碳化硅陶瓷的制备技术课件.pptx
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- 关 键 词:
- 碳化硅 陶瓷 制备 技术 课件
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1、碳化硅陶瓷的制备技术及应用碳化硅陶瓷的制备技术及应用一、碳化硅的前沿一、碳化硅的前沿二、二、SiC粉末的合成粉末的合成三、三、SiC的烧结方法的烧结方法四、反应烧结碳化硅的成型工艺四、反应烧结碳化硅的成型工艺五、碳化硅陶瓷的应用五、碳化硅陶瓷的应用1、前沿:、前沿: 碳化硅陶瓷材料具有高温强度大,碳化硅陶瓷材料具有高温强度大, 高温抗氧化性高温抗氧化性强、耐磨损性能好强、耐磨损性能好 ,热稳定性佳,热稳定性佳 ,热膨胀系数小,热膨胀系数小, 热导率大,热导率大, 硬度高硬度高 ,抗热震和耐化学腐蚀等优良特,抗热震和耐化学腐蚀等优良特性性. 在汽车、机械化工、环境保护、在汽车、机械化工、环境保护
2、、 空间技术、空间技术、 信信息电子息电子 、能源等领域有着日益广泛的应用,已经成为、能源等领域有着日益广泛的应用,已经成为一种在很多工业领域性能优异的其他材料不可替代的一种在很多工业领域性能优异的其他材料不可替代的结构陶瓷。结构陶瓷。碳化硅陶瓷的制备技术及应用碳化硅陶瓷的制备技术及应用2、 SiC粉末的合成:粉末的合成: SiC在地球上几乎不存在,仅在陨石在地球上几乎不存在,仅在陨石中有所发现。因此,工业上应用的中有所发现。因此,工业上应用的SiC粉粉末都为人工合成。目前,合成末都为人工合成。目前,合成SiC粉末的粉末的主要方法有:主要方法有: 1、Acheson法:法: 这是工业上采用最多
3、的合成方法,即用电将石英砂和焦炭的混合物加热至2500左右高温反应制得。因石英砂和焦炭中通常含有Al和Fe等杂质,在制成的SiC中都固溶有少量杂质。其中,杂质少的呈绿色,杂质多的呈黑色。 2、化合法:、化合法: 在一定的温度下,使高纯的硅与碳黑直接发生反应。由此可合成高纯度的SiC粉末。 3、热分解法:、热分解法:使聚碳硅烷或三氯甲基硅等有机硅聚合物在12001500的温度范围内发生分解反应,由此制得亚微米级的SiC粉末。 4、气相反相法:、气相反相法: 使SiCl4和SiH4等含硅的气体以及CH4、C3H8、等含碳的气体在高温下发生反应,由此制备纳米级的SiC超细粉。 3、SiC的烧结的烧结
4、 由于碳化硅陶瓷的高性能和在工业领域中由于碳化硅陶瓷的高性能和在工业领域中的广泛应用,的广泛应用,SiC的烧结一直是材料界研究的的烧结一直是材料界研究的热点,如何采用较简单的生产工艺在较低的温热点,如何采用较简单的生产工艺在较低的温度下制备得到高致密度的碳化硅陶瓷制品也是度下制备得到高致密度的碳化硅陶瓷制品也是研究者一直关心的课题;但由于碳化硅是一种研究者一直关心的课题;但由于碳化硅是一种共价性极强的共价键化合物共价性极强的共价键化合物,所以,所以 SiC 很难烧很难烧结,必须借助烧结助剂或外部压力才可能在结,必须借助烧结助剂或外部压力才可能在 2000以下实现致密化。以下实现致密化。 有研究
5、在有研究在2050和和 SiC+1%B4C+ 3%C体体系热压保温系热压保温45分钟工艺条件下,密度达到理论分钟工艺条件下,密度达到理论致密度的致密度的98.75% 。由于热压工艺自身的缺点。由于热压工艺自身的缺点而无法应用在商业化生产中,因此无压烧结成而无法应用在商业化生产中,因此无压烧结成了高性能碳化硅陶瓷工业化首选的制备方法。了高性能碳化硅陶瓷工业化首选的制备方法。3、碳化硅烧结反应工艺流程图、碳化硅烧结反应工艺流程图1、无压烧结、无压烧结 1974年美国GE公司通过在高纯度SiC细粉中同时加入少量的B和C,采用无压烧结工艺,于2020成功地获得高密度SiC陶瓷。目前,该工艺已成为制备S
6、iC陶瓷的主要方法。 最近,有研究者在亚微米SiC粉料中加入Al2O3和Y2O3,在18502000温度下实现SiC的致密烧结。由于烧结温度低而具有明显细化的微观结构,因而,其强度和韧性大大改善。 2、热压烧结、热压烧结 50年代中期,美国Norton公司就开始研究B、Ni、Cr、Fe、Al等金属添加物对SiC热压烧结的影响。实验表明:Al和Fe是促进SiC热压致密化的最有效的添加剂。 有研究者以Al2O3为添加剂,通过热压烧结工艺,也实现了SiC的致密化,并认为其机理是液相烧结。此外,还有研究者分别以B4C、B或B与C,Al2O3和C、Al2O3和Y2O3、Be、B4C与C作添加剂,采用热压
7、烧结,也都获得了致密SiC陶瓷。3、热等静压烧结:、热等静压烧结: 近年来,为进一步提高SiC陶瓷的力学性能,研究人员进行了SiC陶瓷的热等静压工艺的研究工作。研究人员以B和C为添加剂,采用热等静压烧结工艺,在1900便获得高密度SiC烧结体。更进一步,通过该工艺,在2000和138MPa压力下,成功实现无添加剂SiC陶瓷的致密烧结。 研究表明:当SiC粉末的粒径小于06m时,即使不引入任何添加剂,通过热等静压烧结,在1950即可使其致密化。4、反应烧结:、反应烧结: SiC的反应烧结法最早在美国研究成功。反应烧结的工艺过程为:先将SiC粉和石墨粉按比例混匀,经干压、挤压或注浆等方法制成多孔坯
8、体。在高温下与液态Si接触,坯体中的C与渗入的Si反应,生成SiC,并与SiC相结合,过量的Si填充于气孔,从而得到无孔致密的反应烧结体。反应烧结SiC通常含有8的游离Si。因此,为保证渗Si的完全,素坯应具有足够的孔隙度。一般通过调整最初混合料中SiC和C的含量,SiC的粒度级配,C的形状和粒度以及成型压力等手段来获得适当的素坯密度。以下是对四种烧结方法的一些概括:以下是对四种烧结方法的一些概括: 实验表明,采用无压烧结、热压烧结、热等静压烧结和反应烧结的SiC陶瓷具有各异的性能特点。假如就烧结密度和抗弯强度来说,热压烧结和热等静压烧结SiC陶瓷相对较高,反应烧结SiC相对较低。另一方面,S
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