大学物理课件:12.磁介质.ppt
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- 关 键 词:
- 大学物理 课件 12. 介质
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1、12-1 12-1 磁介质磁介质 磁化强度磁化强度磁介质磁介质能与磁场产生相互作用的物质能与磁场产生相互作用的物质磁化磁化磁介质在磁场作用下所发生的变化磁介质在磁场作用下所发生的变化一、一、 物质磁性的概述物质磁性的概述 RI0B无磁介质时:无磁介质时:nIB00 RI磁介质磁介质B加入磁介质后加入磁介质后BBB 0附加磁场附加磁场B 根据根据 的大小和方向可将磁介质分为四大类的大小和方向可将磁介质分为四大类 RI锰、铬、氮气锰、铬、氮气-B0BB 1)此种磁介质称此种磁介质称为为顺磁质顺磁质 RI银、铜、氢银、铜、氢.B0BB 2)此种磁介质称此种磁介质称为为抗磁质抗磁质0BB 弱磁质弱磁质
2、 RI铁、钴、镍及其合金铁、钴、镍及其合金0BB 3)此种磁介质称为此种磁介质称为铁磁质铁磁质B强磁质强磁质4) 超导体超导体 B = 0二二、分子电流与分子磁矩分子电流与分子磁矩电子绕核的轨道运动电子绕核的轨道运动电子本身自旋电子本身自旋等效于圆电流等效于圆电流分子电流分子电流分子磁矩分子磁矩mPBpMm nISpm 分子磁矩在外磁场中受到分子磁矩在外磁场中受到磁力矩磁力矩作用,使它向磁场作用,使它向磁场方向偏转方向偏转BImpmpmpImpImpILmp0Bmp 物质的抗磁性:物质的抗磁性:Lmepm2 222rrverIpm vrmL Lmp0Bmp MM vmrL BpMm 分子磁矩受
3、到的力矩分子磁矩受到的力矩角动量定理角动量定理dtLdM 绕磁场进动产生一附加磁矩绕磁场进动产生一附加磁矩 与与原磁场原磁场 方向相反方向相反mp 0B1、顺磁质、顺磁质分子的固有磁矩不为零分子的固有磁矩不为零0 mp无外磁场作用时,由无外磁场作用时,由于分子的热运动,分于分子的热运动,分子磁矩取向各不相同子磁矩取向各不相同,整个介质不显磁性。整个介质不显磁性。0 mp三、三、磁介质的磁介质的顺磁性与抗磁性顺磁性与抗磁性 有外磁场时,分子磁矩要有外磁场时,分子磁矩要受到一个力矩的作用,使分子受到一个力矩的作用,使分子磁矩转向外磁场的方向。磁矩转向外磁场的方向。mp0B0BpMm M 分子磁矩产
4、生的磁场方向和外磁场方向一致,分子磁矩产生的磁场方向和外磁场方向一致,顺磁质磁化结果,使介质内部磁场增强。顺磁质磁化结果,使介质内部磁场增强。0BB 0B0 mP(顺磁质)(顺磁质)0B0 mp0BB 0B得多得多,忽略不计。因此磁介质中的忽略不计。因此磁介质中的磁场是加强了。磁场是加强了。指出一点指出一点:附加磁矩:附加磁矩 与与 相比要小相比要小 mp mp2、抗磁质、抗磁质分子的固有磁矩为零分子的固有磁矩为零0 mp在外磁场作用下产生在外磁场作用下产生附加磁矩附加磁矩mp 电子的附加磁矩总是削弱外磁场的作用。电子的附加磁矩总是削弱外磁场的作用。抗磁性是一切磁介质共同具有的特性。抗磁性是一
5、切磁介质共同具有的特性。0BB 总与外磁场总与外磁场方向方向反向反向任一体积元中任一体积元中0 mP 3、介质磁化的过程如下:、介质磁化的过程如下:在外场中在外场中顺磁质顺磁质抗磁质抗磁质0 mp0 mp mmpp 在外场中在外场中0 mp 一致一致取向与取向与0Bpm 反向反向取向与取向与0Bpm 00BBBB 00BBBB 四、四、磁化强度与磁化电流磁化强度与磁化电流1、定义、定义磁化强度磁化强度 :在被磁化的磁介质中,单位体积内在被磁化的磁介质中,单位体积内 分子磁矩的矢量和。分子磁矩的矢量和。MVppMmm 1 mA mP分子的固有磁矩的矢量和分子的固有磁矩的矢量和 mP 附加磁矩附加
6、磁矩的矢量和的矢量和讨论:讨论:在磁介质被磁化后在磁介质被磁化后也可以不同,非均匀磁化也可以不同,非均匀磁化(1) 可以相同,均匀磁化可以相同,均匀磁化M(2)对于顺磁质:对于顺磁质:BM/附加磁场与原磁场同向附加磁场与原磁场同向对于抗磁质:对于抗磁质:BM /附加磁场与原磁场反向附加磁场与原磁场反向磁化电流磁化电流sI分子电流的宏观表现分子电流的宏观表现0BsI0IB Is磁化面电流,安培表面电流磁化面电流,安培表面电流s沿轴线单位长度上的磁化电流(磁化面电流密度)沿轴线单位长度上的磁化电流(磁化面电流密度)lSSIpppssmmm ssmlSlSVpMM 2、磁化强度与磁化电流的关系、磁化
7、强度与磁化电流的关系取如图所示的积分环路取如图所示的积分环路abcda: LadMl dM 磁化强度对闭合回路磁化强度对闭合回路L的线积分,等于穿过以的线积分,等于穿过以L为周界的任意曲面的磁化电流的代数和。为周界的任意曲面的磁化电流的代数和。 ssIad 磁化强度磁化强度M在量值上等于磁化面电流密度。在量值上等于磁化面电流密度。adcbBBB 0SBB一、磁介质中的高斯定理一、磁介质中的高斯定理0 sSdB0 sosSd)BB(SdB0 soSdB0 sSdB通过磁场中任一闭合曲面的总磁通量为零通过磁场中任一闭合曲面的总磁通量为零磁介质中的高斯定理磁介质中的高斯定理12-2介质中的磁场介质中
8、的磁场 磁场强度磁场强度真空中真空中二、二、磁介质中的安培环路定理磁介质中的安培环路定理 LLsIIl dB)(00 l dMIl dBLLL 000 LLIld)MB(00 LsLIldMMBH 0 定义定义磁场强度磁场强度 LLIl dH0 在稳恒磁场中,磁场强度矢量沿任一闭合路径的在稳恒磁场中,磁场强度矢量沿任一闭合路径的线积分(即环流)等于包围在环路内各传导电流的线积分(即环流)等于包围在环路内各传导电流的代数和,而与磁化电流无关。代数和,而与磁化电流无关。单位单位:安培:安培/米米(A/m)MBH 0 内内LLIl dH0几点说明:几点说明:1) 是一辅助物理量,描述磁场的基本物理量
9、是一辅助物理量,描述磁场的基本物理量 仍然是仍然是HBHB( 名称张冠李戴了)名称张冠李戴了)3)MBH 0 是一普遍关系式,可以写成:是一普遍关系式,可以写成:MHB00 2) 的单位是的单位是A/m(SI制)制)H三、三、 各向同性的磁介质各向同性的磁介质HMm MBH 0 HHBr 0介介质质的的磁磁化化率率m HBm 0HBm)1(0 介质的磁导率介质的磁导率 r0令:令:称为相对磁导率称为相对磁导率mr 1电介质中的电介质中的高斯定理高斯定理磁介质中的磁介质中的安培环路定理安培环路定理 SiSqqSdE)(01 LsLLIIl dB00 l dMIl dBLLL 00 LLIl dM
10、B)(0 MBH 0 LLIl dH SSSSdPqSdE0011 SSqSdPE)(0 PED 0 VeSdVSdD E)(De01 EEDr 0 称为相对电容率称为相对电容率或相对介电常量或相对介电常量r 之间的关系之间的关系EDP、)(er 1EPe0 HMm 之之间的关系间的关系M,H,BMBH 0 PED 0 H)(Bm 10)(mr 1HHBr 0r 称为相对磁导率称为相对磁导率r 0 磁导率磁导率0 r 介电常量介电常量例例1 一环形螺线管,管内充满磁导率为一环形螺线管,管内充满磁导率为,相对磁导,相对磁导率为率为r的顺磁质。环的横截面半径远小于环的半径。的顺磁质。环的横截面半径
11、远小于环的半径。单位长度上的导线匝数为单位长度上的导线匝数为n。 求:环内的磁场强度和磁感应强度求:环内的磁场强度和磁感应强度rHl dHL 2 NI rNIH 2 nI HHBr 0 rO解:解:例例2 一无限长载流圆柱体,通有电流一无限长载流圆柱体,通有电流I ,设电流,设电流 I 均匀分布在整个横截面上。柱体的磁导率为均匀分布在整个横截面上。柱体的磁导率为,柱,柱外为真空。外为真空。求:柱内外各区域的磁场强度和磁感应强度。求:柱内外各区域的磁场强度和磁感应强度。解:解:IR0 I rH Rr rHl dHL 2 I IRr22 22 RIrH 22 RIrB 在分界面上在分界面上H 连续
12、连续, B 不连续不连续Rr IrH 2rIH 2 rIB 20 IR0 Hr HRrRI 2OBRrRI 2ORI 20练习练习 一磁导率为一磁导率为 1的无限长圆柱形直导线,半径为的无限长圆柱形直导线,半径为 R1,其中均匀地通有电流,其中均匀地通有电流 I 。在导线外包一层磁导。在导线外包一层磁导率为率为 2 的圆柱形不导电的磁介质,其外半径为的圆柱形不导电的磁介质,其外半径为 R2,如图所示。求磁场强度和磁感应强度的分布。如图所示。求磁场强度和磁感应强度的分布。 2 1IR2R1解:由安培环路定律解:由安培环路定律 iLIl dH iIrH 2 2 1IR2R11Rr 212 RIrH
13、 2112 RIrB 21RrR rIH 2 rIB 22 2Rr rIH 2 rIB 20 练习练习 一电缆由半径为一电缆由半径为R1的长直导线和套在外的长直导线和套在外面的内、外半径分别为面的内、外半径分别为R2和和R3的同轴导体圆筒组成,的同轴导体圆筒组成,其间充满相对磁导率为其间充满相对磁导率为r的各向同性非铁磁质。电的各向同性非铁磁质。电流流I由中心导体流入,由中心导体流入,由外面圆筒流回。求磁场分由外面圆筒流回。求磁场分布。布。1Rr 解:由介质中的安培环路定理解:由介质中的安培环路定理 LIl dH LrHl dH 211221rRII 2112 RIrH 21012 RIrB
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