半导体表面与MIS结构上课件.pptx
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- 关 键 词:
- 半导体 表面 MIS 结构 上课
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1、沈阳工业大学电子科学与技术系沈阳工业大学电子科学与技术系沈阳工业大学电子科学与技术系沈阳工业大学电子科学与技术系沈阳工业大学电子科学与技术系沈阳工业大学电子科学与技术系 =0 1 1、 理想理想MISMIS系统定性分析系统定性分析 (以(以P P类型为例)类型为例) - - 静电平衡、堆积、耗尽、反型静电平衡、堆积、耗尽、反型VBVB为费米电势,决定半导体的类型及程度对于理想MIS结构ECEVEiEFsVG0 xxdqVGkTEEnpFsiiexpAAisppnnpiE在表面处 低于半导体内部值因此,表面电子浓度EFmQnQm特征特征ECEVEiEFsVG0 xxdm在强反型条件下在强反型条件
2、下金属与半导体间加负压,金属与半导体间加负压,多子堆积。多子堆积。金属与半导体间加不太高的正压,金属与半导体间加不太高的正压,多子耗尽。多子耗尽。金属与半导体间加高正压,金属与半导体间加高正压,少子反型。少子反型。金属与半导体间加负压,金属与半导体间加负压,多子堆积。多子堆积。金属与半导体间加不太高的正压,金属与半导体间加不太高的正压,多子耗尽。多子耗尽。金属与半导体间加高正压,金属与半导体间加高正压,少子反型。少子反型。rsxdxxVd022)()(TkxqVnkTEExqVnkTExEnxnpFsiiFsii00)(exp)()()()(000000)(exp)()(exp)()()()(
3、ppADppADpnpnTkxqVpxpTkxqVnxnxnxppnqxkTEEnnFsiip)(exp0关于表面处的电子浓度和空穴浓度1)exp( 1)exp(0000022TkqVnTkqVpqdxVdpprsdVTkqVnTkqVpqdxdVddxdVVpprsdxdV00000001)exp( 1)exp()(dxdVE |1)exp( 1)exp(2)2(0000000002202TkqVTkqVpnTkqVTkqVTkpqqTkEpprsp2/102002/100000000021exp1exp,prsDppnppqTkLTkqVTkqVpnTkqVTkqVpnTkqVF0000,
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