材料腐蚀与防护9-11.ppt
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- 材料 腐蚀 防护 11
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1、l第一节第一节 金属高温氧化的热力学金属高温氧化的热力学l第二节第二节 金属高温氧化的动力学金属高温氧化的动力学l第三节第三节 金属的氧化膜金属的氧化膜l第四节第四节 合金的氧化合金的氧化 l一一 高温腐蚀(氧化)的定义:高温腐蚀(氧化)的定义:l 金属材料在高温下与环境介质发生反应引起的破坏。金属材料在高温下与环境介质发生反应引起的破坏。l或者说,在高温下金属向金属氧化物变化的过程。或者说,在高温下金属向金属氧化物变化的过程。l 也可以说,金属和高温环境介质中的氧化合而生成也可以说,金属和高温环境介质中的氧化合而生成金属氧化物。金属氧化物。l二二 高温介质高温介质l1 高温气体介质高温气体介
2、质l(1)单分子气体:)单分子气体:O2, H2, N2 F2, Cl2;l(2)非金属化合物气态分子:)非金属化合物气态分子:H2O, CO2, SO2, H2S, NH4;l(3)金属氧化物气态分子:)金属氧化物气态分子:MoO3, V2O5; l(4)金属盐气态分子:)金属盐气态分子:NaCl, Na2SO4;l2 高温液态介质高温液态介质l (1)液态熔盐:硝酸盐,硫酸盐,碱;)液态熔盐:硝酸盐,硫酸盐,碱;l (2)液态金属:)液态金属:Pb, Sn, Bi, Hg;l3 高温固体介质高温固体介质l(1)金属或非金属固态粒子:)金属或非金属固态粒子:C, S, Al;l (2)氧化物
3、灰分:)氧化物灰分:V2O5, 盐颗粒(如盐颗粒(如NaCl););金属材料的高温腐蚀分类金属材料的高温腐蚀分类类类 别别腐腐 蚀蚀 介介 质质气态介质腐气态介质腐蚀:蚀:化学腐蚀化学腐蚀燃气腐蚀燃气腐蚀单质气体分子:单质气体分子:O2、H2、N2、F2、Cl2非金属化合物气态分子:非金属化合物气态分子:H2O、CO2、SO2、H2S 、CO、CH4、HCl、HF、NH3金属氧化物气态分子:金属氧化物气态分子:MoO2、V2O5金属盐气态分子:金属盐气态分子:NaCl、NaSO4液 态 介 质液 态 介 质腐蚀:腐蚀:热腐蚀热腐蚀低熔点金属化合物气态分子:低熔点金属化合物气态分子:V2O5液态
4、金属:液态金属:Pb、Bi 、Hg 、Sn液态融盐:硝酸盐、硫酸盐、氯化物、碱液态融盐:硝酸盐、硫酸盐、氯化物、碱固态介质腐蚀:固态介质腐蚀:磨蚀(冲蚀)磨蚀(冲蚀)金属与非金属金属与非金属固态粒子:固态粒子:C、S、Al氧化物灰分:氧化物灰分:V2O5盐颗粒:盐颗粒:NaCl一一 高温氧化的可能性与方向性高温氧化的可能性与方向性l金属高温氧化反应:金属高温氧化反应:l (91)l按照按照Vant Hoff 等温方程式,在温度等温方程式,在温度T下此反应的自由能变化:下此反应的自由能变化:l l (92)l式中式中 为体系气相中氧分压。为体系气相中氧分压。l 22MOOM22lnOMMOTTp
5、aaRTGG2Opl吉布斯(吉布斯(Gibbs)标准自由能变化与反应平)标准自由能变化与反应平衡常数的关系:衡常数的关系:l (93)l将式(将式(93)代入式()代入式(92)l l l (94)l式中:式中: 为体系气相中氧分压。为体系气相中氧分压。l 为氧化物的分解压。为氧化物的分解压。2Op22lnlnOMMOTpaaRTKRTG2222ln1ln1lnOOOOTppRTpRTpRTG2Opl 由氧化物的分解压由氧化物的分解压 与气相中的氧分压与气相中的氧分压 l 的相对大小判断金属发生高温氧化反应的的相对大小判断金属发生高温氧化反应的可能性:可能性:l1 高温氧化反应达到平衡;高温氧
6、化反应达到平衡;l2 高温氧化反应自发进行;高温氧化反应自发进行;l3 氧化物分解为金属和氧;氧化物分解为金属和氧;l氧化物的分解压氧化物的分解压 可由实验测试数据得到可由实验测试数据得到或由热力学数据计算得到。或由热力学数据计算得到。2Op2Op0,22GppOO即当, 0,22GppOO即当, 0,22GppOO即当2Op反应式反应式 分解压分解压/kPa 反应式反应式 分解压分解压/kPaFeO=Fe+1/2O2 1.710-13 Cr2O3=2Cr+3/2O2 2.310-20 Fe3O4=3FeO+1/2O2 2.810-11 Al2O3=2Al+3/2O2 1.310-33 Fe2
7、O3=2FeO+1/2O21.710-4 MnO=Mn+1/2O2 1.110-22CoO=Co+1/2O2 1.610-10 Mn3O4=3MnO+1/2O2 2.210-4 Co3O4=3CoO+1/2O2 2.7102 Mn2O3=2/3Mn3O4+1/2O2 1.1102 l由热力学数据计算氧化物的分解压由热力学数据计算氧化物的分解压l将式(将式(93)化简:)化简:l l (95)l可见,求出温度可见,求出温度T下反应的标准自由能变化下反应的标准自由能变化值值 ,可计算该温度,可计算该温度T下氧化物的分解下氧化物的分解l压压 。2Op)(lg15.191lnln122molJpTpR
8、TKRTGOOTTG2Opl二二 系统标准吉布斯(系统标准吉布斯(Gibbs)自由能)自由能温度图温度图l l 的作用在于对某一金属的作用在于对某一金属氧化物在一定温度下标准吉布斯自由能的估算。氧化物在一定温度下标准吉布斯自由能的估算。由此判断金属氧化物在标准状态下的稳定性和由此判断金属氧化物在标准状态下的稳定性和一种氧化物还原另一种金属氧化物的可能性一种氧化物还原另一种金属氧化物的可能性。平衡图)TG(平衡图TGl一一 金属高温氧化的基本过程金属高温氧化的基本过程l1 高温氧化反应高温氧化反应l 金属与氧化介质接触后,其界面上形成氧金属与氧化介质接触后,其界面上形成氧化产物膜。化产物膜。l其
9、氧化反应方程式:其氧化反应方程式:nMOOnM22 2 氧化膜的形成:氧化膜的形成:l 金属的表面具有较高的能量(表面能),可以自动吸金属的表面具有较高的能量(表面能),可以自动吸收环境介质中的分子和原子。高温下介质中的氧在裸露的收环境介质中的分子和原子。高温下介质中的氧在裸露的金属表面上的吸附,起初为氧分子的物理吸附,形成一种金属表面上的吸附,起初为氧分子的物理吸附,形成一种松散结合的吸附层;接着氧分子离解,变成紧密结合的化松散结合的吸附层;接着氧分子离解,变成紧密结合的化学吸附。学吸附。l 金属表面点阵缺陷的露头处具有更大的吸附能力,易金属表面点阵缺陷的露头处具有更大的吸附能力,易使氧化物
10、生核。提高氧的浓度增加氧化物的生核速率。适使氧化物生核。提高氧的浓度增加氧化物的生核速率。适当提高温度增大氧化物晶核长大速率,加速连续氧化膜的当提高温度增大氧化物晶核长大速率,加速连续氧化膜的生成进程,直至完全覆盖金属表面,形成完整的氧化膜。生成进程,直至完全覆盖金属表面,形成完整的氧化膜。l3 一旦形成氧化膜,氧化过程的继续取决于一旦形成氧化膜,氧化过程的继续取决于l 两个因素:两个因素:l (1)界面反应速度;)界面反应速度;l (2)参加反应物质通过氧化膜的扩散和迁移速度;)参加反应物质通过氧化膜的扩散和迁移速度;l4 氧化膜生长历程:氧化膜生长历程:l (1)膜的生长区域在氧化物)膜的
11、生长区域在氧化物/气体界面上;气体界面上;l (2)膜的生长区域在金属)膜的生长区域在金属/氧化物界面上;氧化物界面上;l (3)膜的生长区域在氧化膜内;)膜的生长区域在氧化膜内;O2O2图金属氧化过程中离子扩散方式与膜生成位置关系9.6 l二二 金属氧化的动力学规律金属氧化的动力学规律l1 直线规律直线规律l 氧化速率直接由形成氧化物的化学反应所决定。氧化速率直接由形成氧化物的化学反应所决定。氧化反应在金属表面不能形成保护性氧化膜,或在反氧化反应在金属表面不能形成保护性氧化膜,或在反应期间形成气相或液相产物而脱离金属表面。应期间形成气相或液相产物而脱离金属表面。氧化速氧化速率恒定不变,由形成
12、氧化物的化学反应所决定率恒定不变,由形成氧化物的化学反应所决定。l l l (910,911)CtkykdtdyLLl2 抛物线规律抛物线规律l 多数金属和合金的氧化动力学规律符合抛多数金属和合金的氧化动力学规律符合抛物线规律,形成具有保护性的氧化膜。物线规律,形成具有保护性的氧化膜。氧化反氧化反应主要受金属离子和氧在固体膜中的扩散控制应主要受金属离子和氧在固体膜中的扩散控制。l l (912,913)Ctkyykdtdypp2l 实际上,许多金属的氧化偏离平方抛物线实际上,许多金属的氧化偏离平方抛物线规律,用通式表达为:规律,用通式表达为:l (1 n 3 )ln2时,说明氧化的扩散阻滞作用
13、比膜增厚所时,说明氧化的扩散阻滞作用比膜增厚所产生的阻滞更严重;其原因可能是产生的阻滞更严重;其原因可能是合金氧化物合金氧化物的惨杂、致密阻挡层的形成的惨杂、致密阻挡层的形成。Ctkypnl3 对数规律和反对数规律对数规律和反对数规律l 有些金属在低温或室温下氧化时,服从对数或反有些金属在低温或室温下氧化时,服从对数或反对数规律。对数规律。l对数规律:对数规律:l l (916,917)l反对数规律:反对数规律:l l (918,919))lg(321ktkkyAedtdyBytkkyAedtdyyBlg154/l4 立方规律立方规律l 在一定的低温范围内,某些金属的氧化服在一定的低温范围内,
14、某些金属的氧化服从立方规律:从立方规律:l 立方规律出现在低温薄氧化膜的形成过程,立方规律出现在低温薄氧化膜的形成过程,其控制过程与氧化物空间电荷的输送过程有关。其控制过程与氧化物空间电荷的输送过程有关。CtkyC3l三三 影响金属氧化速度的因素影响金属氧化速度的因素l1 温度的影响温度的影响l 温度升高使金属氧化的速度显著增大。温度升高使金属氧化的速度显著增大。l反应速度常数:反应速度常数:l (946)l扩散系数:扩散系数:l (947)l式中式中 Z, D0 为常数;为常数;l 为界面反应活化能;为界面反应活化能;l 为扩散激活能;为扩散激活能;)exp(RTQZk)exp(0RTQDD
15、dQdQl金属氧化速度与温度的关系表达式:金属氧化速度与温度的关系表达式:l l (948,949)l式中式中 A 为常数;为常数;l Q 为金属氧化的活化能;为金属氧化的活化能;l可见,金属氧化速度的对数与可见,金属氧化速度的对数与1/T 成直线关系。成直线关系。RTQAvRTQAdtdyv3 . 2lglg)exp(l2 氧压的影响氧压的影响l(1)对于金属过剩型氧化物()对于金属过剩型氧化物(n型半导体)型半导体)l如如Zn/ZnO 体系,氧化反应:体系,氧化反应:l 氧化物氧化物ZnO膜的生长速度由膜的生长速度由Zn2向外扩散的速度向外扩散的速度控制。增加氧压对控制。增加氧压对ZnO/
16、O2界面上的界面上的Zn2+浓度影响很小,浓度影响很小,由此由此Zn的氧化速度几乎与氧压无关。的氧化速度几乎与氧压无关。ZnOeZnO22122l(2)对于金属不足型氧化膜)对于金属不足型氧化膜l (P型半导体)型半导体)l如如Cu/Cu2O/O2体系,氧化反应:体系,氧化反应:l式中式中 为膜中为膜中Cu+离子空位;离子空位;l 为电子空穴;为电子空穴;222122CuOCuOCul由质量作用定律,并考虑到由质量作用定律,并考虑到 l由此由此 l式中式中 A, K 为常数;为常数;l 由于氧化速度受阳离子空位的迁移控制,由于氧化速度受阳离子空位的迁移控制,氧压增加,阳离子空位浓度增大,氧化速
17、度增氧压增加,阳离子空位浓度增大,氧化速度增高;若达到氧的溶解度极限,氧压再增大,氧高;若达到氧的溶解度极限,氧压再增大,氧化速度也不明显。化速度也不明显。aaCu222142122OOpapaaKCuCu281OpAaCul3 气体介质的影响气体介质的影响l 不同的气体介质对金属和合金的氧化影响有很大不同的气体介质对金属和合金的氧化影响有很大的差别。如表的差别。如表97。l与金属氧化物比较,硫化物有下列特性:与金属氧化物比较,硫化物有下列特性:l(1)热力学稳定性差,)热力学稳定性差,l(2)体积大;)体积大;l(3)晶格缺陷多;)晶格缺陷多;l(4)硫化物与金属、氧化物或别的硫化物生成低熔
18、点)硫化物与金属、氧化物或别的硫化物生成低熔点共晶物;共晶物;混合气氛混合气氛碳钢碳钢18-8不锈钢不锈钢碳钢碳钢/18-8钢钢纯纯空气空气55.20.44138大气大气57.20.46124纯空气纯空气+2%SO265.20.8676大气大气+2%SO265.21.1358大气大气+5%SO2+5%H2O152.43.5843大气大气+5%CO2+5%H2O100.44.5822纯空气纯空气+ 5%CO276.91.1765纯空气纯空气+5%H2O74.23.2423表表9.7 混合气体中碳钢和混合气体中碳钢和18-8不锈钢的氧化增重(不锈钢的氧化增重(9000C,24h)()(mg/cm2
19、)l一一 氧化膜的分类与结构氧化膜的分类与结构l1 按氧化膜厚度按氧化膜厚度l(1)厚膜)厚膜 膜厚膜厚500nm;l(2)中等膜)中等膜 膜厚膜厚 50500nm;l(3)薄膜)薄膜 膜厚膜厚40nm;l2 按氧化膜结构按氧化膜结构l(1)离子导体型氧化物)离子导体型氧化物l 电导率约为(电导率约为(10-61)-1cm-1; 其熔点随电荷数其熔点随电荷数增加而增加;导电性随温度升高而降低;依据离子迁增加而增加;导电性随温度升高而降低;依据离子迁移的形式,将离子导体分为四种:移的形式,将离子导体分为四种:l 阳离子导体阳离子导体 如如 AgCl, MgO, CaO;l 阴离子导体阴离子导体
20、如如 PbCl2,Al2O3,La2O3;l 混合离子导体混合离子导体 如如 NaCl, KCl;l 金属间化合物金属间化合物 如如 Mg2Pb2,MgSn;l(2)半导体型氧化物)半导体型氧化物l 电导率约为(电导率约为(10-10103 )-1cm-1; 导电性随温度导电性随温度的升高而增加;的升高而增加;l 依据金属氧化物的离子晶体中过剩组分的不同,依据金属氧化物的离子晶体中过剩组分的不同,可分为:可分为:l 金属离子过剩型半导体(金属离子过剩型半导体(n型半导体)型半导体)l 过剩的金属离子处于晶格间隙,同样,间隙中存过剩的金属离子处于晶格间隙,同样,间隙中存在电子运动;在电子运动;l
21、 这类氧化物的氧化膜整体显中性,随着氧压的增这类氧化物的氧化膜整体显中性,随着氧压的增加,其间隙离子和准自由电子减少,电导率降低。加,其间隙离子和准自由电子减少,电导率降低。l 金属离子不足型半导体金属离子不足型半导体l (p型半导体)型半导体)l 晶体内存在阳离子空位和电子空穴;在氧晶体内存在阳离子空位和电子空穴;在氧化物形成过程中,氧离子、阳离子空位和电子化物形成过程中,氧离子、阳离子空位和电子空穴都向内迁移,金属离子和电子则向外迁移,空穴都向内迁移,金属离子和电子则向外迁移,在晶体内部形成新的氧化物层。在晶体内部形成新的氧化物层。l3 金属氧化物的晶体结构金属氧化物的晶体结构l 由于各种
22、氧化物的高温热力学稳定性不同,由于各种氧化物的高温热力学稳定性不同,纯金属在不同环境条件下形成不同结构的氧化纯金属在不同环境条件下形成不同结构的氧化膜。膜。l 铁在空气中在铁在空气中在570以下氧化时,形成的以下氧化时,形成的氧化膜由氧化膜由Fe3O4和和Fe2O3组成;组成;l 铁在空气中在铁在空气中在570以上氧化时,形成的以上氧化时,形成的氧化膜由氧化膜由FeO、Fe3O4和和Fe2O3组成;组成;l一些金属氧化物的晶格结构类型如表一些金属氧化物的晶格结构类型如表9.3。晶格结构晶格结构类型类型金金 属属FeCrAlTiVMnCo岩盐(立方晶岩盐(立方晶系)系)尖晶石(立方尖晶石(立方晶
23、系)晶系)尖晶石(六方尖晶石(六方晶系)晶系)刚玉(斜六面刚玉(斜六面体晶系)体晶系)FeOFe3O4-Fe2O3-Fe2O3-Cr2O3-Cr2O3-Al2O3-Al2O3TiOTi2O3VOV2O3MnOMn3O4CoOCo3O4l二二 金属氧化膜的完整性和保护性金属氧化膜的完整性和保护性l1 金属氧化膜的完整性金属氧化膜的完整性l 金属氧化膜的完整性是氧化膜具有保护性的必要金属氧化膜的完整性是氧化膜具有保护性的必要条件。而完整性的必要条件:条件。而完整性的必要条件:l氧化膜的体积(氧化膜的体积(VOX)要大于金属的体积()要大于金属的体积(VM)。)。l即即 :l (99)l式中式中 r
24、 为金属氧化物的为金属氧化物的PB比值(比值(PBR););l M 金属氧化物的相对分子量;金属氧化物的相对分子量;l A 金属的原子量;金属的原子量;l n 金属氧化物中金属的原子价;金属氧化物中金属的原子价;l m = nA 为形成金属氧化膜所消耗的金属质量;为形成金属氧化膜所消耗的金属质量;l 为金属和金属氧化物的密度;为金属和金属氧化物的密度;1OXMOXMMOXmMnAMVVrOXM和l讨论:讨论:lPBR 1 ,金属氧化膜物完整,膜具有保护性的,金属氧化膜物完整,膜具有保护性的l 前提,前提,PBR值过大,膜的内应力大,值过大,膜的内应力大,l 易使膜破裂,从而膜的失去保护性;易使
25、膜破裂,从而膜的失去保护性;l一般保护性膜的一般保护性膜的PB比值在:比值在:1 PBR 2.0;l2 金属氧化膜的保护性金属氧化膜的保护性l 只有组织结构致密,能完整覆盖金属表面只有组织结构致密,能完整覆盖金属表面层的氧化膜才有保护性。层的氧化膜才有保护性。l氧化膜的保护性取决于下列因素:氧化膜的保护性取决于下列因素:l(1)膜的完整性;)膜的完整性;l(2)膜的致密性;)膜的致密性;l(3)膜的稳定性;)膜的稳定性;l(4)膜与金属的附着性;)膜与金属的附着性;l 影响附着力差的因素:影响附着力差的因素:l 膜与基体的热膨胀系数相差大;膜与基体的热膨胀系数相差大;l 金属组织与氧化膜组织间
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