材料合成与制备课件：总结2009（第一章）.ppt

1、材料合成与制备材料合成与制备课程总结课程总结一、理论基础一、理论基础l吸附理论吸附理论物理吸附、化学吸附离子、分子吸附l吸附在材料合成与制备中的地位吸附在材料合成与制备中的地位是成核的基础；是成核的基础；是晶体生长的基础；是晶体生长的基础；是材料表面改性的基础是材料表面改性的基础l成核理论成核理论 成核（均匀成核、非均匀成核） 驱动力l界面生长理论界面生长理论 输运过程 边界层理论 界面的稳定性 界面模型及其生长特征二、单晶生长二、单晶生长l生长方法生长方法溶液法、水热法、高温溶液法、熔体法溶液法、水热法、高温溶液法、熔体法l驱动力驱动力过饱和度、过冷度过饱和度、过冷度l工艺特征工艺特征三、三

2、、粉体的合成粉体的合成l粉体的湿化学法合成粉体的湿化学法合成水热法（模板法），沉淀法，喷雾法，冻结干燥法，火花放电法，溶胶-凝胶法l粉体的固相法合成粉体的固相法合成机械化学法，熔盐法l粉体的气相法合成粉体的气相法合成化学气相反应法，溅射法，四、一维材料的合成一维材料的合成l晶须的合成晶须的合成晶须生长的VLS机制l纳米线的合成纳米线的合成纳米线的生长方法纳米线的应用l陶瓷纤维的合成与制备陶瓷纤维的合成与制备短纤维的合成功能陶瓷纤维的制备五、晶体相、玻璃相、气相晶体相、玻璃相、气相l材料的化学表面改性材料的化学表面改性改性剂及其改性机理，改性剂的选择及其用量的确定l材料的高新技术表面改性材料的高

3、新技术表面改性气相沉积表面改性载能束流表面改性l复合材料的制备复合材料的制备1. 固体材料表面对分子或离子吸附的基础固体材料表面对分子或离子吸附的基础是什么是什么? 什么情况下的吸附是稳定的？什么情况下的吸附是稳定的？2. 在溶液体系中，有两个籽晶，其表面在溶液体系中，有两个籽晶，其表面（界面）分别为完整光滑的和有螺旋露（界面）分别为完整光滑的和有螺旋露头的，哪个籽晶更容易生长？为什么？头的，哪个籽晶更容易生长？为什么？高温溶液法是利用过饱和度为驱动力进行晶体生长的。下高温溶液法是利用过饱和度为驱动力进行晶体生长的。下图为某种高温溶液的溶解度曲线，当分别沿图为某种高温溶液的溶解度曲线，当分别沿

4、ABE 和和ACF路线缓慢降温时，晶体生长各有何特征。请简要路线缓慢降温时，晶体生长各有何特征。请简要说明理由。说明理由。ABCEnEnATATCTETB溶质液相液相（不饱和溶液）溶质凝固溶剂亚稳的过饱和溶液F在溶液中合成粉体与采用溶液法生长在溶液中合成粉体与采用溶液法生长单晶的基本原理有何异同？各有什么单晶的基本原理有何异同？各有什么特点？特点？试述高温固相法合成粉体的机理与特试述高温固相法合成粉体的机理与特点。点。请简要比较单晶的高温溶液法生长机请简要比较单晶的高温溶液法生长机理与晶须的理与晶须的VLS生长机理及特点。生长机理及特点。试简要比较陶瓷纤维与晶须的特点。试简要比较陶瓷纤维与晶须的特点。它们的制备工艺有何不同？它们的制备工艺有何不同？在某些多组分陶瓷中，有的陶瓷出现在某些多组分陶瓷中，有的陶瓷出现单一晶相，有的陶瓷则出现多种晶相，单一晶相，有的陶瓷则出现多种晶相，或者有次晶相偏析，为什么？请简要或者有次晶相偏析，为什么？请简要说明理由。说明理由。l地点：材化楼地点：材化楼313l时间：星期一至五（上实验课时间除外）时间：星期一至五（上实验课时间除外） 下午下午2:305:00l考试方式：闭卷、笔试考试方式：闭卷、笔试