《材料成形技术基础》课件:第3章-材料EBSD织构测定.ppt
- 【下载声明】
1. 本站全部试题类文档,若标题没写含答案,则无答案;标题注明含答案的文档,主观题也可能无答案。请谨慎下单,一旦售出,不予退换。
2. 本站全部PPT文档均不含视频和音频,PPT中出现的音频或视频标识(或文字)仅表示流程,实际无音频或视频文件。请谨慎下单,一旦售出,不予退换。
3. 本页资料《《材料成形技术基础》课件:第3章-材料EBSD织构测定.ppt》由用户(罗嗣辉)主动上传,其收益全归该用户。163文库仅提供信息存储空间,仅对该用户上传内容的表现方式做保护处理,对上传内容本身不做任何修改或编辑。 若此文所含内容侵犯了您的版权或隐私,请立即通知163文库(点击联系客服),我们立即给予删除!
4. 请根据预览情况,自愿下载本文。本站不保证下载资源的准确性、安全性和完整性, 同时也不承担用户因使用这些下载资源对自己和他人造成任何形式的伤害或损失。
5. 本站所有资源如无特殊说明,都需要本地电脑安装OFFICE2007及以上版本和PDF阅读器,压缩文件请下载最新的WinRAR软件解压。
- 配套讲稿:
如PPT文件的首页显示word图标,表示该PPT已包含配套word讲稿。双击word图标可打开word文档。
- 特殊限制:
部分文档作品中含有的国旗、国徽等图片,仅作为作品整体效果示例展示,禁止商用。设计者仅对作品中独创性部分享有著作权。
- 关 键 词:
- 材料成形技术基础 材料 成形 技术 基础 课件 EBSD 测定
- 资源描述:
-
1、材料X射线宏观织构测定材料现代分析方法 1College of MSE, CQU材料X射线宏观织构测定材料现代分析方法 3.1 3.1 菊池线菊池线3.2 3.2 电子背散射衍射原理电子背散射衍射原理3.3 EBSD3.3 EBSD设备及分析方法设备及分析方法3.4 3.4 应用应用 本章主要内容本章主要内容2College of MSE, CQU材料X射线宏观织构测定材料现代分析方法 n 一些缺陷较少、具有一定厚度的薄晶体样品,在衍一些缺陷较少、具有一定厚度的薄晶体样品,在衍射花样内还会出现亮暗成对的平行线条,这种线对就射花样内还会出现亮暗成对的平行线条,这种线对就是菊池线。是菊池线。菊池线
2、菊池线材料X射线宏观织构测定材料现代分析方法 菊池线的产生是由于样品中产生非弹性散射的电子,菊池线的产生是由于样品中产生非弹性散射的电子,进而发生了衍射。进而发生了衍射。菊池线形成示意图菊池线形成示意图a a)电子在样品中产生非弹性散射强度分布曲线)电子在样品中产生非弹性散射强度分布曲线 b b)晶面对非弹性)晶面对非弹性散射电子的衍射及菊池衍射引起的背景强度变化曲线散射电子的衍射及菊池衍射引起的背景强度变化曲线4College of MSE, CQU材料X射线宏观织构测定材料现代分析方法 菊池线形成示意图菊池线形成示意图c)菊池线对的产生)菊池线对的产生 亮暗线对之间亮暗线对之间的垂直距离就
3、是的垂直距离就是透射斑和衍射斑透射斑和衍射斑之间的距离之间的距离R R。 5College of MSE, CQU材料X射线宏观织构测定材料现代分析方法 菊池极和衍射斑示意图菊池极和衍射斑示意图 由于电子束是对由于电子束是对称入射,所以菊池称入射,所以菊池线总是位于中心斑线总是位于中心斑点和衍射斑点连线点和衍射斑点连线的中间位置(即的中间位置(即R/2R/2处)。处)。200020220(020)(200)(220)6College of MSE, CQU材料X射线宏观织构测定材料现代分析方法 nhklhkl菊池线对间距等于菊池线对间距等于hklhkl衍射斑点到中心斑衍射斑点到中心斑点的距离,
4、线对间距点的距离,线对间距R R和晶面间距和晶面间距d d仍然满足仍然满足Rd=LRd=L。nhklhkl菊池线对与菊池线对与hklhkl斑点到中心斑点的连线垂斑点到中心斑点的连线垂直。直。n菊池线对的中线可视为菊池线对的中线可视为(hkl)(hkl)晶面与荧光屏或晶面与荧光屏或底片的交线。底片的交线。菊池线的几何特征菊池线的几何特征7College of MSE, CQU材料X射线宏观织构测定材料现代分析方法 面心立方晶体的菊池图面心立方晶体的菊池图 实际上衍射晶面实际上衍射晶面的迹线(晶面和底的迹线(晶面和底片的交线)就是菊片的交线)就是菊池线对的中线。池线对的中线。 同一晶带晶面菊同一晶
5、带晶面菊池线的中线必定交池线的中线必定交于一点,这个交点于一点,这个交点就是晶带轴就是晶带轴uvwuvw的的菊池极。菊池极。8College of MSE, CQUn利用菊池线可以比较精确地测定晶体的方位利用菊池线可以比较精确地测定晶体的方位,因为薄,因为薄晶体样品作少量倾动时衍射斑点的位置基本不变(只晶体样品作少量倾动时衍射斑点的位置基本不变(只有强度变化),但与之相对应的菊池线却会产生较大有强度变化),但与之相对应的菊池线却会产生较大的位移。的位移。n举例来说,若相机长度举例来说,若相机长度L=500mm,样品倾动,样品倾动1o,即,即=/180rad时,菊池线在像平面上的位移时,菊池线在
6、像平面上的位移x=L =8.6mm。据此,可以用菊池线的位移来估算样品。据此,可以用菊池线的位移来估算样品的倾斜角度。的倾斜角度。材料X射线宏观织构测定材料现代分析方法 电子束轰击至样品表面,撞击晶体中原电子束轰击至样品表面,撞击晶体中原子产生散射,这些散射电子由于撞击的子产生散射,这些散射电子由于撞击的晶面类型晶面类型( (指数、原子密度指数、原子密度) )不同在某些特不同在某些特定角度产生衍射效应,在空间产生衍射定角度产生衍射效应,在空间产生衍射圆锥。几乎所有晶面都会形成各自的衍圆锥。几乎所有晶面都会形成各自的衍射圆锥,并向空间无限发散;射圆锥,并向空间无限发散;用荧光屏平面去截取这样一个
7、个无限发用荧光屏平面去截取这样一个个无限发散的衍射圆锥,就得到了一系列的菊池散的衍射圆锥,就得到了一系列的菊池带。而截取菊池带的数量和宽度,与荧带。而截取菊池带的数量和宽度,与荧光屏大小和荧光屏距样品光屏大小和荧光屏距样品( (衍射源衍射源) )的远近的远近有关;有关;荧光屏获取的电子信号被后面的高灵敏荧光屏获取的电子信号被后面的高灵敏度度CCDCCD相机采集转换并显示出来;相机采集转换并显示出来;3.13.1电子背散射衍射原理电子背散射衍射原理10College of MSE, CQU材料X射线宏观织构测定材料现代分析方法 电子背散射衍射电子背散射衍射EBSD菊池花样形成菊池花样形成简单简单
8、原理原理入射电子散射入射电子散射硅样品晶面电子衍射菊池线示意图 11College of MSE, CQU材料X射线宏观织构测定材料现代分析方法 Ge EBSP每一线对即菊池线,代表晶体中一组平面,线对间距反比于晶每一线对即菊池线,代表晶体中一组平面,线对间距反比于晶面间距,所有不同晶面产生菊池衍射构成一张电子背散射衍射面间距,所有不同晶面产生菊池衍射构成一张电子背散射衍射谱谱(EBSP),菊池线交叉处代表一个结晶学方向。菊池线交叉处代表一个结晶学方向。 12College of MSE, CQU材料X射线宏观织构测定材料现代分析方法 3.2 EBSD3.2 EBSD分析部件及分析方法分析部件
9、及分析方法SEMSEM中配置中配置EBSDEBSD探测器探测器13College of MSE, CQU材料X射线宏观织构测定材料现代分析方法 nEBSDEBSD探头探头14College of MSE, CQU材料X射线宏观织构测定材料现代分析方法 nEBSDEBSD系统系统15College of MSE, CQUEBSD:通过自动标定背散射衍射花样,测定大块样品表面:通过自动标定背散射衍射花样,测定大块样品表面(通常矩形区域内)的晶体微区取向。(通常矩形区域内)的晶体微区取向。材料X射线宏观织构测定材料现代分析方法 n 固体材料,且具有一定的微固体材料,且具有一定的微观结构特征观结构特征
10、晶体晶体n 电子束下无损坏变质电子束下无损坏变质n 金属、矿物、陶瓷金属、矿物、陶瓷n 导体、半导体、绝缘体导体、半导体、绝缘体n 试样表面平整,无制样引入试样表面平整,无制样引入的应变层的应变层n 足够强度的束流足够强度的束流0.5-100.5-10nAnAn 高灵敏度高灵敏度CCDCCD相机相机n 样品倾斜至一定角度样品倾斜至一定角度(70(70度度) )nEBSDEBSD产生条件产生条件16College of MSE, CQU材料X射线宏观织构测定材料现代分析方法 17College of MSE, CQU硅钢某一点的硅钢某一点的EBSPEBSP花样花样硅钢某点的标定结果硅钢某点的标定
展开阅读全文