《电子电路》课件：p型半导体和n型半导体.ppt

1、模拟电子技术基础模拟电子技术基础上页上页下页下页返回返回杂质半导体杂质半导体 在在本征半导体本征半导体硅或锗中硅或锗中掺入微量掺入微量的其它适当的其它适当元元素素后所形成的半导体后所形成的半导体根据掺杂的不同，杂质半导体分为根据掺杂的不同，杂质半导体分为N型导型导体体P型导型导体体1. N型半导体型半导体 掺入五价杂质元素（如磷、砷）的杂质半导体掺入五价杂质元素（如磷、砷）的杂质半导体模拟电子技术基础模拟电子技术基础上页上页下页下页返回返回+4+4+4+4+4+4+4+4+4掺入少量五价杂质元素磷掺入少量五价杂质元素磷P P模拟电子技术基础模拟电子技术基础上页上页下页下页返回返回+4+4+4+

2、4+4+4+4+4+4P P模拟电子技术基础模拟电子技术基础上页上页下页下页返回返回多出多出一个一个电子电子出现出现了一了一个正个正离子离子+4+4+4+4+4+4+4+4P P模拟电子技术基础模拟电子技术基础上页上页下页下页返回返回+ + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + +半导体中产生了大量的自由电子和正离子半导体中产生了大量的自由电子和正离子模拟电子技术基础模拟电子技术基础上页上页下页下页返回返回c. 电子是多数载流子，简称多子电子是多数载流子，简称多子; ;空穴是少数载流空穴是少数载流

3、 子，简称少子。子，简称少子。e. 因电子带负电，称这种半导体为因电子带负电，称这种半导体为N(negative)型或型或 电子型半导体。电子型半导体。f. 因掺入的杂质给出电子，又称之为施主杂质。因掺入的杂质给出电子，又称之为施主杂质。b. N型半导体中型半导体中产生了大量的产生了大量的( (自由）电子和正离子。自由）电子和正离子。可见：可见：d. np nn=K(T)a. N型半导体是在本征半导体中型半导体是在本征半导体中掺入少量五价杂质掺入少量五价杂质 元素形成的。元素形成的。g.g.负负 电电 荷荷 = 受主杂质产生的受主杂质产生的（majority）+ 本征激发产生的本征激发产生的（

4、minority）；）； 正电荷正电荷(空穴空穴) = 受主负杂质离子受主负杂质离子（majority）+ 本征激发产生的本征激发产生的（minority）；）； 负电荷总数（多子电子）负电荷总数（多子电子）= 正电荷总数（少子空穴正电荷总数（少子空穴 + 受主负离子）受主负离子）h.半导体整体是电中性的半导体整体是电中性的模拟电子技术基础模拟电子技术基础上页上页下页下页返回返回2. P型半导体型半导体 在本征半导体中掺入在本征半导体中掺入三价杂质元素三价杂质元素，如硼等。如硼等。B B+4+4+4+4+4+4+4+4+4模拟电子技术基础模拟电子技术基础上页上页下页下页返回返回+4+4+4+4

5、+4+4+4+4+4B B模拟电子技术基础模拟电子技术基础上页上页下页下页返回返回出出现现了了一一个个空空位位+4+4+4+4+4+4B B+4+4模拟电子技术基础模拟电子技术基础上页上页下页下页返回返回+4+4+4+4+4+4B B+4+4负离子负离子空穴空穴模拟电子技术基础模拟电子技术基础上页上页下页下页返回返回- - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - -半导体中产生了大量的空穴和负离子半导体中产生了大量的空穴和负离子模拟电子技术基础模拟电子技术基础上页上页下页下页返回返回c. 空穴是多数

6、载流子空穴是多数载流子, ,电子是少数载流子。电子是少数载流子。e. 因空穴带正电，称这种半导体为因空穴带正电，称这种半导体为P(positive)型或型或 空穴型半导体。空穴型半导体。f. 因掺入的杂质接受电子，故称之为受主杂质。因掺入的杂质接受电子，故称之为受主杂质。a. P型半导体是在本征半导体中型半导体是在本征半导体中掺入少量的三价掺入少量的三价 杂质元素形成的。杂质元素形成的。b. P型半导体型半导体产生大量的空穴和负离子。产生大量的空穴和负离子。可见：可见：d. np nn=K(T)g.g. 正电荷正电荷(空穴空穴) = 受主杂质产生的受主杂质产生的（majority）+ 本征激发产生的本征激发产生的（minority）；）； 负负 电电 荷荷 = 受主负杂质离子受主负杂质离子（majority）+ 本征激发产生的本征激发产生的（minority）；）； 正电荷总数（多子空穴）正电荷总数（多子空穴）=负电荷总数（少子电子负电荷总数（少子电子+受主负离子）受主负离子）h.半导体整体是电中性的半导体整体是电中性的