE = IC + IBCEOBCIII BCEIII BC II BE )1(II CEOBE )1(III 2.1.3 晶体三极管的特性曲线晶体三极管的特性曲线一、输入特性一、输入特性输入输入回路回路输出输出回路回路常数常数 CE)(BEBuufi0CEu若:与二极管特性相似与二极管特性相似BEuBiO0CE uV 1CE u0CE uV 1CE u特性基本特性基本重合重
5、合( (电流分配关系确定电流分配关系确定) )特性右移特性右移( (因集电结开始吸引电子因集电结开始吸引电子) )导通电压导通电压 UBE( (on) )硅管:硅管: (0.6 0.8) V锗管:锗管: (0.2 0.4) V取取 0.7 V取取 0.3 V二、输出特性二、输出特性常数常数 B)(CECiufiiC / mAuCE /V50 A40 A30 A20 A10 AIB = 0O 2 4 6 8 43211. 截止区:截止区: IB 0 IC = ICEO 0条件:条件:两个结反偏两个结反偏截止区截止区ICEOiC / mAuCE /V50 A40 A30 A20 A10 AIB =
6、 0O 2 4 6 8 43212. 放大区:放大区:CEOBCIII 放大区放大区截止区截止区条件:条件: 发射结正偏发射结正偏 集电结反偏集电结反偏特点:特点: 水平、等间隔水平、等间隔ICEOiC / mAuCE /V50 A40 A30 A20 A10 AIB = 0O 2 4 6 8 43213. 饱和区:饱和区:uCE u BEuCB = uCE u BE 0条件:两个结正偏条件:两个结正偏特点:特点:IC IB临界饱和时:临界饱和时: uCE = uBE深度饱和时:深度饱和时:0.3 V ( (硅管硅管) )UCE( (SAT) )= =0.1 V ( (锗管锗管) )放大区放大
7、区截止区截止区饱饱和和区区ICEO输出特性三个区域的特点输出特性三个区域的特点:(1)放大区:放大区:发射结正偏,集电结反偏。发射结正偏,集电结反偏。 即:即: IC= IB , 且且 IC = IB(2) 饱和区:饱和区:发射结正偏,集电结正偏。发射结正偏,集电结正偏。 即:即:UCE UBE , IBIC,UCE = UCES 0.3V (3) 截止区:截止区: 发射结反偏,集电结反偏。发射结反偏,集电结反偏。 UBE 死区电压,死区电压, IB=0 , IC=ICEO 0 例:例: =50, USC =12V, RB =70k , RC =6k 当当USB = -2V,2V,5V时,时,
8、晶体管的静态工作点晶体管的静态工作点Q位位于哪个区?于哪个区?当当USB =-2V时:时:ICUCEIBUSCRBUSBCBERCUBEmA2612maxCSCCRUIIB=0 , IC=0IC最大饱和电流:最大饱和电流:Q位于截止区位于截止区 例:例: =50, USC =12V, RB =70k , RC =6k 当当USB = -2V,2V,5V时,时,晶体管的静态工作点晶体管的静态工作点Q位位于哪个区?于哪个区?IC Icmax(=2 mA), Q位于饱和区。位于饱和区。(实际上,此时实际上,此时IC和和IB 已不是已不是 的关系)的关系)mA061070705.RUUIBBESBB5
9、mA03mA061050.IIBC前面的电路中,三极管的发射极是输入输出的前面的电路中,三极管的发射极是输入输出的公共点,称为共射接法,相应地还有共基、共公共点,称为共射接法,相应地还有共基、共集接法。集接法。共射直流电流放大倍数:共射直流电流放大倍数:BCII_工作于动态的三极管,真正的信号是叠加在工作于动态的三极管,真正的信号是叠加在直流上的交流信号。基极电流的变化量为直流上的交流信号。基极电流的变化量为 IB,相应的集电极电流变化为相应的集电极电流变化为 IC,则则交流电流放交流电流放大倍数大倍数为:为:BIIC1. 电流放大倍数电流放大倍数和和 _例:例:UCE=6V时时:IB = 4
10、0 A, IC =1.5 mA; IB = 60 A, IC =2.3 mA。5 .3704. 05 . 1_BCII4004. 006. 05 . 13 . 2BCII在以后的计算中,一般作近似处理:在以后的计算中,一般作近似处理: =例2、下面三极管工作在放大区,试判断是硅管还是锗管,是NPN型还是PNP型,并指出三极管的三个极分别是哪一个。3V2.3V6VNPN型PNP型要保证三极管工作在放大区,必须使发射结正偏,集电结反偏。对NPN型来说,就是必须使UbUe,UbUbUe对PNP型来说,就是必须使UbUc即:UeUbUc发射结正偏,所以发射结发射结两端的电压硅管相差0.7V,锗管相差0
11、.20.3V。-1.2V -1V-3VNNPNPP例:测量三极管三个电极对地电位如图例:测量三极管三个电极对地电位如图 03.0903.09所示,试判断三极管的工作状态。所示,试判断三极管的工作状态。 放大截止饱和例:用数字电压表测得例:用数字电压表测得VB =4.5 V 、VE = 3.8 V 、VC =8 V,试判断三极管的工作状态,试判断三极管的工作状态。放大状态放大状态0CBOIECII1、直流参数(1)共基极直流电流放大系数(2)共射极电流放大系数0CBOIBCII(3)集电极-基极间反向饱和电流 ICBO(4)集电极-发射极间反向饱和电流 ICEOECii2、交流参数(1)共基极交
12、流电流放大系数(2)共射极电流放大系数BCii3、极限参数、极限参数(1) ICM 集电极最大允许电流,超过时集电极最大允许电流,超过时 值明显降低。值明显降低。(2) PCM 集电极最大允许功率损耗集电极最大允许功率损耗 PC = iC uCE。iCICMU(BR)CEOuCEPCMOICEO安安全全 工工 作作 区区U( (BR) )CBO 发射极开路时发射极开路时 C、B 极极间反向击穿电压。间反向击穿电压。(3) U( (BR) )CEO 基极开路时基极开路时 C、E 极极间反向击穿电压。间反向击穿电压。U( (BR) )EBO 集电极极开路时集电极极开路时 E、B 极极间反向击穿电压
13、。间反向击穿电压。U( (BR) )CBO U( (BR) )CEO U( (BR) )EBO结结偏置偏置工作状态工作状态各极电流各极电流电流关系电流关系工作状态工作状态CCCESBScVUIR各位各位电位电位工作状态工作状态Rs放大电路放大电路IoIi+Vo+Vs+ViRL信号源信号源负载负载双口网络双口网络ioVVAV 直流电源直流电源ioIIAI )(io IVAR)S(ioVIAG Rs放大电路放大电路IoIi+Vo+Vs+ViRL信号源信号源负载负载Rs+Vi+Vo+RLVsRs+VsVi+Vo+RiRLRs+VsVi+Vo+RiRLViAVORs+VsVi+RoVo+RiRLViA
14、VOOVAiRoRLoLiOoRRRVAVV ioVVAV LoLORRRAV LR VALoRR 0o RRs+VsVi+RoVo+RiRLViAVOsiRR sisiiVRRRV iRRs放大电路放大电路IoIi+Vo+Vs+ViRLRs+VsVi+RoVo+RiRLViAVO(2) 输入电阻输入电阻ri放大电路一定要有前级(信号源)为其提供信号,放大电路一定要有前级(信号源)为其提供信号,那么就要从信号源取电流。那么就要从信号源取电流。输入电阻输入电阻是衡量放大是衡量放大电路从其前级取电流大小的参数。输入电阻越大,电路从其前级取电流大小的参数。输入电阻越大,从其前级取得的电流越小,对前级
15、的影响越小。从其前级取得的电流越小,对前级的影响越小。AuIiUSUiiiiIUr (1)电压放大倍数)电压放大倍数AuiouUUA |Ui 和和Uo 分别是输入和输出电压分别是输入和输出电压的有效值。的有效值。5、电路的主要参数(3) 输出电阻输出电阻roAuUS放大电路对其放大电路对其负载负载而言,相当于信号源,我们而言,相当于信号源,我们可以将它等效为戴维南等效电路,这个戴维南可以将它等效为戴维南等效电路,这个戴维南等效电路的内阻就是输出电阻。等效电路的内阻就是输出电阻。roUS如何确定电路的输出电阻如何确定电路的输出电阻ro ?步骤:步骤:1. 所有的电源置零所有的电源置零 (将独立源
16、置零,保留受控源将独立源置零,保留受控源)。2. 加压求流法。加压求流法。UIIUro方法一:方法一:计算。计算。方法二:方法二:测量。测量。Uo1. 测量开路电压。测量开路电压。roUs2. 测量接入负载后的输出电压。测量接入负载后的输出电压。LoooR)UU(r1roUsRLUo步骤:步骤:3. 计算。计算。(4) 通频带通频带fAuAum0.7AumfL下限截下限截止频率止频率fH上限截上限截止频率止频率通频带:通频带:fbw=fHfL放大倍数放大倍数随频率变随频率变化曲线化曲线符号规定符号规定UA大写字母、大写下标,表示直流量。大写字母、大写下标,表示直流量。uA小写字母、大写下标,表
17、示全量。小写字母、大写下标,表示全量。ua小写字母、小写下标,表示交流分量。小写字母、小写下标,表示交流分量。uAua全量全量交流分量交流分量tUA直流分量直流分量 三极管放三极管放大电路有大电路有三种形式三种形式共射放大器共射放大器共基放大器共基放大器共集放大器共集放大器以共射放以共射放大器为例大器为例讲解工作讲解工作原理原理放大元件放大元件iC= iB,工作在放大区,工作在放大区,要保证集电结反要保证集电结反偏,发射结正偏。偏,发射结正偏。uiuo输入输入输出输出参考点参考点RB+ECEBRCC1C2T集电极电源,集电极电源,为电路提供能为电路提供能量。并保证集量。并保证集电结反偏。电结反
18、偏。RB+ECEBRCC1C2T集电极电阻,集电极电阻,将变化的电流将变化的电流转变为变化的转变为变化的电压。电压。RB+ECEBRCC1C2T使发射结正偏,使发射结正偏,并提供适当的并提供适当的静态工作点。静态工作点。基极电源与基极电源与基极电阻基极电阻RB+ECEBRCC1C2T耦合电容耦合电容隔离输入输隔离输入输出与电路直出与电路直流的联系,流的联系,同时能使信同时能使信号顺利输入号顺利输入输出。输出。RB+ECEBRCC1C2T可以省去可以省去电路改进:采用单电源供电电路改进:采用单电源供电RB+ECEBRCC1C2T单电源供电电路单电源供电电路+ECRCC1C2TRB+ECRCC1C
19、2TRB+ECRCT直流通路直流通路RB+ECRCC1C2TRBRCTRBRCTRB交流通路练习:画出下图的直流通路和交流通路练习:画出下图的直流通路和交流通路RB1+ECRCC1C2RB2CERERLuiuoRB+ECC1C2RERLuiuo1、保证三极管工作在放大状态,即发射结正偏,集电、保证三极管工作在放大状态,即发射结正偏,集电结反偏结反偏2、保证输入信号能够输送进去、保证输入信号能够输送进去3、保证输出信号能够输送出来、保证输出信号能够输送出来 T VCC Rc vi + vo + (a) T +VCC Rc Rb vi + vo + + + (d)(b)(c) T -VCC Cb1
20、 Rc Cb2 Rb T VCC Cb1 Rc Cb2 VBB Rb vi + vo + TVBBCbRcRb(a)TVCCCb1RcCb2(b)(c) T -VCC Cb1 Rc Cb2 Rb T +VCC Cb1 Rc Cb2 Rb (d)(f)TVCCCb1RcCb2VBBRbT-VCCCb1RcCb2(e)由于电源的由于电源的存在存在IB 01、静态工作点、静态工作点RB+ECRCC1C2TIBQICQUBEQUCEQ( ICQ,UCEQ )(IBQ,UBEQ)RB+ECRCC1C2T(IBQ,UBEQ) 和和( ICQ,UCEQ )分别对应于输入输出分别对应于输入输出特性曲线上的一个
21、点称为静态工作点。特性曲线上的一个点称为静态工作点。IBUBEQIBQUBEQICUCEQUCEQICQ静态工作点有什么作用呢?同学们可以先想想,静态工作点有什么作用呢?同学们可以先想想,后面我们再讲解,这里先讲解如何求静态工作点。后面我们再讲解,这里先讲解如何求静态工作点。IBUBEQICUCEuCE怎么变化怎么变化假设假设uBE有一微小的变化有一微小的变化ibtibtictuit后面我们再讲解。后面我们再讲解。各点波形各点波形RB+ECRCC1C2uitiBtiCtuCtuotuiiCuCuoiBiBEBEuUubBBiIicCCiIiceCECEuUu(1)画直流通路)画直流通路开路开路
22、开路开路RB+ECRCC1C2T直流通道直流通道RB+ECRCUBEQ是固定值,硅管约为0.7V,锗管约为0.2V。为什么?BBECBRUEIBCRE7 . 0RB称为称为偏置电阻偏置电阻,IB称为称为偏偏置电流置电流。+EC直流通道直流通道RBRCIBUBEBCREICUCEUCE=ECICRC 。直流通道直流通道RB+ECRC(3)UCEIC满足什么关系?满足什么关系?A:IC=0,UCE=ECB:IC=EC/RC,UCE=0ICUCEECCCREQIBUCEQICQ这样就可以求出静态工作点了这样就可以求出静态工作点了(1)根据直流通道估算)根据直流通道估算IBIBUBEBBECBRUEI
23、BCRE7 . 0BCRERB称为称为偏置电阻偏置电阻,IB称为称为偏偏置电流置电流。+EC直流通道直流通道RBRC(2)根据直流通道估算)根据直流通道估算UCE、IBICUCECEOBCIIICCCCERIEUBI直流通道直流通道RBRC + vi iB Rb b c iC Rc VCC + vo RL iE Re Cb1 + Cb2 + e 例例1:放大电路如下图所示,估算:放大电路如下图所示,估算Q点。点。射极偏置射极偏置固定偏流固定偏流BEbBCCVRIV 输入输入回路回路KVL方程方程解:解:eEBEbBCCRIVRIV 即:即:bCCbBECCBRVRVVIebBECCB)1(RR
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