扫描探针显微镜精品PPT课件.ppt
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1、清华大学化学系表面与材料实验室1材料分析化学材料分析化学第第9讲讲扫描探针显微镜扫描探针显微镜2003.12.2清华大学化学系表面与材料实验室2 Scanning Probe Microscope,SPM 扫描隧道显微镜Scanning Tunneling Microscope, STM 原子力显微镜Atomic Force Microscope, AFM 激光力显微镜(LFM) 磁力显微镜(MFM) 静电力显微镜以及扫描热显微镜等清华大学化学系表面与材料实验室3 1972年发展了场发射形貌仪,针尖离样品表面10nm,高偏压,测量场发射电流; 1982年解决了维持狭缝稳定的技术;高分辨定位和扫
2、描技术;针尖与样品距离控制技术。 1982年第一台扫描隧道显微镜问世。它的问世,使人们第一次能够实时地观察到原子在物质表面的排列状态和与表面电子行为有关的物理化学性质,对表面科学、材料科学、生命科学和微电子技术的研究有着重大的意义和广阔的应用背景,被科学界公认是表面科学和表面现象分析的一次革命。 清华大学化学系表面与材料实验室4 控制探针在被检测样品的表面进行扫描,同时记录下扫描过程中探针尖端和样品表面的相互作用,就能得到样品表面的相关信息。 显然,利用这种方法得到被测样品表面信息的分辨率取决于控制扫描的定位精度和探针作用尖端的大小(即探针的尖锐度)清华大学化学系表面与材料实验室5STM的特点
3、 可以在环境气氛下进行如:大气,真空,溶液,反应性气氛等; 可以从低温到高温进行分析 可以获得原子级别的空间分辨率; 原子操纵工具,组装纳米结构清华大学化学系表面与材料实验室6STM原理遂穿过程扫描隧道显微镜的基本原理是基于量子的隧道效应。将原子线度的极细针尖和被研究物质的表面作为两个电极,当样品与针尖的距离非常接近时(通常小于0.1nm),在外加电场的作用下,电子会穿过两 个电极之间的绝缘层流向另一个电极,这种现象称为隧道效应。隧道电流强度对针尖与样品表面之间的距离非常敏感,如果距离小于0.1nm,电流将增加一个数量级。 清华大学化学系表面与材料实验室7 根据量子力学理论的计算和科学实验的证
4、明,当具有电位势差的两个导体之间的距离小到一定程度时,电子将存在一定的几率穿透两导体之间的势垒从一端向另一端跃迁? 这种电子跃迁的现象在量子力学中被称为隧道效应,而跃迁形成的电流叫做隧道电流? 之所以称为隧道,是指好象在导体之间的势垒中开了个电流隧道一样? 隧道电流有一种特殊的性质,既对两导体之间的距离非常敏感,如果把距离减少0.1纳米,隧道电流就会增大一个数量级。 清华大学化学系表面与材料实验室8 如图1所示,一个原子级锐利的针尖,相对于样品加一偏压,并位于样品表面1纳米处。由于穿过缝隙区域的真空势垒产生电子遂穿,在样品和针尖之间产生一个纳安级的电流。该电流随狭缝间距的增加,以指数形式降低。
5、 针尖的运动由在三个方向上的压电传感器控制,通过在传感器上加一定的电场,使之发生变形来推动针尖的移动。基本上每增加1V,就可以产生1nm左右的膨胀和收缩,从而使针尖在纳米量级移动。 假定电子态局域在每一个原子的位置上,则测量在表面上扫描的针尖的信号就可以给出表面原子结构图。 清华大学化学系表面与材料实验室9-模式结构可以用恒定电流模式画出,这时记录的是受反馈控制的针尖的上下运动,而在每一个xy位置上,隧道电流恒定不变。结构也可以用恒定高度模式画出,这时记录的是隧道电流随位置的变化,而针尖在表面之上保持恒定高度。恒高模式在高速扫描时使用,但要求表面很光滑时才能使用。对于粗糙表面的形貌,需要采用恒
6、流模式。清华大学化学系表面与材料实验室10清华大学化学系表面与材料实验室11 扫描隧道显微镜又叫STM,它的基本工作原理是利用探针与样品在近距离(0.1纳米)时,由于二者存在电位差而产生隧道电流,隧道电流对距离非常敏感; 当控制压电陶瓷使探针在样品表面扫描时,由于样品表面高低不平而使针尖与样品之间的距离发生变化,而距离的变化引起了隧道电流的变化; 控制和记录隧道电流的变化,并把信号送入计算机进行处理,就可以得到样品表面高分辨率的形貌图像? 清华大学化学系表面与材料实验室12 遂穿电阻与针尖垂直移动距离的关系: R(s)exp(A1/2s) A1.025eV-1-1,s为间距。结果见图7。 距离
7、越大,电阻越大,电流越小清华大学化学系表面与材料实验室13隧道电流的电子是从满态(或能带)过渡到未占态(或能带)的。隧道电压的方向决定了电子是从样品流向针尖还是从针尖流向样品。下图是相反偏压下的GaAs(110)表面上的STM像。由于接收隧道电子的局域原子轨道不同,正偏压像与负偏压像发生了位移。一个填满的孤对能带局域在As原子处,而未填充态与Ga原子相伴随。当偏压为1.9V的针尖越过As原子时,隧道电流达极大;而当偏压为1.9V的针尖越过Ga原子时,隧道电流也达到极大。若针尖停留在某一位置扫描,则针尖偏压就可以测出样品和针尖的局部态密度。清华大学化学系表面与材料实验室14清华大学化学系表面与材
8、料实验室15清华大学化学系表面与材料实验室16 STM要求扫描的范围从10nm 到1微米以上,可以用来观察原子水平的样品形貌。 图6为量子点的表面形貌图。 清华大学化学系表面与材料实验室17清华大学化学系表面与材料实验室18 STM通常被认为是测量表面原子结构的工具,具有直接测量原子间距的分辨率。 但必须考虑电子结构的影响,否则容易产生错误的信息。 其实,在考虑了遂穿过程以及样品表面与针尖的电子态的性质后,STM代表的应该是表面的局部电子结构和遂穿势垒的空间变化。清华大学化学系表面与材料实验室19 可以是恒流模式和恒高模式 图是样品和针尖的能级图。 可以通过理论计算出恒电荷密度的变化 清华大学
9、化学系表面与材料实验室20清华大学化学系表面与材料实验室21局部势垒高度 隧道电流的指数依赖关系取决于针尖样品间距和局部势垒高度。 在一般情况下假定局部势垒高度在整个扫描范围内为常数; 但当样品表面吸附的杂质会改变功函数,使得势垒高度降低。就会出现与形貌无关的结构在STM像中。 清华大学化学系表面与材料实验室22从遂穿到点接触模式的过渡 在密接的针尖表面距离内,除遂穿效应外,还存在两种传导模式:电子接触和点接触。 所谓电子接触是指当针尖接近样品到充分近的距离,以致影响了各自的波函数,导致在EF以上出现针尖诱发的亚能带。 点接触是指由于在EF以下产生亚能带,随着弹道输运起动,能量势垒崩塌。清华大
10、学化学系表面与材料实验室23 电极的态密度对隧道谱和隧道像有重要的影响。 隧道电流等值图表明电流局域于吸附原子,并由于吸附原子比衬底突出,而得到大大的增强。 此外,隧道电流随EF附近的态密度的增加而增加。计算发现S和P电子态的贡献最大,而d电子态几乎没有贡献。清华大学化学系表面与材料实验室24 电荷密度的分布反映了原子的起伏。通过在每一原子位置改变偏压,用STM记录I-V关系,就是扫描隧道谱(STS)方法。 STS可以测量表面上局部位置的能级,经过处理可以绘出单个表面电子态的位置。 STS可以用于半导体材料的表面与界面研究。 图11为隧道谱与针尖与样品距离的变化关系。清华大学化学系表面与材料实
11、验室25 STM是近场成像仪器,它基于原子级锐利的探针和样品表面之间的遂穿原理而运作。通过遂穿过程中针尖在表面上横向扫描,以恒流或恒高模式得到表面的原子像。 准确稳定的隧道结;要求具有很高的机械稳定性;热漂移必须补偿;具有高的抗震动和抗冲击的隔离性能。 STM的仪器原理框图见图12,仪器结构图见图13。主要利用压电器件进行细微调节,可以从0.5nm到几十微米。为了保证0.01nm的扫描精度,扫描电压的精度必须在3mv以上。 清华大学化学系表面与材料实验室26清华大学化学系表面与材料实验室27 STM能达到的横向分辨率,直接与针尖所具有的原子级的锐度有关。 表面起伏不平的振幅由下式给出。正比于e
12、xp(R+d),d为间隙距离,R为针尖半径,为逆衰减长度。 针尖表面的材料很重要,因为对谱的分析依赖于针尖和样品之间的联合态密度。 Pt,Pt-Ir,W等材料清华大学化学系表面与材料实验室28清华大学化学系表面与材料实验室29 STM探针的最尖端是非常尖锐的,通常只有一两个原子? 因为只有原子级锐度的针尖才能得到原子级分辨率的图象?正好比只有刻度精确的尺子才能测量得到精确的尺度一样? STM探针通常是用电化学的方法制作的?目前也有人用剪切的简单方法得到尖锐的针尖? 清华大学化学系表面与材料实验室30 STM的另一个重要器件,压电陶瓷?压电陶瓷是一种性能奇特的材料,当在压电陶瓷对称的两个端面加上
13、电压时,压电陶瓷会按特定的方向伸长或缩短?而伸长或缩短的尺寸与所加的电压的大小呈线形关系?也就是说,可以通过改变电压来控制压电陶瓷的微小伸缩? 如图12我们把三个分别代表X,Y,Z方向的压电陶瓷块组成三角架的形状?通过控制X,Y方向伸缩达到驱动探针在样品表面扫描的目的;通过控制 Z 方向压电陶瓷的伸缩达到控制探针与样品之间距离的目的? 清华大学化学系表面与材料实验室31STM的关键部件清华大学化学系表面与材料实验室32 导电样品:表面光滑,清洁 关于生物材料的样品制备 人们发现即使这些材料本质上是非导体,但是当它们被置于一个导电培养基上的薄膜时,微弱的隧道电流出现了。在培养基上得到图片的原理还
14、不甚清楚,但是有人认为培养基和上面的分子形成了一种混合状态,该状态是活泼的能量态和可以映射被吸附物的分子几何图象的电子分布状态的合成。在STM的实验中,用于培养基的最普通的材料是石墨,其他的层状物质如Mos2,WS2,mica等也可轻易地制备用来进行STM研究。 清华大学化学系表面与材料实验室33STM图像的解释 STM图像反映的是样品表面局域电子结构和隧穿势垒的空间变化,与表面原子核的位置没有直接关系,并不能将观察到的表面高低起伏简单地归纳为原子的排布结构; 针尖电子态的影响 STM图像是针尖电子态与样品表面局域电子态的卷积;清华大学化学系表面与材料实验室34STM的应用微电子学研究微电子器
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