《射频模拟电路》课件:5-14 混频.ppt
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- 射频模拟电路 射频模拟电路课件:5-14 混频 射频 模拟 电路 课件 14
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1、上节内容回顾与扩展l解调是调制的逆过解调是调制的逆过程。从频谱搬移的程。从频谱搬移的角度看,解调是频角度看,解调是频谱从高频端搬到基谱从高频端搬到基带的过程,普通振带的过程,普通振幅波的解调常常称幅波的解调常常称为为检波检波。 检波电路检波电路上节内容回顾与扩展上节内容回顾与扩展问题:问题:1、调幅波解调有几种方法?、调幅波解调有几种方法?非线性非线性 电路电路低通低通滤滤 波器波器输入输入 AM信号信号检出包络信息检出包络信息检波电路检波电路上节内容回顾与扩展上节内容回顾与扩展 同步检波器用于对载波被抑制的双边带或单边带信号进行解调。同步检波器用于对载波被抑制的双边带或单边带信号进行解调。它
2、的特点是必须外加一个它的特点是必须外加一个频率和相位频率和相位都与被抑制的载波相同的信号。同都与被抑制的载波相同的信号。同步检波的名称即由此而来。步检波的名称即由此而来。 同步检波电路同步检波电路同步检波电路同步检波电路上节内容回顾与扩展上节内容回顾与扩展乘积检波电路低通滤波器 v1V0iv0乘积检波器同步检波电路同步检波电路上节内容回顾与扩展上节内容回顾与扩展l提取载波的方法一般分为两类:l一类是不专门发送导频,而在接收端直接从发送信号中提取载波,这类方法称为直接法,也称为自同步法;l另一类是在发送有用信号的同时,在适当的频率位置上,插入一个(或多个)称作导频的正弦波,接收端就利用导频提取出
3、载波,这类方法称为插入导频法,也称为外同步法。上节内容回顾与上节内容回顾与扩展扩展同步检波电路同步检波电路-载波提取载波提取乘积检波电路低通滤波器 v1V0iv0乘积检波器上节内容回顾与上节内容回顾与扩展扩展同步检波电路同步检波电路-载波提取载波提取乘积检波电路低通滤波器 v1V0iv0乘积检波器l直接法(自同步法)直接法(自同步法) 有些信号(如抑制载波的双边带信号等)虽然本身不包含载波分量,但对该信号进行某些非线性变换以后,就可以直接从中提取出载波分量来,这就是直接法提取同步载波的基本原理。1、平方变换法和平方环法平方变换法和平方环法上节内容回顾与上节内容回顾与扩展扩展同步检波电路同步检波
4、电路-载波提取载波提取乘积检波电路低通滤波器 v1V0iv0乘积检波器l利用锁相环提取载波的常用方法如图所示。加于两个相乘器的本地信号分别为压控振荡器的输出信号 和它的正交信号 ,因此,通常称这种环路为同相正交环,有时也被称为科斯塔斯(Costas)环。 上节内容回顾与上节内容回顾与扩展扩展同步检波电路同步检波电路-载波提取载波提取乘积检波电路低通滤波器 v1V0iv0乘积检波器l插入导频法 对于抑制载波的双边带调制而言,在载频处,已调信号的频谱分量为零,对于抑制载波的双边带调制而言,在载频处,已调信号的频谱分量为零,同时对调制信号同时对调制信号 进行适当的处理,就可以使已调信号在载频附近的进
5、行适当的处理,就可以使已调信号在载频附近的频谱分量很小,这样就可以插入导频,这时插入的导频对信号的影响最小。频谱分量很小,这样就可以插入导频,这时插入的导频对信号的影响最小。但插入的导频并不是加在调制器的那个载波,但插入的导频并不是加在调制器的那个载波,而是将该载波移相而是将该载波移相90后的所谓后的所谓“正交载波正交载波”。 检波电路检波电路上节内容回顾与扩展上节内容回顾与扩展问题:问题:2、为什么包络检波不能解调、为什么包络检波不能解调DSB波?波?从已调波中检出从已调波中检出包络信息,包络信息,只适用于只适用于AMAM信号。信号。普通调幅波的波形 检波电路检波电路上节内容回顾与扩展上节内
6、容回顾与扩展DSB波的波形二极管包络检波电路二极管包络检波电路上节内容回顾与扩展上节内容回顾与扩展问题:问题:3、二极管包络检波器的电路、二极管包络检波器的电路构成?构成?4、D的名称?特点?的名称?特点?5、RL特点?特点?C+vWRL+充电放电iDviD:检波二极管,结电容小,检波二极管,结电容小,反向电流小。可选择点接反向电流小。可选择点接触二极管,肖特基二极管。触二极管,肖特基二极管。RL:负载电阻,数值较大,负载电阻,数值较大,低频电流流过时产生低频低频电流流过时产生低频电压。电压。二极管包络检波电路二极管包络检波电路上节内容回顾与扩展上节内容回顾与扩展问题:问题:6、7、cosc?
7、cosccivV?c133()dcLRR其中,其中,是二极管电流通角,是二极管电流通角,L为检波器负载电阻,为检波器负载电阻,d为二极管导通电阻。为二极管导通电阻。二极管包络检波电路二极管包络检波电路上节内容回顾与扩展上节内容回顾与扩展问题:问题:8、检波效率和输入阻抗?、检波效率和输入阻抗?1122idcidLavVvRRIIcosdK二极管包络检波电路二极管包络检波电路上节内容回顾与扩展上节内容回顾与扩展问题:问题:9、二极管包络检波器有、二极管包络检波器有哪些失真?哪些失真?1 1、惰性失真。、惰性失真。2 2、负峰切割失真、负峰切割失真3 3、非线性失真。、非线性失真。4 4、频率失真
8、。、频率失真。V i m(1-m)V i mttmVoimicos)cos1 (WvV R)cos1 (tmVimttmVoimicos)cos1 (WvttmVoimicos)cos1 ( v)cos1 (tmVim)cos1 (tmVimV RV RV RV RV RimimimimLRVrRrVVrRrrRVRrRVieLieieLieieLieL非线性失真是由检波二极管伏安特性曲线的非线性失真是由检波二极管伏安特性曲线的非线性非线性所引起的。所引起的。频率失真由容抗对不同频率的信号的传输不同而引起的失真。频率失真由容抗对不同频率的信号的传输不同而引起的失真。二极管包络检波电路二极管包络
9、检波电路上节内容回顾与扩展上节内容回顾与扩展问题:问题:10、如何避免惰性失真和、如何避免惰性失真和负峰切割失真?负峰切割失真?1 1、避免惰性失真的、避免惰性失真的条件。条件。2 2、避免负峰切割失、避免负峰切割失真的条件。真的条件。2max1aLamR CmWa()( 0 )LLZjmZWW 5001RW 45002RW 4500LRtVVtVvmmmWWcos4 . 0)cos4 . 01 (000:解)cos36. 01 (9 . 0)cos4 . 0/002120212tVtVRRRRRVRRRvmmLLmWWcLCRR105)/(22WaaLmmCRR2221) /(ttVtvcm
10、scos)cos4 . 01 ()(0W二极管包络检波器例题二极管包络检波器例题1二极管包络检波电路二极管包络检波电路上节内容回顾与扩展上节内容回顾与扩展)()10930sin()108cos(3 . 018 . 0)(33VtttvsW kR5:已知W kRL3WWkRRjRL875. 1/)(而WkRjR5)0(3 . 0375. 05875. 1)0)WamjRjR(aaLcmmCRRW21)/(105二极管包络检波器例题二极管包络检波器例题2二极管包络检波电路二极管包络检波电路上节内容回顾与扩展上节内容回顾与扩展 变频变频或混频混频就是就是把两个不同的信号加到非线性器把两个不同的信号加
11、到非线性器件上件上进行进行频率组合频率组合后后取出和频或差频取出和频或差频 的过程。的过程。 它的的基本功能均是将输入频带信号的频谱位移到新的它的的基本功能均是将输入频带信号的频谱位移到新的频率范围内,即频谱的线性般移,这类似于调制信号经调幅变换频率范围内,即频谱的线性般移,这类似于调制信号经调幅变换前后的频谱变换关系。前后的频谱变换关系。cLIfff第五章:混频器第五章:混频器上节内容回顾与扩展上节内容回顾与扩展1. 变频损耗(增益) frequency conversion loss 在接收机中变频损耗是输入射频信号功率与输出中频信号功率之比值,一般以在接收机中变频损耗是输入射频信号功率与
12、输出中频信号功率之比值,一般以dB表表示。在发射机的上变频器中,变频损耗是输入中频信号功率与输出射频信号功率之示。在发射机的上变频器中,变频损耗是输入中频信号功率与输出射频信号功率之比值。比值。 2. 噪声系数3. 动态范围 :1dB压缩点(压缩点(Pin-1dB)4. 双音三阶交调(P3)与线性度 混频器的三阶交调系数混频器的三阶交调系数M3为一项重要的指标。为一项重要的指标。 5. 隔离度 本振端口到其他端口的隔离度的定义有两个,一个是本振功率与其泄露到信号本振端口到其他端口的隔离度的定义有两个,一个是本振功率与其泄露到信号端口的功率之比;另外一个是本振功率与其泄露到中频输出端口的功率之比
13、,两端口的功率之比;另外一个是本振功率与其泄露到中频输出端口的功率之比,两者都用分贝数来表示。者都用分贝数来表示。6、本振功率:、本振功率:原则上本振功率愈大,混频器的动态范围增大,线性度改善,原则上本振功率愈大,混频器的动态范围增大,线性度改善,1dB压缩点上升,三阶交调系数改善。压缩点上升,三阶交调系数改善。混频器的主要性能指标混频器的主要性能指标上节内容回顾与扩展上节内容回顾与扩展)输出信噪比(中频频率)输入信噪比(信号频率NFPout(2w1+/-w2)混频器的模型及频谱混频器的模型及频谱上节内容回顾与扩展上节内容回顾与扩展1. 用乘法器实现混频是最好的方法之一用乘法器实现混频是最好的
14、方法之一 由模拟乘法器(有源混频)由模拟乘法器(有源混频) 实现乘积型混频器实现乘积型混频器由双极晶体管(有源混频)、场效应管由双极晶体管(有源混频)、场效应管(有源混频)(有源混频) 、二极管(无源混频)、二极管(无源混频) 实现叠加型混频器实现叠加型混频器两种电路都含有许多组合频率分量。两种电路都含有许多组合频率分量。混频器的模型及频谱混频器的模型及频谱上节内容回顾与扩展上节内容回顾与扩展 第五章第五章 混频器混频器l5.1 混频器的性能指标混频器的性能指标l5.2 混频器的实现模型混频器的实现模型l5.3.1 双级晶体管混频器双级晶体管混频器l5.4.4单二极管开关混频器的折线近似分析单
15、二极管开关混频器的折线近似分析l5.4.5 二极管平衡混频器二极管平衡混频器l5.5 混频器中的组合频率干扰与非线性失真混频器中的组合频率干扰与非线性失真5.3.1 晶体管混频器晶体管混频器 5.3 5.3 有源混频器电路(有源混频器电路(P332P332)1. 主要器件主要器件石英晶体:石英晶体:17.73MHz 三极管:三极管: 9018 中周:中周: 6.5MHz 电阻电容:电阻电容: 若干若干2. 技术指标要求:技术指标要求:1) 接收频率(点频)接收频率(点频)11.23MHz 2) 本振频率:本振频率: 17.73MHz3) 混频输出(中频):混频输出(中频):6.5MHz由于晶体
16、管工作在非线性状态。转移特性的非线性函数用解析式表达极为困难,但由于信号电压来源于空中信号或远距离送来的微弱信号,而本地振荡器电压是本身振荡器产生的,振幅很大。当当晶体管混频器工作在特定的状态,即本振电压的振幅晶体管混频器工作在特定的状态,即本振电压的振幅值远大于信号电压的振幅值时,可值远大于信号电压的振幅值时,可采用近似分析方法采用近似分析方法-5.3.1 晶体管混频器晶体管混频器线性时变分析方法线性时变分析方法0( )( )BBBBLvtVv t直流偏置电压 0BBV本振电压 ( )cosLLLvtVt信号电压 ( )cossssv tVtLs可把本振电压看成是晶体管偏置电压的一部分,但这
17、种偏置是时变偏置 5.3.1 晶体管混频器晶体管混频器近似分析方法近似分析方法-线性时变分析方法线性时变分析方法在本振电压作用下,工作点随时间而移动。由于信号电压振幅值很小,在任何时刻的工作点上,对信号而言都可以看成是线性的。这种分析问题的方法称为线性时变分析法。这种分析问题的方法称为线性时变分析法。 0( )( )BBBBLvtVv t5.3.1 晶体管混频器晶体管混频器近似分析方法近似分析方法-线性时变分析方法线性时变分析方法0()()cbeBBLsif vf Vvv在时变工作点上的泰勒级数展开式为:0020( )( )1( )2!cBBLBBLsBBLsif Vv tf Vv t vfV
18、v t vsv很小0( )( )cBBLsif Vv tg t v0( )( )BBLg tf Vv t时变电导时变电导 是转移持性上随本振电压变化的时变工作点是转移持性上随本振电压变化的时变工作点 切线的斜率。切线的斜率。 时变的工作点时变的工作点0( )( )BBBBLvtVv t5.3.1 晶体管混频器晶体管混频器近似分析方法近似分析方法-线性时变分析方法线性时变分析方法0()()cbeBBLsif vf Vvv0( )( )cBBLsif Vv tg t v0( )( )BBLg tf Vv t时变电导时变电导 时变电导时变电导是转移持性上随本振电压变化是转移持性上随本振电压变化的时变
19、工作点切线的斜率。的时变工作点切线的斜率。 0( )BBLf Vvt时变工作点对应的 变化规律都与cosLLVt的变化规律一致。ci也是周期的。( )g t0( )BBLf Vvt和和( )g t0( )BBLf Vvt和和( )g t量纲是电导0( )BBLf Vvt量纲是电流0012( )coscos2BBLccLcLf Vv tIItIt012( )coscos2LLg tggtgtcossssvVt01012(cos)cos1cos()cos() 21cos(2)cos(2) 2cccLsssLsLssLsLsiIItg Vtg Vttg Vtt0101coscoscoscccLLss
20、iIItggtVt0( )( )cBBLsif Vv tg t v5.3.1 晶体管混频器晶体管混频器近似分析方法近似分析方法-线性时变分析方法线性时变分析方法取下混频 ILs11coscos2IsIIIigVtIt11(1cos)coscos2IsaIIIigVmttItW(1cos)cosssasvVmttW112IsIgV11(1cos)2IsaIgVmtW变频跨导变频跨导 :cg中频电流振幅值中频电流振幅值 与信号电压振幅制之比与信号电压振幅制之比II5.3.1 晶体管混频器晶体管混频器近似分析方法近似分析方法-线性时变分析方法线性时变分析方法01012(cos)cos1cos()co
21、s() 21cos(2)cos(2) 2cccLsssLsLssLsLsiIItgVtgVttgVtt若输入为调幅波:若输入为调幅波:或或112IcsIggV 5.3.1 晶体管混频器晶体管混频器近似分析方法近似分析方法-线性时变分析方法线性时变分析方法例题例题已知混频晶体三极管的近似特性如下图:已知混频晶体三极管的近似特性如下图:VBB0=?g(t)=?VBB0=0V122( )coscos323mLLg tgttgc=?112mcggg中频电流由集电极中频谐振回路取出,中频电流由集电极中频谐振回路取出,tVRgRtitvsLLII11cos21)()(混频器的电压增益为:混频器的电压增益为
22、:LmLcLssLsIRgRgRgVVRgvvAv11212110g 0cg 01BBVV不能混频不能混频!1Vbevbevmgmg0ciLt5.3.1 晶体管混频器晶体管混频器近似分析方法近似分析方法-线性时变分析方法线性时变分析方法例题例题已知混频晶体三极管的近似特性如下图:已知混频晶体三极管的近似特性如下图:二极管混频二极管混频 晶体三极管混频动态范围小晶体三极管混频动态范围小(信号电平范围仅为几十毫伏信号电平范围仅为几十毫伏),组合频率干扰大,本振泄漏严重。组合频率干扰大,本振泄漏严重。二极管混频则动态范围大,组合频率分量少,本振二极管混频则动态范围大,组合频率分量少,本振泄漏小,无变
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