1、主要内容 垂入射理想导体表面 垂入射理想介质界面平面波的反射与折射 垂垂入射入射理想导体理想导体表面表面11 112,k ()0j wt kzxEe E ej()0et kzxe EE000=0=EEEzEEE时100002sinjkzjkzjwtxjkzjkzjwtjwtxxEEEeE eE eee Eeeee j E ekz 10()2sinsinxE teEkzt100002sinjkzjkzxjkzjkzxxEEEeE eE ee Eeee j Ekz 瞬时值为 不同瞬间的驻波E1(t)10()2sinsinxE teEkzt()0j wt kzxEe E e/zHeEj()0et k
2、zyyyEe HeH()/zHeE j()0et kzxe EEj()0(/)et kzye E H11 1112,k jjj001jjjj000j0eeeeee2cos()e 2cos()ekzkztykzkzttyytyEEeEEeeHkzEekzHHH01()2cos()cosyEH tekzt瞬时值为 平均功率流密度为*111001Re21Re2sin2cos02avzSEHEej Ekzkz驻波（不传输能量）一均匀平面波从空气垂直入射到位于z=0的理想导体平板上，已知入射波电场强度为：()0()j wt kzxyEeje E e求：（1）反射波的电场 （2）合成波的磁场；（3）入射波
3、的极化方式。()0()j wt kzxyEeje E e（1）反射波的电场；（2）合成波的磁场；3）入射波的极化方式。反射波的电场合成波的磁场入射波的极化左旋园极化00000000/()/()()2cosjkzjwtzyxjkzjwtzyxjwtyxEHeEejeeeEHeEejeeeEHejeekz2 平面波垂直入射理想介质1j()0et k zxxxe Ee EE11j()0j()01e et k zyyyt k zye He HEeH101k101/折射波2j()0et k zTTTxxxe Ee EE22j()j()002eeTt k zt k zTTyyEe HeH1j()0et k
4、 zxxxe Ee EE1j()01et k zyEe H1212000000000112(0)ttttTTTEEHHEEEzEEEHHH时的电场边界000zEER1212R000zTEET1222TREEEEEEEEETttT1000010200电场的传输系数和反射系数000zEER000zTEETREEEEEEEEETttT10000102001222T1212R时当02121R2112T 一均匀平面波从空气垂直入射到位于z=0的理想介质界面上，已知入射波电场强度为：()0()j wt kzxyEeje E e求：（1）反射波的电场 （2）折射波的磁场；（3）反射、折射波的极化方式。(1,4)rr()011()33j wt kzxyEEeje E e 反射波的电场折射波的磁场折射波-左旋园极化；反射波-右旋园极化；212201021212112233RT(2)0(2)022()31()90Tj wtkzxyTTj wtkzzyxET Eeje E eeEHeje E e
