集成电路中的无源元件课件.ppt
- 【下载声明】
1. 本站全部试题类文档,若标题没写含答案,则无答案;标题注明含答案的文档,主观题也可能无答案。请谨慎下单,一旦售出,不予退换。
2. 本站全部PPT文档均不含视频和音频,PPT中出现的音频或视频标识(或文字)仅表示流程,实际无音频或视频文件。请谨慎下单,一旦售出,不予退换。
3. 本页资料《集成电路中的无源元件课件.ppt》由用户(三亚风情)主动上传,其收益全归该用户。163文库仅提供信息存储空间,仅对该用户上传内容的表现方式做保护处理,对上传内容本身不做任何修改或编辑。 若此文所含内容侵犯了您的版权或隐私,请立即通知163文库(点击联系客服),我们立即给予删除!
4. 请根据预览情况,自愿下载本文。本站不保证下载资源的准确性、安全性和完整性, 同时也不承担用户因使用这些下载资源对自己和他人造成任何形式的伤害或损失。
5. 本站所有资源如无特殊说明,都需要本地电脑安装OFFICE2007及以上版本和PDF阅读器,压缩文件请下载最新的WinRAR软件解压。
- 配套讲稿:
如PPT文件的首页显示word图标,表示该PPT已包含配套word讲稿。双击word图标可打开word文档。
- 特殊限制:
部分文档作品中含有的国旗、国徽等图片,仅作为作品整体效果示例展示,禁止商用。设计者仅对作品中独创性部分享有著作权。
- 关 键 词:
- 集成电路 中的 无源 元件 课件
- 资源描述:
-
1、2022-3-221第第3章章 集成电路中的无源元件集成电路中的无源元件元器件可以分为两大类:元器件可以分为两大类: 电容电容电感电感互连线互连线传输线传输线电阻电阻有源器件有源器件: 各类晶体管各类晶体管 无源器件无源器件: n 3.1 集成电阻器集成电阻器n 3.2 集成电容器集成电容器n 3.3 电感电感2022-3-222 3.1 集成电阻器集成电阻器n基区扩散电阻n低阻类电阻 发射区扩散电阻n高阻类电阻 基区沟道电阻n高精度电阻 离子注入电阻2022-3-2233.1.1基区扩散电阻基区扩散电阻R+R-VccWLRRSLW2022-3-224薄层电阻图形尺寸的计算方块电阻的几何图形
2、hWLRRWL 2022-3-225薄层电阻的几何图形设计常用的薄层电阻图形 2022-3-226薄层电阻端头和拐角修正不同电阻条宽和端头形状的端头修正因子 2022-3-227WsWeffW图3.4基区扩散电阻的横截面基区扩散的横截面基区扩散的横截面2022-3-2283.1.2发射区扩散电阻发射区扩散电阻WLRRXjE2022-3-229发射区扩散电阻作磷桥发射区扩散电阻作磷桥BACDADB2022-3-2210基区沟道电阻结构示意图基区沟道电阻结构示意图R-VccWLRRSLWR+2022-3-2211硼离子注入电阻结构示意图R+R-VccP型扩散区LW2022-3-2212多晶硅电阻W
3、LeffLLd2022-3-2213材料最小值典型值最大值互连金属0.050.070.1顶层金属0.030.040.05多晶硅152030硅-金属氧化物236扩散层1025100硅氧化物扩散2410N阱(或P阱)1k2k5k 0.5-1.0m MOS工艺中作为导电层的典型的薄层电阻阻值单位:/口2022-3-2214 3.2集成电容器n 在集成电路中,有多种电容结构:l 金属-绝缘体-金属(MIM)结构l 多晶硅/金属-绝缘体-多晶硅结构l 金属叉指结构l PN结电容l MOS电容 2022-3-2215平板电容 制作在砷化镓半绝缘衬底上的MIM电容结构: dlwCor 考虑温度系数时,电容的
4、计算式为:2nomempnomemp211ttTCttTCACCox2022-3-2216平板电容电容模型等效电路: 固有的自频率: LCf2102022-3-2217金属叉指结构电容2022-3-2218PN结电容结电容 突变PN结电容计算公式: 001DjjVCCl 任何pn结都有漏电流和从结面到金属连线的体电阻,结电容的品质因数通常比较低。l 结电容的参数可采用 二极管和晶体管结电容同样的方法进行计算。2022-3-2219PN结电容结电容n电容值依赖于结面积,例如二极管和晶体管的尺寸。nPN结电容的SPICE模型就直接运用相关二极管或三极管器件的模型。2022-3-2220MOS结构电
展开阅读全文