无机化学课件:第十章固体结构.ppt
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- 无机化学课件:第十章 固体结构 无机化学 课件 第十 固体 结构
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1、10.1 晶体结构和类型晶体结构和类型第十章第十章 固体结构固体结构10.5 层状晶体层状晶体10.4 分子晶体分子晶体10.3 离子晶体离子晶体10.2 金属晶体金属晶体10.1.1 晶体结构的特征与晶格理论晶体结构的特征与晶格理论10.1 晶体结构和类型晶体结构和类型10.1.4 晶体类型晶体类型10.1.3 非晶体非晶体 准晶体准晶体10.1.2 晶体缺陷晶体缺陷10.1.1 晶体结构的特征与晶格理论晶体结构的特征与晶格理论1. 晶体结构的特征晶体结构的特征 晶体是由原子、离子或分子在空间按一定规律周期性地重复排列构成的固体。特征:(1) 晶体具有规则的多面体外形; (2) 晶体呈各向异
2、性; (3) 晶体具有固定的熔点。 晶格(点阵)是晶体的数学抽象。2. 晶格理论的基本概念晶格理论的基本概念 由晶胞参数a,b,c,表示, a,b,c 为六面体边长, , 分别是bc , ca , ab 所组成的夹角。 晶胞的内容包括粒子的种类,数目及它在晶胞中的相对位置。 按晶胞参数的差异将晶体分成七种晶系。晶系 边长 夹角 晶体实例 立方晶系 a = b = c = 900 NaCl 三方晶系 a = b = c =900 Al2O3 四方晶系 a = bc = 900 SnO2 六方晶系 a = bc = 900, = 1200 AgI 正交晶系 abc = 900 HgCl2 单斜晶系
3、 abc = 900, 900 KClO3 三斜晶系 abc 900 CuSO45H2O 按带心型式分类,将七大晶系分为14种型式。例如,立方晶系分为简单立方、体心立方和面心立方三种型式。10.1.2 晶体缺陷晶体缺陷1. 本征缺陷本征缺陷 由于晶体中晶格结点上的微粒热涨落所导致的缺陷。2. 杂质缺陷杂质缺陷 由于杂质进入晶体后所形成的缺陷。3. 非化学计量化合物非化学计量化合物 组成非化学计量化合物的各个元素原子的相对数目不能用整数比表示。例如:方铁矿 理想化学式为:FeO 实际组成范围为: Fe0.89O Fe0.96O 镧镍合金作为吸氢材料:LaNi5Hx10.1.3 非晶体非晶体 准晶
4、体准晶体 玻璃、沥青、石腊、橡胶等均为非晶体。 非晶体没有规则的外形,内部微粒的排列是无规则的,没有特定的晶面。 石英玻璃近程有序(0.1nm以下) 远程无序(20nm以上) 制成光导纤维。石英晶体石英玻璃晶体的分类晶体的分类物理性质组成粒子粒子间作用力熔沸点硬度熔融导电性例金属晶体原子离子金属键高低大小好Cr,K原子晶体原子共价键高大差离子晶体离子离子键高大好NaCl分子晶体分子分子间力低小差干冰2SiO10.1.4 晶体类型晶体类型10.2.1 金属晶体的结构金属晶体的结构10.2 金属晶体金属晶体10.2.2 金属键理论金属键理论 金属晶体是金属原子或离子彼此靠金属键结合而成的。金属键没
5、有方向性,金属晶体内原子以配位数高为特征。金属晶体的结构:等径球的密堆积。10.2.1 金属晶体的结构金属晶体的结构1.1.六方密堆积:六方密堆积:hcp第三层与第一层对齐,产生ABAB方式。配位数:12空间占有率:74.05%2.2.面心立方密堆积:面心立方密堆积:fcc 第三层与第一层有错位,以ABCABC方式排列。配位数:12空间占有率:74.05%面心立方密堆积面心立方密堆积3.3.体心立方堆积:体心立方堆积:bcc配位数:8空间占有率:68.02%金属晶体中粒子的排列方式常见的有三种:六方密堆积(Hexgonal close Packing);面心立方密堆积(Face-centred
6、 Cubic close Packing);体心立方堆积(Body-centred Cubic Packing)。金晶格金晶格体心立方体心立方 body-centered cubic (bcc), e.g., Fe, Na, K, U简单立方(钋,简单立方(钋,Po)密堆积层间的两类空隙密堆积层间的两类空隙 四面体空隙: 一层的三个球与上或下层密堆积的球间的空隙。 一层的三个球与错位排列的另一层三个球间的空隙。 八面体空隙:八面体空隙: 1. 电子海模型电子海模型10.2.2 金属键理论金属键理论 2. 能带理论能带理论 金属键的量子力学模型称为能带理论,它是在分子轨道理论的基础上发展起来的。
7、2s2s1s1s Li2分子轨道能级图 金属锂的能带 (1s带) (2s带) 金属镁能带的重叠 导体 绝缘体 E5ev 半导体 E3ev10.3.1 离子晶体的结构离子晶体的结构10.3 离子晶体离子晶体10.3.3 离子极化离子极化10.3.2 晶格能晶格能离子键离子键离子键理论的基本要点离子键理论的基本要点离子键的形成离子键的形成( (以以 NaClNaCl 为例为例) )第一步第一步 电子转移形成离子:电子转移形成离子: Na e Na+ , Cl + e Cl 相应的电子构型变化:相应的电子构型变化: 2s 2 2p 6 3s 1 2s 2 2p 6 , 3s 2 3p 5 3s 2
8、3p 6 形成形成 Ne Ne 和和 ArAr 的稀有气体原子的结构,形成稳定离子。的稀有气体原子的结构,形成稳定离子。第二步第二步 正负离子靠静电吸引,正负离子靠静电吸引, 形成化学键形成化学键 体系的势能与核间距之间的关系如图所示:体系的势能与核间距之间的关系如图所示:图中可见:图中可见: r = rr = r0 0 ,V V 有极小值,有极小值,此时体系最稳定,此时体系最稳定,表明形成离子键。表明形成离子键。r r 为核间距为核间距V V为体系的势能为体系的势能V V0 0VrVr0 0r r0 0r r离子键的形成条件离子键的形成条件1. 1. 元素的电负性差比较大元素的电负性差比较大
9、 1.7 1.7,发生电子转移,产生正、负离子,形成离子键;,发生电子转移,产生正、负离子,形成离子键; 1.7 1.7 1.7 ,实际上是指离子键的成分大于实际上是指离子键的成分大于 50 %50 %)2. 2. 易形成稳定离子易形成稳定离子NaNa+ + 2s 2s2 22p2p6 6, ClCl 3s3s2 23p3p6 6 ,只转移少数的电子就只转移少数的电子就达到稀有气体式稳定结构。达到稀有气体式稳定结构。3. 3. 形成离子键时释放能量多形成离子键时释放能量多Na(s)+ 1/2 ClNa(s)+ 1/2 Cl 2 2(g)= NaCl(s(g)= NaCl(s) ) H=H=41
10、0.9 kJ410.9 kJmolmol1 1在形成离子键时,以放热的形式,释放较多的能量。在形成离子键时,以放热的形式,释放较多的能量。阴离子:大球,密堆积,形成空隙。阳离子:小球,填充空隙。 阴阳离子相互接触稳定; 配位数大,稳定。10.3.1 离子晶体的结构离子晶体的结构三种典型的AB型离子晶体NaCl型个:414112 Na个:4216818 Cl晶格:面心立方配位比:6:6(灰球Na+ , 绿球Cl-)晶胞中离子的个数:CsCl型晶胞中离子的个数:个: 1 Cs个:1818 Cl-( 红球Cs+ , 绿球Cl-)晶格:简单立方配位比: 8:8晶胞中离子的个数:个: 4 Zn2个:48
11、18216 S-2ZnS型(立方型)(灰球Zn2+ , 黄球S2-)配位比:4:4晶格:面心立方离子半径与配位数NaCl晶体NaCl晶体中一层横截面:22)22(2)4(rrr414. 0/rr1 r令414. 0/rr理想的稳定结构(NaCl)rr /配位数构型0.225 0.414 4ZnS 型0.414 0.732 6NaCl 型0.732 1.00 8CsCl 型 半径比规则 定义:在标准状态下,按下列化学反应计量式使离子晶体变为气体正离子和气态负离子时所吸收的能量称为晶格能,用U 表示。-1molkJ786U10.3.2 晶格能晶格能MaXb(s) aMb+(g) + bXa-(g)
12、-1molkJ786rHm(g)Cl+(g)NaNaCl(s)-+例如:rHm1.Born-Haber循环循环(g)Br) s (K) l (Br212K(g)Br (g)U(g)Br212(g)K+KBr(s)+升华焓电离能气化热键能21电子亲和能fHmrHm,1rHm,2rHm,3rHm,4rHm,5rHm,6则:U =681.4kJmol-1=89.2kJmol-1rHm,1=418.8kJmol-1rHm,2=15.5kJmol-1rHm,3=96.5kJmol-1rHm,4=-324.7kJmol-1rHm,5=-681.4kJmol-1rHm,6=-393.8kJmol-1fHm上
13、述数据代入上式求得:rHm,5rHm,6+rHm,1rHm,2rHm,3rHm,4fHm+=2.Born-Lande公式公式 )11 (021nRZKAZU式中:R0正负离子核间距离,Z1,Z2 分别为正负离子电荷的绝对值,A Madelung常数,与晶体类型有关,n Born指数,与离子电子层结构类型有关。1021molkJ )11 (138940nRZAZU为单位时,以,以当 molkJ pm 10URA的取值:CsCl型 A=1.763NaCl型 A=1.748ZnS型 A=1.638n的取值:离 子 电 子层 构 型HeNeArKrXe n 值 5 7 91012)Au(+)(Ag+)
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