《电子电路》课件:第6章-二极管及直流稳压电路.ppt
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- 关 键 词:
- 电子电路 课件 二极管 直流 稳压 电路
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1、1236.1 半导体的基本知识半导体的基本知识4共价健共价健 Si Si Si Si价电子价电子5 Si Si Si Si价电子价电子这一现象称为本征激发。这一现象称为本征激发。空穴空穴自由电子自由电子67 Si Si Si Sip+多余多余电子电子磷原子磷原子在常温下即可变在常温下即可变为自由电子为自由电子失去一个失去一个电子变为电子变为正离子正离子8 Si Si Si SiB硼原子硼原子空穴空穴910多子的扩散运动多子的扩散运动内电场内电场少子的漂移运动少子的漂移运动浓度差浓度差 扩散的结果使空扩散的结果使空间电荷区变宽。间电荷区变宽。空间电荷区也称空间电荷区也称 PN 结结 +形成空间电
2、荷区形成空间电荷区11PN 结变窄结变窄 P接正、接正、N接负接负 外电场外电场IF内电场内电场PN+12+13 内电场被加内电场被加强,少子的漂强,少子的漂移加强,由于移加强,由于少子数量很少,少子数量很少,形成很小的反形成很小的反向电流。向电流。IR+1415阴极引线阴极引线阳极引线阳极引线二氧化硅保护层二氧化硅保护层P型硅型硅N型硅型硅( c ) 平面型平面型金属触丝金属触丝阳极引线阳极引线N型锗片型锗片阴极引线阴极引线外壳外壳( a ) 点接触型点接触型铝合金小球铝合金小球N型硅型硅阳极引线阳极引线PN结结金锑合金金锑合金底座底座阴极引线阴极引线( b ) 面接触型面接触型半导体二极管
3、的结构和符号半导体二极管的结构和符号 阴极阴极阳极阳极( d ) 符号符号D16反向击穿反向击穿电压电压U(BR)反向特性反向特性UIPN+PN+171819定性分析:定性分析:判断二极管的工作状态判断二极管的工作状态导通导通截止截止 若二极管是理想的,若二极管是理想的,20例例1:D6V12V3k BAUAB+21例例2:mA43122D IBD16V12V3k AD2UAB+22V sin18itu t 23UZIZIZM UZ IZ_+UIO24ZZ ZIUr25功能:功能:把交流电压变成稳定的大小合适把交流电压变成稳定的大小合适 的直流电压的直流电压u4uou3u2u126 单相小功率
4、整流电路单相小功率整流电路 将交流电压转变为脉动的直流电压。将交流电压转变为脉动的直流电压。 半波、全波、桥式和倍压整流;单相和三相整流等。半波、全波、桥式和倍压整流;单相和三相整流等。 二极管的正向导通电阻为零,反向电阻为无穷大。二极管的正向导通电阻为零,反向电阻为无穷大。利用二极管的单向导电性利用二极管的单向导电性27t uDO u 负半周,负半周,VaVb,二极二极管管 1、3 导通,导通,2、4 截止截止 。uouD t tuD1uD3 ut U2U2U2 324) 参数计算参数计算LLRURUI9 . 0oo o21DII UU2DRM o11. 1 d) sin(2122mIttI
5、I ) d( sin21ttU U0.9 oU33 (1) 输出直流电压高;输出直流电压高; (2) 脉动较小;脉动较小; (3) 二极管承受的最大反向电压较低;二极管承受的最大反向电压较低; (4) 电源变压器得到充分利用。电源变压器得到充分利用。 目前,半导体器件厂已将整流二极管封目前,半导体器件厂已将整流二极管封装在一起,制成单相及三相整流桥模块,装在一起,制成单相及三相整流桥模块,这些模块只有输入交流和输出直流引线。这些模块只有输入交流和输出直流引线。减少接线,提高了可靠性,使用起来非常减少接线,提高了可靠性,使用起来非常方便。方便。34单相桥式整流电路,已知交流电网电压为单相桥式整流
6、电路,已知交流电网电压为 220V,负负载电阻载电阻 RL = 50 ,负载电压负载电压Uo=100V,试求变压器的变比试求变压器的变比和容量,并选择二极管。和容量,并选择二极管。V 1119 . 01009 . 0o UU A122121oD IIV 17212222DRM UU A250110Loo RUI 考虑到变压器副绕组及二极管上的压降,变压器副边电考虑到变压器副绕组及二极管上的压降,变压器副边电压一般应高出压一般应高出 5%10%,即取,即取 U = 1.1 111 122 V35例例1 单相桥式整流电路,已知交流电网电压为单相桥式整流电路,已知交流电网电压为 220 V,负载电阻
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