材料合成与制备课件：第7章薄膜材料制备（第一章）.ppt

1、第七章第七章 薄膜材料制备薄膜材料制备及检测技术及检测技术 l 薄膜材料及其器件的发展与其制备和检测技术薄膜材料及其器件的发展与其制备和检测技术的发展紧密相关。的发展紧密相关。l 薄膜制备技术正从传统的气相沉积技术的基础薄膜制备技术正从传统的气相沉积技术的基础上，不断结合其他技术形成众多新的制备技术。上，不断结合其他技术形成众多新的制备技术。l 薄膜检测技术面临着越来越多的挑战。独特的薄膜检测技术面临着越来越多的挑战。独特的新型薄膜结构和复杂的薄膜成分，对检测技术新型薄膜结构和复杂的薄膜成分，对检测技术提出了更高的要求。提出了更高的要求。第一节第一节 薄膜材料制备方法薄膜材料制备方法 u薄膜生

2、长方法是获得薄膜的关键。薄膜材料的薄膜生长方法是获得薄膜的关键。薄膜材料的质量和性能不仅依赖于薄膜材料的化学组成，质量和性能不仅依赖于薄膜材料的化学组成，而且与薄膜材料的制备技术具有一定的关系。而且与薄膜材料的制备技术具有一定的关系。u随着科学技术的发展和各学科之间的相互交叉随着科学技术的发展和各学科之间的相互交叉, , 相继出现了一些新的薄膜制备技术。这些薄膜相继出现了一些新的薄膜制备技术。这些薄膜制备方法的出现制备方法的出现, , 不仅使薄膜的质量在很大程不仅使薄膜的质量在很大程度上得以改善度上得以改善, , 而且为发展一些新型的薄膜材而且为发展一些新型的薄膜材料提供了必要的制备技术。料提

3、供了必要的制备技术。 以蒸发沉积为基础发展了电子束蒸发沉积、分以蒸发沉积为基础发展了电子束蒸发沉积、分子束外延薄膜生长子束外延薄膜生长(MBE)(MBE)、加速分子束外延生长、加速分子束外延生长；以载能束与固体相互作用为基础以载能束与固体相互作用为基础, , 先后出现了先后出现了离子束溅射沉积、脉冲激光溅射沉积离子束溅射沉积、脉冲激光溅射沉积(PLD)(PLD)、强、强流离子束蒸发沉积、离子束辅助沉积流离子束蒸发沉积、离子束辅助沉积(IBAD)(IBAD)、低能离子束沉积低能离子束沉积；以等离子体技术为基础发展了等离子体增强化以等离子体技术为基础发展了等离子体增强化学气相沉积学气相沉积(PEC

4、VD)(PECVD)、磁控溅射沉积等。、磁控溅射沉积等。 真空蒸发沉积真空蒸发沉积 磁控溅射法磁控溅射法 离子束溅射沉积离子束溅射沉积 脉冲激光沉积（脉冲激光沉积（PLD） 分子束外延（分子束外延（MBE）直流磁控溅射射频磁控溅射带能束流辅助原位检测分析u化学方法：化学方法：金属有机物化学气相沉积（金属有机物化学气相沉积（MOCVD）热解化学气相沉积热解化学气相沉积激光诱导化学气相沉积（激光诱导化学气相沉积（LCVD）等离子体增强化学气相沉积（等离子体增强化学气相沉积（PECVD）微电子回旋共振化学气相沉积（微电子回旋共振化学气相沉积（MWECRCVD）直流电弧等离子体喷射化学气相沉积直流电弧

5、等离子体喷射化学气相沉积触媒化学气相沉积触媒化学气相沉积(CatCVD ) 一、真空蒸发沉积一、真空蒸发沉积真空真空蒸发沉积设备主要组成蒸发沉积设备主要组成： （1 1）真空镀膜室）真空镀膜室 （2 2）真空抽气系统）真空抽气系统 （3 3）真空测量系统真空测量系统原理：原理：真空条件下真空条件下 蒸发源材料加热蒸发源材料加热 脱离材料表面束缚脱离材料表面束缚 原子分子作直线运动原子分子作直线运动 遇到待沉积基片遇到待沉积基片 沉积沉积成膜。成膜。蒸发镀膜设备蒸发镀膜设备真空蒸发镀膜工艺实例真空蒸发镀膜工艺实例Al膜制备：膜制备：（1 1）悬挂铝丝；）悬挂铝丝； （2 2）基片清洗及放置；）基

6、片清洗及放置；（3 3）系统抽真空；）系统抽真空；（4 4）衬底预热；）衬底预热；（5 5）预蒸；）预蒸；（6 6）蒸发；）蒸发；（7 7）停机。）停机。二、磁控溅射沉积二、磁控溅射沉积l 所谓所谓“溅射溅射”就是荷能粒子轰击固体表面就是荷能粒子轰击固体表面（靶），使固体原子（或分子）从表面射出的（靶），使固体原子（或分子）从表面射出的现象。应用这一现象将溅射出来的物质沉积到现象。应用这一现象将溅射出来的物质沉积到基片或工作表面形成薄膜的方法称为基片或工作表面形成薄膜的方法称为溅射（镀溅射（镀膜）法膜）法。l 溅射法被广泛地应用于制备金属、合金、半导溅射法被广泛地应用于制备金属、合金、半导体、

7、氧化物、碳化物、氮化物等。体、氧化物、碳化物、氮化物等。l 溅射过程是建立在溅射过程是建立在辉光放电辉光放电的基础上，即溅射的基础上，即溅射离子都来源于气体的放电。辉光放电产生于真离子都来源于气体的放电。辉光放电产生于真空度为空度为101Pa的稀薄气体中的外加电压的两电的稀薄气体中的外加电压的两电极间。极间。q 溅射原理溅射原理 向高真空系统内加入少量所需气体（如氩、氧、向高真空系统内加入少量所需气体（如氩、氧、氮等），气体分子在强电场的作用下电离而产氮等），气体分子在强电场的作用下电离而产生辉光放电。生辉光放电。 气体电离后产生的带正电荷的离子受电场加速气体电离后产生的带正电荷的离子受电场加

8、速而形成等离子流，它们撞击到设置在阴极的靶而形成等离子流，它们撞击到设置在阴极的靶材表面上，使靶表面的原子飞溅出来，以自由材表面上，使靶表面的原子飞溅出来，以自由原子原子的的形式形式，或，或与反应气体分子形成化合物的与反应气体分子形成化合物的形式形式，沉积到衬底表面形成薄膜层。沉积到衬底表面形成薄膜层。（也称阴（也称阴极溅射法）极溅射法）v 射频磁控溅射系统基本结构射频磁控溅射系统基本结构v 磁控射频溅射工作原理磁控射频溅射工作原理洛仑兹力：洛仑兹力：F F = q( E + v B )radio frequency sputtering systemLesker Radio Frequenc

9、y Sputtering SystemDual-RF-plasma Pulsed-Laser Deposition (PLD) System三、离子束辅助沉积 离子束辅助沉积装置的原理简图离子束辅助沉积装置的原理简图 离子束结合微波电子回旋共振辅助沉积离子束结合微波电子回旋共振辅助沉积800100012001400160018002000050100150200250GDINTENSITY (a.u.)RAMAN SHIFT (cm-1)CN膜的典型的RAMAN谱v（平衡）磁控溅射与非平衡磁控溅射（平衡）磁控溅射与非平衡磁控溅射E Bl 磁控溅射靶的设计磁控溅射靶的设计主要优点：主要优点： 等

10、离子体密度高等离子体密度高 均匀区体积大均匀区体积大 伏安特性具有两种模伏安特性具有两种模式：电压模式与电流式：电压模式与电流模式模式 可实现超低工作气压可实现超低工作气压下磁控靶自持交叉场下磁控靶自持交叉场放电放电真空室真空室 600600800800，均匀区，均匀区 300300，区内均匀，区内均匀度度5 5，靶基距，靶基距100-200100-200，工作气压，工作气压1010-2-2PaPa，本底真空本底真空1010-5-5PaPa，离化率，离化率1010 磁场位形对放电特性的影响磁场位形对放电特性的影响电压模式电流模式微波ECR等离子体增强非平衡磁控溅射照片v 等离子体增强磁控溅射特

11、点（1）工作气体的电离率高，可以产生高密度的等离子体。）工作气体的电离率高，可以产生高密度的等离子体。（2）溅射气压低，一般在）溅射气压低，一般在0.10.005 Pa范围内，低于磁控范围内，低于磁控溅射的工作气压；通常在这个气压范围内，溅射粒子溅射的工作气压；通常在这个气压范围内，溅射粒子的平均自由程大于靶基距，溅射粒子不会因发生碰撞的平均自由程大于靶基距，溅射粒子不会因发生碰撞而损失能量，这意味着薄膜生长所需能量不但可以由而损失能量，这意味着薄膜生长所需能量不但可以由离子提供，而且也可以由中性溅射原子提供。离子提供，而且也可以由中性溅射原子提供。（3）微波）微波-ECR等离子体离子能量低，

12、对基片的损伤很小。等离子体离子能量低，对基片的损伤很小。（4）有可能在低温下合成亚稳态薄膜，为新材料的合成和）有可能在低温下合成亚稳态薄膜，为新材料的合成和制备提供了又一有力手段。制备提供了又一有力手段。四、脉冲激光溅射沉积(PLD)激光器靶靶基片l PLDlEquipmentThe principal components:Target holder (red) Substrate heater (yellow) Vacuum pumps (E) Pressure gauges (P) Gas valves (N2 and O2) Windows (OW and LW) The parame

13、ters of laser:wavelength l l = 248 nm maximum pulse energy Emax = 600 mJ pulse duration t t = 25 ns vApplications Pulsed laser deposition (PLD) is applicable to almost any material, in particular to compounds that are difficult or impossible to produce in thin-film form by other techniques. Typical

14、examples are complex ceramic materials such as high-temperature superconductors, and certain magnetic materials (e.g., yttrium iron garnet (YIG) and magnetic shape-memory (MSM) alloy Ni-Mn-Ga). 五、分子束外延五、分子束外延 分子束外延分子束外延(MBE)(MBE)是在超高真空环境的一是在超高真空环境的一种薄膜沉淀技术。种薄膜沉淀技术。 所谓所谓“外延外延”是指在一定的单晶材料衬底是指在一定的单晶材料衬底

15、上，沿着衬底的某个晶面方向生长单晶薄上，沿着衬底的某个晶面方向生长单晶薄膜。膜。 MBEMBE是目前被广泛使用的重要外延技术之是目前被广泛使用的重要外延技术之一（外延技术主要包括一（外延技术主要包括气相外延、液相外气相外延、液相外延、分子束外延延、分子束外延）。）。v与其它的薄膜材料生长技术相比，与其它的薄膜材料生长技术相比，MBE的突出优点有：的突出优点有：（1）由于是在超高真空环境下，因此可以利用许多测试）由于是在超高真空环境下，因此可以利用许多测试技术对薄膜的生长作原位的监测，如反射高能电子技术对薄膜的生长作原位的监测，如反射高能电子衍射（衍射（RHEED），俄歇电子能谱（），俄歇电子能

16、谱（AES）和）和X射线射线光电子能谱（光电子能谱（XPS）等。）等。（2）超高真空环境使得所生长的薄膜具有很好的单晶质）超高真空环境使得所生长的薄膜具有很好的单晶质量。量。（3）可通过控制束流来调节生长速率，从而生长出超薄）可通过控制束流来调节生长速率，从而生长出超薄薄膜。薄膜。（4）在较低的生长温度下，可以避免异质结界面的相互）在较低的生长温度下，可以避免异质结界面的相互扩散，从而在界面处能够形成突变的结构。扩散，从而在界面处能够形成突变的结构。v MBE生长原理生长原理 从分子束喷射炉中喷射出来的分子或原子达到衬底表从分子束喷射炉中喷射出来的分子或原子达到衬底表面时，因表面力场的吸附作用

17、而被衬底表面吸附，并面时，因表面力场的吸附作用而被衬底表面吸附，并经迁移、再排列等若干动力学过程，最后在适当的位经迁移、再排列等若干动力学过程，最后在适当的位置上释放出汽化热，形成晶核或嫁接到晶格结点上，置上释放出汽化热，形成晶核或嫁接到晶格结点上，形成外延膜。形成外延膜。 部分能量较大的分子可能会从衬底表面重新脱附，重部分能量较大的分子可能会从衬底表面重新脱附，重返气相中。在一定条件下，吸附与解吸处于动态平衡。返气相中。在一定条件下，吸附与解吸处于动态平衡。 如果分子达到衬底表面的速率小于衬底表面分子的再如果分子达到衬底表面的速率小于衬底表面分子的再蒸发速率，衬底上将得不到外延沉积。蒸发速率

18、，衬底上将得不到外延沉积。 只有分子达到速率大于再蒸发速率时，衬底上才会有只有分子达到速率大于再蒸发速率时，衬底上才会有外延沉积。外延沉积。vMBE设备设备MBE生长室结构示意图生长室结构示意图双室双室MBE系统示意图系统示意图MBE设备设备l外延膜的晶格失配外延膜的晶格失配晶格失配度对外延博膜界晶格失配度对外延博膜界面状态的影响面状态的影响Si 上外延上外延GexSix-1时无位错外延时无位错外延层厚度随层厚度随Ge含量含量x的变化的变化六、化学气相沉积（六、化学气相沉积（CVDCVD）化学气相沉积过程化学气相沉积过程CVD系统Thermal CVDv MOCVD七、化学束外延（七、化学束外

19、延（CBECBE）或金属有机物）或金属有机物- -分子束外延（分子束外延（MOMBEMOMBE）v 化学束沉积化学束沉积（CBE） 采用与采用与MOCVD相似的载流气体相似的载流气体和 有 机 源 以 及和 有 机 源 以 及MBE相似的高真相似的高真空生长室。空生长室。CBE生长室示意图 金属有机物金属有机物- -分子束外延（分子束外延（MOMBEMOMBE）Ga(CH3)3 + AsH3 GaAs + 3CH4v 光光MOMBE系统系统八、液相外延（八、液相外延（LPELPE）v设备设备LPELPE设备简单，包括氢净化系统，真空系统，精设备简单，包括氢净化系统，真空系统，精密控温外延炉，石

20、英管，多母液槽石墨舟等。密控温外延炉，石英管，多母液槽石墨舟等。LPE的的“舟舟”v工艺条件工艺条件 生长速率取决于母液的过冷度、生长元素在母生长速率取决于母液的过冷度、生长元素在母液中向衬底扩散的速率、生长时间和冷却速率。液中向衬底扩散的速率、生长时间和冷却速率。步冷法步冷法 步冷法适合于单一外延层的生长。把在温度步冷法适合于单一外延层的生长。把在温度T1下饱和下饱和的母液，冷却的母液，冷却到到T2后，与衬底接触，经时间后，与衬底接触，经时间t后推出，后推出，外延层厚度外延层厚度d与步冷温度与步冷温度 T=T1-T2及生长时间的关系为：及生长时间的关系为：d = k Tt1/2 式中式中k为

21、与生长元素在母液中扩散有关的常数。为与生长元素在母液中扩散有关的常数。2323九、溶胶凝胶（九、溶胶凝胶（sol-gelsol-gel）法）法包括提拉法和甩胶法两种工艺。适合于氧化物包括提拉法和甩胶法两种工艺。适合于氧化物薄膜的制备。薄膜的制备。将成膜物质溶解于有机溶剂中，制成有机溶胶。将成膜物质溶解于有机溶剂中，制成有机溶胶。提拉法是将基片直接浸入溶胶中，然后按一定提拉法是将基片直接浸入溶胶中，然后按一定速率提起，溶胶均匀涂在基片表面。在一定温速率提起，溶胶均匀涂在基片表面。在一定温度条件下，基片表面的溶胶将转化成凝胶，并度条件下，基片表面的溶胶将转化成凝胶，并分解成氧化物。分解成氧化物。甩

22、胶法是在匀胶机上进行。将基片放在匀胶机甩胶法是在匀胶机上进行。将基片放在匀胶机上，并在基片表面上滴上溶胶，经匀胶机的高上，并在基片表面上滴上溶胶，经匀胶机的高速旋转，在基片上均匀涂覆溶胶。速旋转，在基片上均匀涂覆溶胶。v 溶胶形成过程溶胶形成过程M-O-R + H2O M-OH + R-OH (hydrolysis) M-OH + HO-M M-O-M + H2O (water condensation) M-O-R + HO-M M-O-M + R-OH (alcohol condensation) (M = Si, Zr, Ti)v 提拉法提拉法提拉设备工作原理提拉设备工作原理提拉设备提拉

23、设备v 匀胶法匀胶法匀胶设备匀胶设备匀胶机滴胶机左为匀胶机，右为滴胶机左为匀胶机，右为滴胶机l薄膜的制备方法多，发展快；薄膜的制备方法多，发展快；l物理方法与化学方法各具特点。应针对物理方法与化学方法各具特点。应针对不同的材料特点，慎重选择制备方法；不同的材料特点，慎重选择制备方法；l软化学方法制膜技术制备条件要求较低，软化学方法制膜技术制备条件要求较低，适合制备复杂组分的薄膜材料，且成本适合制备复杂组分的薄膜材料，且成本低廉，具有很好的发展前景。低廉，具有很好的发展前景。第二节第二节 薄膜材料检测技术薄膜材料检测技术q 表面分析技术表面分析技术 表面分析原理表面分析原理SampleExcit

24、ationsourceEnergy SelectorSignal DetectorEvent 分析技术及其适用范围探测粒子探测粒子 发射粒子发射粒子分析方法名称分析方法名称简称简称 主要用途主要用途 e e低能电子衍射低能电子衍射 LEED结构结构e e反射式高能电子衍射反射式高能电子衍射 RHEED结构结构e e俄歇电子能谱俄歇电子能谱 AES成分成分e e扫描俄歇探针扫描俄歇探针 SAM微区成分微区成分e e电离损失谱电离损失谱 ILS成分成分e 能量弥散能量弥散x射线谱射线谱 EDXS成分成分e e俄歇电子出现电势谱俄歇电子出现电势谱 AEAPS成分成分e 软软x射线出现电势谱射线出现电

25、势谱SXAPS成分成分e e消隐电势谱消隐电势谱DAPS成分成分e e电子能量损失谱电子能量损失谱EELS原子及电子态原子及电子态e I电子诱导脱附电子诱导脱附ESD吸附原子态及成分吸附原子态及成分e e透射电子显微镜透射电子显微镜TEM形貌形貌e e扫描电子显微镜扫描电子显微镜SEM形貌形貌ee扫描透射电子显微镜扫描透射电子显微镜STEM形貌形貌 各分析方法的工作方式各分析方法的工作方式探测粒子探测粒子 发射粒子发射粒子分析方法名称分析方法名称简称简称 主要用途主要用途 I I离子探针质量分析离子探针质量分析IMMA微区成分微区成分I I静态次级离子质谱静态次级离子质谱SSIMS成分成分I

26、n次级中性离子质谱次级中性离子质谱SNMS成分成分I I离子散射谱离子散射谱ISS成分、结构成分、结构I I卢瑟福背散射谱卢瑟福背散射谱RBS成分、结构成分、结构I e离子中和谱离子中和谱INS最表层电子态最表层电子态I 离子激发离子激发x射线谱射线谱IEXS原子及电子态原子及电子态各分析方法的工作方式各分析方法的工作方式探测粒子探测粒子 发射粒子发射粒子分析方法名称分析方法名称简称简称 主要用途主要用途 ex射线光电子谱射线光电子谱XPS成分、化合态成分、化合态 e紫外线光电子谱紫外线光电子谱UPS分子及固体电子态分子及固体电子态 e同步辐射光电子谱同步辐射光电子谱SRPES成分、原子及电子

27、态成分、原子及电子态 红外吸收谱红外吸收谱IR原子态原子态 拉曼散射谱拉曼散射谱RAMAN原子态原子态 扩展扩展x射线吸收谱精细结构射线吸收谱精细结构SEXAFS结构结构 角分辨光电子谱角分辨光电子谱ARPES原子及电子态结构原子及电子态结构 I光子诱导脱附谱光子诱导脱附谱PSD原子态原子态各分析方法的工作方式各分析方法的工作方式探测粒子探测粒子 发射粒子发射粒子分析方法名称分析方法名称简称简称 主要用途主要用途 Ee场电子显微镜场电子显微镜FEM结构结构EI场离子显微镜场离子显微镜FIM结构结构EI场离子显微镜场离子显微镜-原子探针原子探针AP-FIM结构及成分结构及成分Ee场电子发射能量分

28、布场电子发射能量分布FEED电子态电子态Ee扫描隧道显微镜扫描隧道显微镜STM形貌形貌Tn热脱附谱热脱附谱TDS原子态原子态n 中性粒子碰撞诱导辐射中性粒子碰撞诱导辐射SCANIIR成分成分n n分子束散射分子束散射MBS结构、原子态结构、原子态AWAW声显微镜声显微镜AM形貌形貌原子力显微镜原子力显微镜AFM形貌形貌 部分表面分析设备的分析范围部分表面分析设备的分析范围 各各分析技术的应用领域及其效果分析技术的应用领域及其效果XPS AES ILS ISS RBS SIMS 测氢测氢 NoNoNoNoNoYes元素灵敏度均匀性元素灵敏度均匀性 GoodGoodBadGoodGoodBad最小

29、可检测灵敏度最小可检测灵敏度 10-2-10-310-2-10-310-910-2-10-310-2-10-310-4-10-5定量分析定量分析 GoodYesBadBadGoodBad化学态判断化学态判断 GoodYesYesBadBadBad谱峰分辨率谱峰分辨率 GoodGoodGoodBadBadGood识谱难易识谱难易 GoodGoodGood-表面探测深度表面探测深度 MLsMLsMLsMLML- mML- MLs空间分辨率空间分辨率 BadGoodGoodBadBadGood无损检测无损检测 YesYesYesNoYesYes理论数据完整性理论数据完整性 GoodYesBadYes

30、GoodBadXPS: x射线光电子谱射线光电子谱; AES:俄歇电子能谱俄歇电子能谱; ILS:电离损失谱电离损失谱; ISS:离子散射谱离子散射谱; RBS:卢瑟福背散射谱卢瑟福背散射谱; SIMS:静态次级离子质谱静态次级离子质谱q 薄膜厚度测定薄膜厚度测定 椭偏仪法椭偏仪法l 椭偏仪法是利用椭圆偏振光在薄膜表面反射时会改变偏振状椭偏仪法是利用椭圆偏振光在薄膜表面反射时会改变偏振状态的现象来测量薄膜的厚度和光学常数。态的现象来测量薄膜的厚度和光学常数。l 一束入射角为一束入射角为 0的平行光束射到薄膜表面上，在空气的平行光束射到薄膜表面上，在空气/薄膜界薄膜界面和（或）薄膜面和（或）薄膜

31、/衬底界面经过反复的反射和折射，反射率衬底界面经过反复的反射和折射，反射率R 和透射率和透射率T 有以下关系：有以下关系： R=r01+r12 exp(-2i ) / 1+ r01r12 exp(-2i ) T=t01t12 exp(-i ) / 1+ r01r12 exp(-2i ) （2 n1 d / l l) cos 0 式中式中d和和n1为薄膜的厚度和折射率，为薄膜的厚度和折射率， r01、r12 、 t01、t12分别为分别为0、1、2介介质（质（0、1、2分别代表空气、薄膜、衬底）界面上的反射率和透射率。分别代表空气、薄膜、衬底）界面上的反射率和透射率。l 利用它们的利用它们的s分

32、量和分量和p分量，得椭圆偏振测量公式：分量，得椭圆偏振测量公式： Rp/Rstan exp(i ) 测量测量 和和 ，便可求出薄膜厚度。，便可求出薄膜厚度。激光器起偏器波片样品检偏器光电倍增管椭圆法测量椭圆法测量 和和 的原理图的原理图表面粗糙度仪法表面粗糙度仪法l 又叫触针法。它是利用直径很小的触针滑过被又叫触针法。它是利用直径很小的触针滑过被测薄膜的表面，同时记录下触针在垂直方向上测薄膜的表面，同时记录下触针在垂直方向上的移动情况，画出薄膜的轮廓。该法可以测量的移动情况，画出薄膜的轮廓。该法可以测量从基片到薄膜薄膜的高度，即膜厚。从基片到薄膜薄膜的高度，即膜厚。l 优点：直观；精度高。优点：直观；精度高。l 缺点：易划伤薄膜，并引起误差；需事先制备缺点：易划伤薄膜，并引起误差；需事先制备台阶；不能在制膜过程中实时检测台阶；不能在制膜过程中实时检测。触针测厚计的传感器触针测厚计的传感器（a）差动变压器法，（b）阻抗法 扫描电镜法扫描电镜法 根据扫描电镜照片标尺确定薄膜厚度1 ml薄膜材料制备方法主要有哪些？薄膜材料制备方法主要有哪些？l比较磁控溅射法与化学气相沉积比较磁控溅射法与化学气相沉积法的特点。法的特点。l薄膜成分、结构检测的主要方法薄膜成分、结构检测的主要方法有哪些？它们各有何特点？有哪些？它们各有何特点？