模拟电路复习总结课件.ppt
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- 模拟 电路 复习 总结 课件
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1、基本器件第 1 章 二极管 三极管 场效应管一、两种半导体和两种载流子两种载流子的运动电子 自由电子空穴 价电子两 种半导体N 型 (多电子)P 型 (多空穴)二极管单向正向电阻小(理想为 0),反向电阻大( )。)1e (DSD TUuIi)1e ( , 0DSDD TUuIiu0 , 0SD IIuiDO uDU (BR)I FURM正向 最大平均电流 IF反向 最大反向工作电压 U(BR)(超过则击穿)反向饱和电流 IR (IS)(受温度影响)IS3. 二极管的等效模型理想模型 (大信号状态采用)uDiD正偏导通 电压降为零 相当于理想开关闭合反偏截止 电流为零 相当于理想开关断开恒压降
2、模型UD(on)正偏电压 UD(on) 时导通 等效为恒压源UD(on)否则截止,相当于二极管支路断开UD(on) = (0.6 0.8) V估算时取 0.7 V硅管:锗管:(0.1 0.3) V0.2 V折线近似模型相当于有内阻的恒压源 UD(on)4. 二极管的分析方法图解法微变等效电路法5. 特殊二极管工作条件主要用途稳压二极管反 偏稳 压发光二极管正 偏发 光光敏二极管反 偏光电转换判断电路中二极管工作状态的方法 1. 断开二极管,分析电路断开点的开路电压。如果该电压能使二极管正偏,且大于二极管的死区电压,二极管导通;否则二极管截止。2. 如果电路中有两个二极管,利用方法1分别判断各个
3、二极管两端的开路电压,开路电压高的二极管优先导通;当此二极管导通后,再根据电路的约束条件,判断另一个二极管的工作状态。对于图 a,经判断知,D1、D2两端的开路电压分别为:D2反偏电压为5 VD1导通AB = 0 VD2截止V115 V10 VV2R2 kWUABB+_D2AD1(a)10 V,5 V对于图 b,经判断知,D1、D2两端的开路电压分别为即 D1上的反偏电压为15 VD2优先导通AB = 15 VD1截止10 V,25 VD2导通后V115 V10 VV2R2 kWUABB+_D2AD1(b)如图,已知ui10sint(v),试画出ui与uo的波形。设二极管正向导通电压可忽略不计
4、。 uO10ui (V)tuOt 例:如图,例:如图,E E6V6V,二极管正向压降忽略不计,二极管正向压降忽略不计,画出画出 u uo o波形。波形。E EV V1 1u ui iu uO O1010u ui i (V)(V)tt6 6E EV V2 2R R6 6u ui i E E,V V1 1导通,导通,V V2 2截止截止 u u0 0=E=6V=E=6VEuEui i E E ,V V1 1、V V2 2截止,截止, u u0 0=u=ui iu uO Ott解:解:u ui i UB UE PNP: UC UB UE)场效应管1. 分类按导电沟道分 N 沟道P 沟道按结构分 绝缘
5、栅型(MOS)结型按特性分 增强型耗尽型uGS = 0 时, iD = 0uGS = 0 时, iD 0增强型耗尽型(耗尽型)2. 特点栅源电压改变沟道宽度从而控制漏极电流输入电阻高,工艺简单,易集成由于 FET 无栅极电流,故采用转移特性和输出特性描述不同类型 FET 转移特性比较3. 特性结型N 沟道uGS /ViD /mAO增强型耗尽型MOS 管(耗尽型)2GS(th)GSDOD)1( UuIiIDSS开启电压UGS(th)夹断电压UGS(off)2GS(off)GSDSSD)1(UuIi IDO 是 uGS = 2UGS(th) 时的 iD 值 例题: 例: (南京航空航天大学2000
6、年研究生入学试题)场效应管是( )控制元件,而双极性三极管是( )控制元件。 答案:(电压),(电流)。 例: (北京交通大学1997年研究生入学试题)在放大电路中,场效应管工作在( )区。 答案:(饱和区或恒流区)。 例: 一个场效应管的输 出特性如图所示,试分 析:(1)它是属于何种类型的 场效应管;(2)它的开启电压VT ( 或 夹断电压VP )大约是多 少?(3)它的饱和漏极电流 DSS是多少?4812 162680Id(mA)1vVgs=0v-1v-2v44N沟道耗尽型场效应管VP= -3V DSS6mA。场效应管判定一、晶体管电路的基本问题和分析方法三种工作状态状态电流关系 条 件
7、放大I C = IB发射结正偏集电结反偏饱和 I C IB两个结正偏ICS = IBS 集电结零偏临界截止IB U(th) 则导通以 NPN为 例:UBE UB UE放大UE UC UB饱和PNP 管UC UB UC U B饱和两个基本问题静态 (Q ) 动态 (Au) 解决不失真的问题“Q”偏高引起饱和失真“Q”偏低引起截止失真解决能放大的问题两种分析方法1. 计算法1) 直流通路求“Q ” (从发射结导通电压UBE(on)出发)2) 交流通路分析性能 交流通路画法 :VCC 接地, 耦合电容短路小信号电路模型+uce+ube ibicCBErbe Eibic ic+ube +uce BCE
8、Qbbbe26)1(Irr isisosio , RRRAuuAuuAuuu iiiiuR 0sLooo uRiuR两种典型电路结构偏置式+us +VCCRCC1C2RL+RBRS+uo分压式+us +VCCRCC1C2RLRE+RB1RB2RS+uo 求静态工作点;B)BE(onCCBQRUVI EBEQBQEQRUUI 求性能指标;beL rRAu beBi/rRR CoRR EbeL)1( RrRAu )1(/EbeBiRrRR CoRR 1、试分析下图所示各电路是否能够放大正弦交流信号,简述理由。设图中所有电容对交流信号均可视为短路。例题例:例:已知:已知:Rb1=40K , Rb2=
9、20K , Rc=2.5K, Re=2K , Vcc=12V , UBE=0.7V , =40, RL=5K。试计算。试计算Q、Au、Ri、Ro。Rb1Rb2ReRc+VccRsRLUs解:解:解题步骤解题步骤UB UE IEQ ICQ IBQUCEQUB =Rb2 Rb1 + Rb2 Vcc =20 1240 + 20= 4V UE = UBUBE = 40.7 = 3.3VIEQ = UERE= 3.3 2= 1.65mAICQ IEQ = 1.65mAIBQ =ICQ= 1.65 40= 41AUCEQ VccICQ( Rc+RE )= 121.65(2+2.5)= 4.575 VuiR
10、b1RC RLibicrbe ibuORb2=0.946K 65. 126)401 (300rbe rR/RAbeLCu 946.05/5 .240 18.70 K5 .2RrC0 K0.946r/R/Rrbe2b1bi差分电路1. 主要特点:放大差模信号,抑制共模信号(克服零点漂移)2. 四种输入、输出方式比较:输入输出方式差模信号uid共模信号uic差模电压放大倍数 Aud差模 Rid差模 Rod共模抑制比KCMR双入双出uid = ui uic = 0单入双出uid = ui uic = 0双入单出uid = ui uic = ui / 2单入单出uid = ui uic = ui /
11、2beLrR beL 21rR 2/LCLRRR LCL/ RRR be2rberC2RCR icodcuuAu 很小(1)直接耦合放大电路存在零点漂移的原因是 。 A.电阻阻值有误差 B.晶体管参数的分散性 C.晶体管参数受温度影响 D.电源电压不稳定(2)集成放大电路采用直接耦合方式的原因 。A.便于设计 B.放大交流信号 C.不易制作大容量电容 (3)集成运放的输入级采用差分放大电路是因为可以 。 A减小温漂 B. 增大放大倍数 C. 提高输入电阻例题反馈放大电路第 4 章反馈的判断方法1. 有无反馈2. 正反馈和负反馈主要看信号有无反向传输通路。采用瞬时极性法,看反馈是增强还是削弱净输
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