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类型第三章半导体中载流子的统计分布课件.ppt

  • 上传人(卖家):三亚风情
  • 文档编号:2270644
  • 上传时间:2022-03-28
  • 格式:PPT
  • 页数:61
  • 大小:2.62MB
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    关 键  词:
    第三 半导体 载流子 统计 分布 课件
    资源描述:

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    3、mNhTkmNpVnCTkEEVTkEECVFFCeNpeNn00002/3TNC 价带顶有效状态密度价带顶有效状态密度(3)(4)则,则,可以见到:可以见到: 和和且,且,2/3TNVTkEVCTkEEVCgVCeNNeNNpn0000(5)TkEEVTkEECVFFCeNpeNn0000(2)(3)(1)TkEEVTkEECVFFCeNeN00)ln(2)ln(2)(2100CViVCVCFNNTkENCNTkEEETkEVCigeNNpnn0200(4)200inpn(5)1 1、温度一定时,、温度一定时,E Eg g大的材料,大的材料,n ni i小。小。2 2、对同种材料,、对同种材

    4、料,n ni i随温度随温度T T按指数关系上升。按指数关系上升。200inpnTkEEVTkEECVFFCeNpeNn0000TkEEDFDeEf02111)(TkEEAAFeEf02111)((2)(1)(4)(3)(5)(6)(7)TkEEVTkEECVFFCeNpeNn0000TkEEDTkEEVTkEECFDVFFCeNeNeN00021(8)N型型Si中电子浓度与温度中电子浓度与温度T的关系的关系过渡区过渡区本征激发区本征激发区杂质离化区杂质离化区 低温弱电离区低温弱电离区 中间电离区中间电离区 强电离区强电离区TkEEDTkEECFDFCeNeN0021ECEV10TkEEFDe

    5、)2ln(222000CDDCFTkEEDTkEECNNTkEEEeNeNFDFC020221002)(nnpeNNniTkECDDTkEECFCeNn00020nnpiTkEECFCeNn00)ln(0CDCFNNTkEE(16)DiiDnnnnpNn20200(17)(18)强电离与弱电离的区分TkEEDDFDeNn021DDNn%901DDDDNnNn(19)(20))411 ()2(24)411 (22422222022220DiDiiDDDiDiDDNnNnnNNpNnNnNNn(21)(22)TkEECFCeNn00)24ln(220iiDDiFnnNNTkEE1422DiNn(2

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