材料合成与制备全册配套完整精品课件2.ppt
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1、材料合成与制备全册配套完整材料合成与制备全册配套完整 精品课件精品课件2 问问 题题 各种类型的材料是如何制备出来的?各种类型的材料是如何制备出来的? 两种性质完全不同的材料怎么可以复合?两种性质完全不同的材料怎么可以复合? 功能材料的性能如何做到越来越好?功能材料的性能如何做到越来越好? 电子元器件如何实现小型化、集成化?电子元器件如何实现小型化、集成化? Highly integrated devices and high-speed, high-efficiency devices. Submicron technology/highly integrated devices/multi
2、-chip devices High Performance Packages designed for board space savings and reduced number of parts. Low-voltage, low-current devices. Compact and Thin SizeLow Power Consumption 前前 言言 一、基本概念一、基本概念 1. 合成:指通过物理化学方法使一定配比的合成:指通过物理化学方法使一定配比的 (化学)物质按人的要求结合,成核、(化学)物质按人的要求结合,成核、 生长而形成新的材料的过程。生长而形成新的材料的过程。
3、2. 制备:采用各种物理、化学方法制取各种材制备:采用各种物理、化学方法制取各种材 料的过程。料的过程。 两者有时不好区分,材料制备可以包含材料合成过程。两者有时不好区分,材料制备可以包含材料合成过程。 二、合成与制备二、合成与制备 新产品开发的基础新产品开发的基础 新产品新产品 先进陶瓷材料 先进复合材料 薄膜材料 高纯、超细粉体 多组份固溶体粉体 与基材具有良好 亲和性的增强材料 人工晶体 高分散性粉体 第一章第一章 材料合成与制备的理论基础材料合成与制备的理论基础 第一节第一节 吸附理论吸附理论 Adsorption Theory 吸附:吸附:是在吸附剂液体或固态的界面或表面上是在吸附剂
4、液体或固态的界面或表面上 极薄的接触层中吸附住吸附质的现象。极薄的接触层中吸附住吸附质的现象。 包括物理吸附和化学吸附。包括物理吸附和化学吸附。 物理吸附物理吸附:以范德华力作用,作用力较弱。 化学吸附化学吸附:以化学键作用,作用力较强。 一一、分子的吸附分子的吸附 SiO2 石英石英 O O O O O O O O O O O O O O O O H H H H H H H H H H H H H H H H O CH2 CH2 O CH2 CH2 O : : : : O : R H 乙醇乙醇 醚醚 分子与固体颗粒表面发生分子与固体颗粒表面发生 弱的静电吸附。弱的静电吸附。 小分子小分子 吸
5、附点少,吸附点少, 为物理吸附为物理吸附。 氢键氢键 大分子吸附点多,大分子吸附点多, 吸附力强,可看作吸附力强,可看作 化学吸附。化学吸附。 最新研究结果表明,最新研究结果表明, 壁虎能在光滑表面壁虎能在光滑表面 上行走,主要靠其上行走,主要靠其 脚与表面产生分子脚与表面产生分子 吸附。吸附。 分子吸附分子吸附 - 在水溶液中,在水溶液中,pH值对固体颗粒表面的电性有显值对固体颗粒表面的电性有显 著影响。著影响。对二氧化硅来说,对二氧化硅来说,pH值高时,表面带值高时,表面带 负电,对水合阳离子有吸附作用,从而影响大负电,对水合阳离子有吸附作用,从而影响大 分子的吸附。分子的吸附。 SiO2
6、 O O O O O O O O O O O O Na+ 6H2O C2H4 C2H4 C2H4 水合阳离子水合阳离子 有机大分子有机大分子 表面表面 HHH H H H H HHHH C2H4 影响分子与固体表面相互吸附的因素影响分子与固体表面相互吸附的因素 二、无机离子的吸附二、无机离子的吸附 带有一定电荷的固体表面与相反电性的离子发生吸附,带有一定电荷的固体表面与相反电性的离子发生吸附, 在溶液中,这些离子称为在溶液中,这些离子称为 Counter ion。 对电解质溶液,固体表面附近形成对电解质溶液,固体表面附近形成 。 固定层(固定层(Stern层):紧靠表面,吸附力强。层):紧靠表
7、面,吸附力强。 扩散层(扩散层(Gouy-Chapmann层):在固定层外侧,层):在固定层外侧, 吸附力较弱。吸附力较弱。 零电位面 扩散层扩散层 固固 定定 层层 0 颗 粒 表 面 + + + + + + + + + + + + + 溶液溶液 + + 距离 从颗粒表面到溶液中距离为从颗粒表面到溶液中距离为 x 处的电位处的电位 可近似表示为:可近似表示为: 0 exp(Kx) 其中其中 K 2e2n0Z2 kT 2e2NACZ2 kT 1/ 2 1/ 2 1/ K 称为双电层厚度。由上式可知,称为双电层厚度。由上式可知,1/K 与与C 及及 Z2 成反比,即电解质成反比,即电解质 的浓度
8、越大、离子的化合价越高,双电层厚度越小。的浓度越大、离子的化合价越高,双电层厚度越小。 距离距离 x距离距离 x距离距离 x 颗粒表面颗粒表面 颗粒表面颗粒表面 颗粒表面颗粒表面 C10 3 mol l1 Z1 Na+ C10mol l 1 Z1 Na+ C10 3 mol l1 Z2 Na+ Ca2+ 式中式中为溶液的介电常数;为溶液的介电常数;e 为电子的电荷;为电子的电荷;n0 为溶液的离子浓度;为溶液的离子浓度;Z 为化合价;为化合价; k 为为Boltzmann常数;常数;NA 为为Avogadro常数;常数;C 为强电解质摩尔浓度;为强电解质摩尔浓度;T 为绝对温度。为绝对温度。
9、三、吸附等温线三、吸附等温线 1. S型等温线型等温线 溶液平衡浓度溶液平衡浓度 平衡吸附量平衡吸附量 因因“ 协同吸附协同吸附”,a 处吸附比处吸附比 b 处吸附更稳定。处吸附更稳定。 a b 一定温度条件下,被吸附剂吸附的吸附质的量与吸附质溶液浓度一定温度条件下,被吸附剂吸附的吸附质的量与吸附质溶液浓度 之间的平衡关系曲线。之间的平衡关系曲线。 对单功能基表面活性剂的吸附:对单功能基表面活性剂的吸附: 2. L型等温线型等温线 溶液平衡浓度溶液平衡浓度 平衡吸附量平衡吸附量 ab 双功能基吸附质分子在吸附剂颗粒表面呈平躺状态吸附,双功能基吸附质分子在吸附剂颗粒表面呈平躺状态吸附, a、b两
10、处吸附吸附同样稳定。两处吸附吸附同样稳定。 3. H型吸附等温线型吸附等温线 溶液平衡浓度溶液平衡浓度 平衡吸附量平衡吸附量 0.1 0.20.30 4 2 6 平衡吸附量平衡吸附量 (m mol kg-1) 溶液平衡浓度(溶液平衡浓度(m mol l-1) 次甲基蓝在石墨上吸附的等温线(溶剂为水)次甲基蓝在石墨上吸附的等温线(溶剂为水) 该类型等温线表明,吸附质与吸附剂之间有特别强的亲该类型等温线表明,吸附质与吸附剂之间有特别强的亲 和力。由于吸附力强,吸附质可快速、彻底被吸附。吸附等和力。由于吸附力强,吸附质可快速、彻底被吸附。吸附等 温线从非零值开始,表明吸附质与吸附剂一接触就被大量吸温
11、线从非零值开始,表明吸附质与吸附剂一接触就被大量吸 附。附。 4. C型吸附等温线型吸附等温线 溶液平衡浓度溶液平衡浓度 平衡吸附量平衡吸附量 该类吸附等温线为直线,该类吸附等温线为直线, 表明吸附量随吸附质浓度增加表明吸附量随吸附质浓度增加 而增加。这种情况只在吸附质而增加。这种情况只在吸附质 比溶剂更能深入吸附到吸附剂比溶剂更能深入吸附到吸附剂 结构中才会出现。随吸附的进结构中才会出现。随吸附的进 行,在吸附剂内部不断开辟新行,在吸附剂内部不断开辟新 的吸附位。白土对氨基酸的吸的吸附位。白土对氨基酸的吸 附就产生该类吸附等温线。附就产生该类吸附等温线。 吸附现象存在于材料合成与制备的各个吸
12、附现象存在于材料合成与制备的各个 环节。不同类型的吸附作用有不同的结果:环节。不同类型的吸附作用有不同的结果: 合成时分子的相互吸附是成核的基础;合成时分子的相互吸附是成核的基础; 粉体的相互吸附会形成团聚;粉体的相互吸附会形成团聚; 材料表面对分子或离子的吸附是表面改性材料表面对分子或离子的吸附是表面改性 的基础。的基础。 有机大分子或离子对纳米微粒的吸附是纳有机大分子或离子对纳米微粒的吸附是纳 米结构材料自组装的基础。米结构材料自组装的基础。 第二节第二节 晶体生长的热力学基础晶体生长的热力学基础 与成核理论与成核理论 热力学是研究平衡状态问题的理论。研究它热力学是研究平衡状态问题的理论。
13、研究它 对我们在研究晶体生长过程中预测合成所遇到的对我们在研究晶体生长过程中预测合成所遇到的 问题或者为问题的解决提供线索大有帮助。通过问题或者为问题的解决提供线索大有帮助。通过 热力学研究,预测生长速度、生长量,以及成分热力学研究,预测生长速度、生长量,以及成分 随温度、压力的变化规律等物理化学参数,这对随温度、压力的变化规律等物理化学参数,这对 合成大有意义。合成大有意义。 一、相平衡与相变一、相平衡与相变 相(相(Phase):是指体系中均匀一致的部):是指体系中均匀一致的部 分,它与别的部分有明显的界线。分,它与别的部分有明显的界线。 在一定条件下,两相接触时会发生物质在一定条件下,两
14、相接触时会发生物质 或能量的交换,直至达到平衡状态。当或能量的交换,直至达到平衡状态。当 外界条件改变时,相的平衡状态会被破外界条件改变时,相的平衡状态会被破 坏,再次发生物质和能量的传递,直至坏,再次发生物质和能量的传递,直至 达到新的平衡。达到新的平衡。 A 相 B 相 UA VA TA SA UB VB TB SB 推推 导导 两两 相相 热热 平平 衡衡 所所 用用 示示 意意 图图 接触的两接触的两 相平衡时相平衡时 (1) 热平衡:两相温度相等:热平衡:两相温度相等:TATB; (2) 力学平衡:两相力学压强相等:力学平衡:两相力学压强相等:PA PB; (3) 传质平衡:两相内物
15、质的化学势相等:传质平衡:两相内物质的化学势相等:AB 1. 相平衡相平衡 2. 相相 律律 (1) 组分:一个体系中含有的元素和化合物。组分数以组分:一个体系中含有的元素和化合物。组分数以c 表示。表示。 (2) 组元:在体系中可独立变化,且决定着各相成分的组分。组元:在体系中可独立变化,且决定着各相成分的组分。 (3) 自由度:一个平衡体系的可变因素(如每一相的温度、压力、自由度:一个平衡体系的可变因素(如每一相的温度、压力、 成分等)的数目。自由度数以成分等)的数目。自由度数以f 表示。相数以表示。相数以 表示。表示。 c 2 3. 相相 变变 当一个体系(如水)在外界条件改变时,会发生
16、状态的当一个体系(如水)在外界条件改变时,会发生状态的 改变(如水变成冰),这种现象便称相变。改变(如水变成冰),这种现象便称相变。 二、 相相 图图 表示相平衡条件的图件称相图,或平衡图,或状态图。表示相平衡条件的图件称相图,或平衡图,或状态图。 金刚石 固态 液态 石墨 1000 600 200 0 压压 强强 (102MP 100030005000 这是碳在较大温这是碳在较大温 度和压强范围内度和压强范围内 存在固态相变的存在固态相变的 单元系相图,其单元系相图,其 是制造人造金刚是制造人造金刚 石的依据。石的依据。 碳的碳的 相相 图图 T () 三、相图在晶体生长中的应用三、相图在晶
17、体生长中的应用 (一)(一) 确定生长配料确定生长配料 1. 近理想成分配料近理想成分配料 同成分点同成分点 1300 1100 900 4446485052 T () Li2O(mol%) L+LiNbO2LiNbO3+L LiNbO3 铁 电 相 变 LiNb3O8 LiNbO3 LiNbO3 Li3NbO4 1968 1972 1974 若若AB型化合物有一定型化合物有一定 固溶度,且在同成分点固溶度,且在同成分点 处摩尔比不严格符合化处摩尔比不严格符合化 学配比,学配比,NA 与与 NB有一有一 定差别,配料不能严格定差别,配料不能严格 按按1:1配比。配比。 Li2ONb2O5二元相
18、图二元相图 同成分点处同成分点处Li2O为为 48. 6mol%,配比配比中中 Nb2O5应超量。应超量。 2. 非理想成分配料非理想成分配料 1400 1300 1200 1100 1000 1350 1040 S L S L 50 c c T () KNbO3KTaO3 用助剂方法生长晶体用助剂方法生长晶体 时,若所用助剂为晶时,若所用助剂为晶 体的成分,则配料要体的成分,则配料要 适 当 偏 离 理 想 成 分适 当 偏 离 理 想 成 分 (化合物化学配比),(化合物化学配比), 以避开包晶反应或固以避开包晶反应或固 态相变。态相变。 用用KNbO3与与KTaO3生长成生长成 分配比为
19、分配比为c的的固溶体固溶体晶体,晶体, 则配料成分选在则配料成分选在cc之间,之间, 温度保持在温度保持在c的液相与的液相与c 的的 固相平衡温度,否则,晶固相平衡温度,否则,晶 体的成分会偏离体的成分会偏离c。 KNbO3KTaO3二元系相图二元系相图 (二)晶体生长方式的选择(二)晶体生长方式的选择 1. 熔体生长法熔体生长法 2200 2400 2000 1800 1600 1400 1200 20406080 Mol % Al2O3 Y2O3 T () Y2O3Al2O3 体系相图体系相图 L Al2O3+L G+L Y2O3+L Al2O3+G Al2O3 G+P P+M G+M M
20、+Y2O3 3Y2O35Al2O3 2Al2O3Y2O3 G:钇铝石榴石(钇铝石榴石(Y3Al5O12) YAG; P: 铝酸钇(铝酸钇(YAlO3)YAP; M:2:1的化合物;的化合物; L: 液相。液相。 YAG为激光基质材料。从相图为激光基质材料。从相图 上看,其为同成分熔化化合物,上看,其为同成分熔化化合物, 可用熔体生长法生长。可用熔体生长法生长。 3Y2O35Al2O3 2(Y3Al5O12) 2. (高温)溶液生长法(高温)溶液生长法 1800 1600 1400 1200 T () 406080 Mol % BaO TiO2 BaOTiO2相图相图 L L+TiO2 L+Ba
21、2TiO4 Ba2TiO4 +六方BaTiO3 Ba2TiO4 + 立方BaTiO3 16001612 1563 。 立方立方 BaTiO3 + L 立方BaTiO3+ BaTi2O5 BaTi4O9+TiO2 BaTi4O9+ L BaTiO3 BaTiO3为一个为一个 同成分熔化的同成分熔化的 化合物,在熔化合物,在熔 点以下经历多点以下经历多 个相变阶段:个相变阶段: 液相 1612 六方相 1460 立方相 120 四 方 相 5 正交相 -80 三方相。 制备立方相制备立方相BaTiO3,可加可加TiO2作助熔剂(作助熔剂(6467),生长温),生长温 度度14501330,以避开相
22、变点,以避开相变点1460。 1460 1320 (同成分助剂)(同成分助剂) BaO + Ba2TiO4 四、成核理论四、成核理论 晶体生长是一种复相反应,也是一种相变过程,晶体生长是一种复相反应,也是一种相变过程, 其形式主要有:其形式主要有: (1)从一种固相转变为另一种固相(晶体);)从一种固相转变为另一种固相(晶体); (2)从一种液相(溶液或熔体)转变成晶相;)从一种液相(溶液或熔体)转变成晶相; (3)从气相转变为晶相。)从气相转变为晶相。 在一个合成体系中,晶体生长的开始阶段是成核,在一个合成体系中,晶体生长的开始阶段是成核, 即体系中的原子或分子聚集在一起,形成原子团即体系中
23、的原子或分子聚集在一起,形成原子团 簇,这些稳定存在的团簇提供了晶体生长的基础,簇,这些稳定存在的团簇提供了晶体生长的基础, 它们被称为晶核。它们被称为晶核。 成核有两种情况,即成核有两种情况,即均匀成核均匀成核和和非均匀成核非均匀成核。 1. 均匀成核均匀成核 均匀成核是指在一个体系内各个地方成核的机均匀成核是指在一个体系内各个地方成核的机 率相等。这一过程可理解为:在整个体系中,原率相等。这一过程可理解为:在整个体系中,原 始态的原子或分子聚集在一起形成原子集团(称始态的原子或分子聚集在一起形成原子集团(称 胚芽)的胚芽)的机率机率到处相等。到处相等。 2. 非均匀成核非均匀成核 非均匀成
24、核是指体系中各处的成核机率不相非均匀成核是指体系中各处的成核机率不相 等。通常是由于存在某种不均匀性引起的。等。通常是由于存在某种不均匀性引起的。 这种不均匀性造成了成核时的表面能位垒有这种不均匀性造成了成核时的表面能位垒有 效降低,从而有利于成核。这些不均匀的地效降低,从而有利于成核。这些不均匀的地 方优先成核。方优先成核。 能降低成核能位垒、促进成核作用的物质称能降低成核能位垒、促进成核作用的物质称 为为“ 成核催化剂成核催化剂”,如,如 “ 籽晶籽晶”、“ 导向导向 剂剂”等。等。 第三节第三节 晶体生长的动力学基础及晶体生长的动力学基础及 及界面生长模型及界面生长模型 一、晶体生长的输
25、运过程一、晶体生长的输运过程 1. 热量输运热量输运 三种输运方式:三种输运方式: 辐射辐射 传导传导 对流对流 工艺条件决定输运方式:工艺条件决定输运方式: 高温时,以高温时,以辐射辐射输运为主,传导、对流起次要作用。输运为主,传导、对流起次要作用。 热量输运热量输运 低温时,以低温时,以传导传导输运为主。输运为主。 热传导方程:热传导方程: 对于纯属热传导的热输运,有对于纯属热传导的热输运,有 T t K T c p v T 为为熔体的密度熔体的密度 c p 为为熔体的定压比热熔体的定压比热 v 为为熔体的流动速度熔体的流动速度 K 为热传导系数为热传导系数 T 为熔体中的温度差值为熔体中
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