熔体中的晶体生长技术提拉法课件.pptx
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1、& 4.3提拉法生长工艺提拉法生长工艺1提拉法生长设备介绍提拉法生长设备介绍2提拉法生长工艺介绍提拉法生长工艺介绍3提拉法生长晶体实例稀土镓石榴石提拉法生长晶体实例稀土镓石榴石4 提拉法生长晶体实例提拉法生长晶体实例 蓝宝石提拉晶体界面翻转的控制蓝宝石提拉晶体界面翻转的控制5 提拉法生长晶体实例提拉法生长晶体实例 单晶硅的缩颈工艺单晶硅的缩颈工艺6 提拉法生长晶体缺陷的形成与控制提拉法生长晶体缺陷的形成与控制7提拉法生长宝石晶体的鉴别提拉法生长宝石晶体的鉴别8几种宝石鉴别几种宝石鉴别提拉法生长仿祖母绿合成品提拉法生长无色蓝宝石1 提拉法提拉法生长设备生长设备介绍介绍YAG生长设备1.保温加热加
2、热系统系统3.坩锅传动系统气氛控制系统2.后热器后热器的后热器的主要作用主要作用是调节晶是调节晶体和熔体体和熔体之间的温之间的温度梯度度梯度。 2 提拉法生长工艺a生长过程生长过程。b直径自动控制直径自动控制。(ADC技术)技术)c材料挥发的控制材料挥发的控制。d 温场的选择与控制温场的选择与控制。e 生长速率的控制生长速率的控制。 3 提拉法生长晶体实例稀土镓石榴石(GGG) a生长过程生长过程b 直径自动控制(ADC)LlL晶体等径生长时对应的弯月面角为:当时,直径扩大;反之,缩小。0LL的大小取决与材料的性质,不为 的 意味着晶体与熔体之间是非完全浸润的。弯月面光反射法:back c材料
3、挥发的控制 高温下材料的挥发,改变了熔体的化学配比,造成熔体某成分的过剩,组分过冷的改变等一系列影响。因此,人们发展了液相覆盖技术和高压单晶炉覆盖技术和高压单晶炉。 覆盖物质应具有以下性质:密度小于熔体的密度,透明,对熔体、坩埚和气氛是化学惰性的,能够浸润晶体、熔体和坩埚,并具有较大的粘度。目前,最好的覆盖物质是熔融的B2O3back d 温场的选择与控制 为克服组分过冷,需要有大的温度梯度;为防止为克服组分过冷,需要有大的温度梯度;为防止开裂、应力和降低位错密度,需要小的温度梯度开裂、应力和降低位错密度,需要小的温度梯度。因此,所谓合适的温场没有一个严格的判据。 一般来说,对于掺质的需要大的
4、温度梯度(特别是一般来说,对于掺质的需要大的温度梯度(特别是界面处);而不掺质的或者容易开裂的,采用小的温界面处);而不掺质的或者容易开裂的,采用小的温度梯度度梯度。因此,合适的温场的选择和控制,只能根据材料特性作出初步判断,通过实验加以解决。加大温度梯度方法:缩小熔体和熔体上方空间的距离(轴向距离)减小温度梯度的方法:采用适当的后热器back e 生长速率的控制 提拉速度不能超过临界值提拉速度不能超过临界值,该临界值决定于材料的性质和生长参数。例如:晶体热导率Ks较高的材料比Ks较低的材料(氧化物或者是有机物)可有较大的生长率 。 生长参数:界面翻转、晶体内所允许的最大热应力 fp宏观生长率
5、fo大于晶体的提拉速率fo(R2/R2-r2)fp R和r分别为甘埚和晶体的半径。 max()(1)exp()()(1)eell BefD kkcTDfmckz对于掺质的材料max() ()sssKKTflz为晶体的对于纯材:导热率料maxf极限生长速率 :back 3 提拉法生长晶体实例稀土镓石榴石(GGG) 石榴石主要包括的六种矿物:石榴石主要包括的六种矿物: (1)镁铝榴石(Pyrope) ,也叫红榴石 (2)铁铝榴石(Almandine) ,也叫贵榴石 (3)锰铝榴石(Spessartite) (4)钙铝榴石(Grossular), 水钙铝榴石 (5)钙铁榴石(Andradite),含
6、Cr叫翠榴石 (6)钙铬榴石(Uvarovite) ,也叫绿榴石天然石榴石天然石榴石YIGYIG人工合成GGG 天然形成的石榴石主要是金属的硅酸盐 例如:Ca3Fe2SiO4 ,Mn3Al2SiO43 人工研制的石榴石,如钇铁石榴石(YIG)、钇铝石榴石(YAG)和钆镓石榴石(GGG)等. 以上三大类人工石榴石,即由稀士稀士(Yt,Nd)和铁、铝、镓铁、铝、镓(Ga)分别完全取代取代天然石榴石中的金属元素和硅金属元素和硅,所形成的稀土铁石榴石、稀土铝石榴石和稀土镓石榴石 在这三类稀土石榴石中,稀土铁石榴石(YIG)不透明,难以用作装饰品; 稀土铝石榴石(YAG)存在折射率不够高,不易掺质 稀土
7、镓石榴石(GGG)由于其本身的结构特点,不但能进行多种形式的掺质,而且通过辐照还可以形成稳定的色心,使其单晶体呈现绚丽多彩的漂亮颤色,最适宜作为装饰宝石材料。常用的掺质元素为:Cr,Co,Ni等过渡族元素氧化物和稀土Nd,Er的氧化物。 石榴石生长的主要方法在于原料的区别和是否考虑掺杂问题,一般生长过程包括以下几个方面: a 原料准备 b 保护气氛 c 生长条件 d 掺杂生长 e 晶体的透过率与颜色 a 原料准备:Ga2O3(氧化镓)Gd2O3(氧化钆)经过焙烧,脱水,按照比例配料,混合后经压机压紧后在1250进行固相反应,充分反应后的原料可供晶体生长使用。 b保护气氛:GGG的熔点为1750
8、摄氏度,一般采用铱坩埚,但铱坩埚存在氧化的问题。因此加入高纯氮气和2%的氩气。 c生长条件:提拉速度一般在5-10mm/h范围内。若掺质或生长大直径的晶体,要放慢生长速度。生长最合适的方向为111 d 掺杂生长:掺质生长存在一个分凝问题。分凝系数有的大于1有的小于1,因此掺质的浓度也不同。 e 晶体的透过率与颜色:纯GGG和掺杂Cr3纯GGG和掺杂Co3纯GGG和掺杂Nd3 4提拉法生长晶体实例 蓝宝石提拉晶体的放肩控制蓝宝石提拉晶体的放肩控制 蓝宝石单晶的应用非常广泛。以蓝宝石蓝宝石单晶的应用非常广泛。以蓝宝石单晶片作绝缘村底的集成芯片,航天工业作单晶片作绝缘村底的集成芯片,航天工业作红外透
9、光材料用得最多;工业中作宝石轴承、红外透光材料用得最多;工业中作宝石轴承、仪表等;人们生活中作宝石表面、装饰等。仪表等;人们生活中作宝石表面、装饰等。提拉法生长的蓝宝石单晶适用于红外、半导提拉法生长的蓝宝石单晶适用于红外、半导体发光及集成电路的大量需要。体发光及集成电路的大量需要。 原料:原料: 白色合成蓝宝石碎块白色合成蓝宝石碎块TiO2+Fe2O3, TiO2、Fe2O3配比视颜色而定。配比视颜色而定。 工艺参数:工艺参数:2050以上,转速:以上,转速:1015r/min ,提拉:提拉:110mm/h放肩过程中在放肩过程中在dtdt时间内凝固的晶体质量为:时间内凝固的晶体质量为:2222
10、2(2)/ 2/2(/)dmr dzrdrzvdz dtr dzdzrdrzzdm dtr vr d r dt式中:为高为的柱体的体积为高为 的锥环柱的体积21234exp(2)/rkk tkk解得: r表示放肩生长出晶体的半径。上面方程表明在拉速和熔体中温度梯度不变的情况下,肩部面积随时间接指数律增加。 这就要求拉晶工作者在晶体直径达到预定尺寸前就要考虑到肩部自发增长的倾向,提前采取措施。21234exp(2)/rkk tkkAl2O3放肩过程中可能出现的几种放肩过程中可能出现的几种情况情况5 提拉法生长晶体实例单晶硅的缩颈和收尾工艺单晶硅的缩颈和收尾工艺 实验发现,如果籽晶的质量不好,那么
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